光电化学性能

摘要： 采用碱化与退火方法在铜网表面制备多晶型氧化铜纳米线结构,利用SEM、XRD、XPS、HR-TEM和电化学测试等手段,研究了碱化处理时间和退火工艺对氧化铜纳米线结构形貌、物相组成和光电化学性能的影响,并考察了所制氧化铜纳米线电极对低浓度乙醇溶液的检测能力。结果表明,碱化10 min并且经过退火处理(500°C×2 h)后,所制材料具有最佳的光电化学性能,其中退火处理促进了非晶状态直线型Cu(OH)_(2)纳米线向多晶弯曲型CuO纳米线转变。以最佳工艺制得的氧化铜纳米线结构作为无酶乙醇传感电极对浓度在20~100μmol·L^(-1)范围的乙醇溶液进行检测,电极灵敏度为3.05μA·cm^(-2)/(μmol·L^(-1)),检测限为17.34μmol/L,该材料表现出较好的乙醇检测能力。

摘要： 目前二维材料,如黑磷等的低光电响应能力以及环境不稳定性严重影响了其实际使用,而导电聚合物因质轻、耐腐蚀以及优异的半导体电学和光学特性等优势,在传感器、光伏器件和场效应晶体管等领域表现出巨大的潜在应用前景。本工作通过化学氧化聚合法制备尺寸均一的聚苯胺(PAN)纳米小球,并通过溶液沉积法在氧化铟锡玻璃表面制备PAN纳米小球的光电化学工作电极,以研究其光电化学响应性能。利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表征及探讨所制备的PAN纳米小球的形貌和尺寸;利用傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)和热重分析仪(TGA)分别表征所制备的PAN纳米小球的化学结构和热稳定性;采用光电化学测试系统对所制备的PAN纳米小球进行光电化学响应性能的系统评估。结果表明:制备的PAN纳米小球尺寸均一,光电化学响应能力强(3.62μA·cm^(-2)),响应速度快(1.1 s)并赋有优异的环境稳定性,为高性能导电聚合物的光电化学纳米器件的开发提供理论基础和实际意义。

摘要： 为提高TiO_(2)光电极的光电化学性能,采用水热/溶剂热两步法在TiO_(2)纳米棒阵列上合成BiMoO/TiO_(2)异质结构。通过XRD、SEM、TEM、HRTEM、XPS、UV-Vis、PL对样品的物相、形貌、微结构、元素价态和光学性能进行分析,结果表明成功制备了BiMoO/TiO_(2)纳米棒阵列异质结构,BiMoO修饰TiO_(2)拓宽了光谱响应范围。电化学工作站测试表明,BiMoO与TiO_(2)形成异质结构有利于光生载流子的有效分离,获得了增强的光电化学性能。BiMoO/TiO_(2)异质结构(样品BMT-3)具有最大的光电流密度为2.589 mA/cm^(2),约为TiO_(2)(0.143 mA/cm^(2))的18倍,具有最大的光转换效率0.287%和最小的电荷转移电阻。能带结构表明,TiO_(2)的导带和价带电位比BiMoO的导带和价带更正。TiO_(2)和BiMoO形成的type II型能带结构与可见光的扩展吸收之间的协同作用是光电化学性能提升的内在机理。

摘要： 采用阳极氧化结合液相处理成功制备了N掺杂TiO_(2)纳米管阵列,研究N掺杂对TiO_(2)纳米管阵列光电化学性能的影响。通过X射线衍射及扫描电子显微镜表征了N掺杂TiO_(2)纳米管阵列的形貌与结构,并采用X射线光电子能谱、傅里叶红外光谱及拉曼光谱分析了N在TiO_(2)中的存在状态。采用恒电位计时电流法测试了掺杂样品在紫外光及可见光照射下的光电化学性能,并以葡萄糖为模拟有机物进行TiO_(2)(N)NTAs的光电化学检测水体有机物的研究。研究结果表明,N掺杂后样品的光电流均得到明显的提升,最优化的TiO_(2)(N40)NTAs的紫外光电流由180.4μA增加到256.8μA。对有机物的检测灵敏度由0.061μA/(μmol/L)增至0.134μA/(μmol/L)。通过对样品的光学性能、载流子复合几率及电化学性能的测试,研究了样品光电化学性能提高的机理。光响应范围的增加及光生载流子的有效分离,使得N掺杂TiO_(2) NTAs的光电化学性能得到极大的改善。

摘要： 通过水热法制备氧化铁纳米棒阵列,用溶胶-凝胶法旋涂铁酸铋对纳米棒阵列进行修饰,以半导体复合的方式提高Fe_(2)O_(3)的光电化学性能;采用XRD、SEM对复合材料进行物相、形貌表征,通过电化学工作站测试复合材料的线性伏安曲线,交流阻抗;考察复合材料光电化学性能的增强机制。结果表明氧化铁与铁酸铋复合的最佳退火温度为600°C,在该温度时,载流子浓度、光电流密度明显增大;室温下Fe_(2)O_(3)复合3层BiFeO_(3)的光电化学性能最好,光响应电流密度可以达到0.018 mA/cm^(2),比Fe_(2)O_(3)提高1.8倍;在90°C时Fe_(2)O_(3)复合3层BiFeO_(3)样品的光电化学性能最好,电流密度为0.028 mA/cm^(2),比室温时的光响应电流密度增大1倍;外加20 V电场极化时,BiFeO_(3)铁电材料复合可显著提高复合材料的光电化学性能。

摘要： 通过水热法制备氧化铁纳米棒阵列,用溶胶-凝胶法旋涂铁酸铋对纳米棒阵列进行修饰,以半导体复合的方式提高Fe2O3的光电化学性能;采用XRD、SEM对复合材料进行物相、形貌表征,通过电化学工作站测试复合材料的线性伏安曲线,交流阻抗;考察复合材料光电化学性能的增强机制.结果表明:氧化铁与铁酸铋复合的最佳退火温度为600°C,在该温度时,载流子浓度、光电流密度明显增大;室温下Fe2O3复合3层BiFeO3的光电化学性能最好,光响应电流密度可以达到0.018 mA/cm2,比Fe2O3提高1.8倍;在90°C时Fe2O3复合3层BiFeO3样品的光电化学性能最好,电流密度为0.028 mA/cm2,比室温时的光响应电流密度增大1倍;外加20 V电场极化时,BiFeO3铁电材料复合可显著提高复合材料的光电化学性能.

摘要： 以一种革兰氏阴性菌(S.oneidensis MR-1)为生物还原剂,Na2S2O3为电子受体,在氧化石墨烯(GO)表面原位合成了Ag2S/rGO纳米复合材料,对其进行了表征和光电性能测试.结果表明,细菌还原得到粒径约10 nm的Ag2S纳米粒子,均匀分布在还原氧化石墨烯(rGO)上;光电性能测试表明,与纯Ag2S相比,Ag2S/rGO纳米复合材料电极的光电流密度约提高了3倍,光生电子-空穴对的分离效率更高,表现出更加优异的光电化学性能.

摘要： TiO2是一种价格低廉、稳定的半导体材料,被广泛应用于光催化水裂解、污水处理等众多领域,但其只能吸收高能量的紫外光,限制了实际应用.本工作采用氢氟酸溶液刻蚀纯钛片,然后在一系列温度下对其进行热处理,使其表面与氧气反应生成TiO2薄膜,随后将样品置于氢气气氛下进行还原处理.通过XRD对其进行物相表征,SEM观察微观形貌,利用电化学工作站测试样品的光响应曲线、线性扫描伏安曲线以及电化学阻抗谱,并根据线性扫描伏安曲线计算出样品的光转换效率.结果表明,经过HF处理后,所形成的TiO2纳米薄膜暴露(101)晶面.同时,经过HF处理和氢气还原制备的样品的光电性能有了较大提升,光电流密度最高可达1.04 mA/cm2,是未经HF处理和氢气还原薄膜的11.5倍,是仅经HF处理薄膜的2.97倍,最大光转换效率提升了70％.该方法制备的纳米薄膜材料在光催化降解、产氢等领域具有潜在的应用价值.

摘要： 以一种革兰氏阴性菌(S.oneidensis MR-1)为生物还原剂,Na_(2)S_(2)O_(3)为电子受体,在氧化石墨烯(GO)表面原位合成了Ag_(2)S/rGO纳米复合材料,对其进行了表征和光电性能测试。结果表明,细菌还原得到粒径约10 nm的Ag_(2)S纳米粒子,均匀分布在还原氧化石墨烯(rGO)上;光电性能测试表明,与纯Ag_(2)S相比,Ag_(2)S/rGO纳米复合材料电极的光电流密度约提高了3倍,光生电子-空穴对的分离效率更高,表现出更加优异的光电化学性能。

摘要： TiO_(2)是一种价格低廉、稳定的半导体材料,被广泛应用于光催化水裂解、污水处理等众多领域,但其只能吸收高能量的紫外光,限制了实际应用。本工作采用氢氟酸溶液刻蚀纯钛片,然后在一系列温度下对其进行热处理,使其表面与氧气反应生成TiO_(2)薄膜,随后将样品置于氢气气氛下进行还原处理。通过XRD对其进行物相表征,SEM观察微观形貌,利用电化学工作站测试样品的光响应曲线、线性扫描伏安曲线以及电化学阻抗谱,并根据线性扫描伏安曲线计算出样品的光转换效率。结果表明,经过HF处理后,所形成的TiO_(2)纳米薄膜暴露(101)晶面。同时,经过HF处理和氢气还原制备的样品的光电性能有了较大提升,光电流密度最高可达1.04 mA/cm^(2),是未经HF处理和氢气还原薄膜的11.5倍,是仅经HF处理薄膜的2.97倍,最大光转换效率提升了70%。该方法制备的纳米薄膜材料在光催化降解、产氢等领域具有潜在的应用价值。

摘要： 随着能源危机及环境问题的日益尖锐,探寻廉价的清洁能源显得尤为重要.一维结构的二氧化钛(TiO2)在化学稳定性、电子传输方式等方面展示出优异的性能,从而被广泛应用于太阳能电池及光催化产氢的研究中.无毒的Bi2S3量子点具有高吸光系数(10fcn-1)、窄带隙宽度、与TiO2相匹配的能级结构等优点,利用Bi2S3量子点敏化TiO2纳米棒可显著拓宽对太阳光的吸收范围、提高吸收强度、抑制光生电子一空穴对的复合,从而提高其光电化学性能.然而,常用前驱体Bi(N03)3?5H2O易水解,量子点易光解限制了其发展.文献中报道的利用丙酮、甲醇作溶剂所制得的Bi2S3量子点稳定性不高,重复性差.利用三巯基丙酸作为稳定剂及改良的连续离子层方法可以简单制备稳定的Bi2S3量子点,复合TiO2纳米棒后可显著提高其光电化学性能.为以后在太阳能电池等方面的进一步应用提供了帮助.

摘要： 二氧化钛(TiO2)具有无毒、廉价、高化学惰性和光稳定性以及适当的能级结构等特点,被认为是一种非常具有发展前途的太阳能电池材料.但由于其禁带宽度较大,只能吸收波长小于400nm的紫外光,极大地限制了对太阳光的利用率.铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)作为一种优秀的p型四元硫族化合物半导体,具有匹配于太阳光谱的禁带宽度(1.5eV),较高的光吸收系数(＞104cm-1),环境友好且组成元素在地壳中含量丰富(Cu,50ppm;Zn,75ppm;Sn,2.2ppm)等优点,与TiO2复合后,极大地提高了TiO2光阳极的光电化学性能.利用水热法、连续离子层吸附技术以及硫气氛退火处理,成功制备了Cu2ZnSnS4/TiO2纳米棒复合阵列薄膜,并对其结构组成、光学及光电化学性能进行了详细研究.结果表明,改性后的光阳极有效地促进了光致载流子的传输,降低了电子空穴对的复合速率,从而提高了可见光吸收性能和光电化学性能.其优异的性能是由于Cu2ZnSnS4的高吸收系数和窄带隙,以及形成的type-Ⅱ型纳米异质结构.另外,用ZnS进行表面钝化可以进一步提升其光电化学性能.

摘要： 制备了形貌可控的氮化碳/三氧化钨纳米异质结薄膜,并研究了复合光催化纳米材料的光电化学性能.研究发现异质结结构高效的抑制了光生电子和空穴的复合,有效的提高了光生载流子的浓度,复合光催化纳米材料表现出优越的光催化析氢性能.

摘要： 以四氯化钛为前驱体,以ZnCl2为锌源,采用溶胶-凝胶法在纯钛基体上制备了Zn掺杂纳米TiO2薄膜(Zn-TiO2),研究了温度对Zn掺杂纳米TiO2薄膜在0.2mol/L NaSO4中的光电化学性能的影响.根据Mott-Shotty曲线可知,Zn-TiO2薄膜为n型半导体;经过300°C热处理的Zn-TiO2薄膜,导带位置最高,空间电荷层宽度W 最大.从电化学阻抗谱得到,光照下300°C热处理的Zn-TiO2薄膜电阻较暗态下降低最多.通过线性伏安曲线发现,300°C热处理的Zn-TiO2薄膜最强的光电流.

摘要： TiO2纳米薄膜材料在光伏技术和光催化方面有广泛的应用。在所有TiO2纳米薄膜中，一维单晶TiO2纳米阵列薄膜(纳米管,纳米棒和纳米线)由于可以提供光生载流子传输的直接通道，进而提高电子的传输率，而受到大家广泛的关注。但是，TiO2是一种宽带隙半导体(Eg=3.2 eV)，限制了其只能吸收紫外部分的光，而这部分的光只占整个太阳光谱的3-55％。人们发展了许多办法来拓展TiO2的光响应范围，无机窄带隙半导体敏化是最近发展的一种比较有效的方法。本文通过简单的水热方法先合成TiO2纳米线阵列，然后通过连续离子层吸附反应在TiO2纳米线阵列表面被覆一层CuInS2纳米晶，制备了TiO2/CuInS2核壳纳米线阵列结构，并研究了其光电化学性能。

摘要： 光电化学电池可以通过分解水将太阳能转化为氢能。氧化铁由于其合适的带隙(2.0～2.2eV),高含量,无毒性和好的光电稳定性,使它成为有潜在应用前景的光电极材料之一。然而由于氧化铁的导带底电势低于H+/H2的氧化还原电位,需要提供额外的偏压才能分解水。可以利用双光子系统,把光伏电池与氧化铁光阳极串联起来提供偏压,实现光分解水。在双光子体系中,光阳极要足够透明,以使得长波光子穿透光阳极,被光伏电池吸收。另外氧化铁的高电阻导致其低的光电转换效率,可以通过离子掺杂降低氧化铁电极的电阻,从而提高其光电化学性能。

摘要： 本文以CdCl2.2.5H2O为镉源，以Se粉为硒源，在苄胺体系中，180°C溶剂热条件下制备了CdSe纳米晶薄膜。并用XRD、SEM、TEM、UV-vis等对产物进行了一系列的表征,结果表明在该条件下可以得到粒径在10-20nm、较为均匀的CdSe纳米晶薄膜。同时在标准的三电极体系下，测试了CdSe纳米晶薄膜电极的光电化学性能。在光强32mW/cm2的模拟太阳光的照射下，该电极的开路电压(Voc)为0.395V，光电流密度(Isc)为0.951mA/cm2，填充因子(FF)为0.51，该电池的光电转化效率η为0.6％。

摘要： 文中以Bi(NO3)3·5H2O,(NH4)6Mo7O24·4H2O为原料制备出Bi2MoO6基体材料,再通过水热法制备出不同摩尔比AgBr-Bi2MoO6复合材料,并将粉体材料制成薄膜光电极,研究不同摩尔比AgBr-Bi2MoO6的光电化学性能.通过将粉体材料与细菌悬浮液混合在可见光下照射一段时间,采用菌落数统计来表征材料在可见光下的光催化抗菌活性.结果表明,在可见光下随着AgBr掺杂比例的增加其光电流逐渐增强,材料自身阻抗的逐渐变小,当AgBr与Bi2MoO6摩尔比为1:2时光电流最大,阻抗最小,材料光电化学性能最好.通过材料抗菌实验可知,AgBr与Bi2MoO6摩尔比为1:2时,复合材料的光催化抗菌活性最高.

摘要： 本研究以导电玻璃(FTO)为基底，采用浸渍法制备了金属氧化物(CuO、ZnO或NiO)改性WO3(MO-WO3/FTO)电极，运用X射线衍射(XBD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱分析((XPS)等手段对电极进行表征。同时以氙灯为光源，在三电极体系中对复合电极进行光电特性检测，并以苯酚模拟废水为目标污染物，考察电极的光电催化效果。结果表明，金属氧化物的负载使WO3的氧化起始电势向负方向偏移，说明MO-WO3/FTO复合电极的电催化氧化能力比WO3/FTO电极明显增强。另外，相对于纯WO3，经过金属氧化物改性的复合电极的光电流均有小同程度的增加，提高了对可见光的吸收响应性能，更有利于实现电子-空穴对的有效分离。采用不同电极作为阳极处理苯酚废水时，发现均有较好的降解效果，且MO-WO3/FTO电极的苯酚去除率比WO3/FTO电极高。

摘要： 近来TiO2基一维纳米材料异质结的制备已经受到广泛的关注，由于其能够促进电子-空穴对的分离进而提高光催化能力。钛酸盐是一种很重要的半导体材料，它己被应用到了许多领域：催化、电催化、光催化；氢传感、储存和分离；锂电池、太阳能电池。以二氧化钛纳米管为反应物和模板，采用水热反应法制备BaTiO3/TiO2，通过XRD、SEM、TEM等手段对样品的晶相、形貌等方面进行表征。相对于二氧化钦纳米管阵列，BaTiO3/TiO2表现出较强的光电流。从交流阻抗可以看出出BaTiO3/TiO2的弧半径相对于TiO2较小，表明其提高了电子-空穴的分离能力。同时，BaTiO3/TiO2在亚甲基蓝降解时，表现出较高的光催化活性。

摘要： 本发明提供了一种电化学性能测试装置，其包括：用于盛装介质的气氛池、用于放置样品的样品台、包括用于收容介质的针筒腔体、针头和活塞的针筒、参比电极、辅助电极以及连接导线。针头包括针头管壁和针头腔体。其结构简单、成本低廉并且能够有效降低缝隙腐蚀的发生几率。本发明还提供一种电化学性能测试方法，其操作简便。且在该方法中，针筒腔体内的介质从针头被推出与样品表面的待测部位接触以形成液滴，处于针头管壁和样品表面之间的缝隙处的液滴外层区由于直接接触空气而氧浓度较高，而与针头腔体连通的液滴中心区氧浓度较低，使得缝隙处的氧浓度远高于缝隙腐蚀发生所需的条件，从而抑制该缝隙处的缝隙腐蚀、实验结果更加可靠。

摘要： 本发明提供了一种电化学性能测试装置，其包括：用于盛装介质的气氛池、用于放置样品的样品台、包括用于收容介质的针筒腔体、针头和活塞的针筒、参比电极、辅助电极以及连接导线。针头包括针头管壁和针头腔体。其结构简单、成本低廉并且能够有效降低缝隙腐蚀的发生几率。本发明还提供一种电化学性能测试方法，其操作简便。且在该方法中，针筒腔体内的介质从针头被推出与样品表面的待测部位接触以形成液滴，处于针头管壁和样品表面之间的缝隙处的液滴外层区由于直接接触空气而氧浓度较高，而与针头腔体连通的液滴中心区氧浓度较低，使得缝隙处的氧浓度远高于缝隙腐蚀发生所需的条件，从而抑制该缝隙处的缝隙腐蚀、实验结果更加可靠。

摘要： 电化学发光电池(10)具有发光层(12)和配置在其各面的电极(13、14)。发光层(12)包含发光材料和离子性化合物。离子性化合物由通式(1)表示。在通式(1)中，M表示N或P。R

摘要： 本发明涉及光电化学电池100，用以尤其从水或其他基于水溶液的电解质中以光驱动方式产生氢和氧，具有层构造40中的光电层结构1和电化学层结构2，其中-为了不受电解质10影响地吸收光3，光电层结构1形成层构造40的前侧41；和-为了接纳电解质10，电化学层结构2形成层构造40的后侧42，以及-导电的和防蚀的耦合层13使光电层结构1和电化学层结构2在层构造40中彼此电接触，其中-电化学层结构2具有前电极21的电极结构和后电极22的电极结构，在其之间这样地布置离子交换层61，使得在形成集成的层构造40的情况下，离子交换层61与为转化电解质10而构造的前电极21的电极结构和/或后电极22的电极结构接触。

摘要： 本发明适用于电化学技术领域，提供了一种提升复合碳材料电化学性能的方法及电化学装置，该方法包括以下步骤：将复合碳材料涂敷于集流体上，得到电极片；所述复合碳材料包括氧化石墨烯、碳纳米管和活性炭；将电极片置于磁场强度为0.05～0.25T的磁场中。本发明通过合理调整复合碳材料中各组分的比例，可以使得复合碳材料具有较大的比表面积和较大的比容量；另外，本发明通过对复合碳材料进行外加磁场处理，使得离子和电子在洛伦兹力作用下，由无序变成有序状态，同时运动轨迹发生改变，为此可提供更多的活性位点，从而可以在提高复合碳材料的比电容的同时，又能保持其良好的倍率性能和循环性能。

摘要： 本发明公开了一种电化学性能检测系统，包括工作站和液体传输部件；工作站包括电化学池，电化学池上设置有弹性元件、第一通孔和第二通孔；弹性元件的伸缩方向与第一通孔的开口方向一致；第一通孔上设置有密封圈；第二通孔通过液体输送管道与液体传输部件连接，使得液体能够从第二通孔流入和/或流出电化学池。本发明还公开了一种光电化学性能检测系统，其包括上述电化学性能检测系统和光源部件；光源部件包括光束传导元件；光束传导元件被设置为伸入电化学池，并使得其所传导的光束通过第一通孔照射在样品上。本发明所涉及的检测系统大大解放人力，使用自动化的手段取代人工，极大地避免了人工操作引起的失误，更加可靠和稳定。

摘要： 本发明公开了一种等离子刻蚀提高BiVO4光阳极光电化学性能的方法，按照以下步骤：清洗基材后干燥——基材置于沉积室，然后在基材表面采用直流磁控溅射法沉积钒酸铋薄膜，沉积5～60min后得光催化薄膜——光催化薄膜在300‑500oC热处理2h，升温速度为1‑20oC/min——光催化薄膜送入刻蚀室，采用直流等离子法刻蚀光催化薄膜，刻蚀5‑30min后即得优化的钒酸铋薄膜。该方法不需要额外引入材料，工艺简单，功耗低且能够实现连续大尺寸制备，取材方便价格相比贵金属低，整个操作过程稳定性和可重复性好。

摘要： 本发明公开了一种电化学性能检测系统，包括工作站和液体传输部件；工作站包括电化学池，电化学池上设置有弹性元件、第一通孔和第二通孔；弹性元件的伸缩方向与第一通孔的开口方向一致；第一通孔上设置有密封圈；第二通孔通过液体输送管道与液体传输部件连接，使得液体能够从第二通孔流入和/或流出电化学池。本发明还公开了一种光电化学性能检测系统，其包括上述电化学性能检测系统和光源部件；光源部件包括光束传导元件；光束传导元件被设置为伸入电化学池，并使得其所传导的光束通过第一通孔照射在样品上。本发明所涉及的检测系统大大解放人力，使用自动化的手段取代人工，极大地避免了人工操作引起的失误，更加可靠和稳定。

摘要： 本发明公开了钴基咪唑包覆的α‑Fe2O3光阳极材料及其制备方法。本发明以导电玻璃为基底制备α‑Fe2O3并在其表面负载钴基咪唑从而形成包覆层，合成具有较高光电化学性能的复合光电极材料Co‑MIm@Sn‑Fe2O3和Co‑EIm@Sn‑Fe2O3。所述电极材料包括基底、α‑Fe2O3和钴基咪唑包覆层。所述钴基咪唑包覆的氧化铁，能够显著改善电极材料的光电化学性能，可应用于太阳能光伏电池制备、光电化学传感器构建以及光电催化水分解制氢等领域。

摘要： 本发明公开了一种高光电化学性能的氧化亚铜薄膜及其制备方法。选择可溶性铜盐、乳酸盐溶液和氢氧化钠溶液为原料配置成沉积溶液；利用三电极电化学池在导电玻璃上进行薄膜沉积；将三电极插入沉积溶液，50°C‑70°C下恒温30分钟；调节pH范围在9.0‑12.0之间，沉积时间控制在20分钟～60分钟；将得到的薄膜清洗并干燥；随后，将薄膜在120°C～150°C通风条件下除炭处理1小时，再将薄膜在250°C～400°C下退火烧结2小时。本发明制备的氧化亚铜薄膜均匀致密无开裂，且有较高的光电化学性能。