CdSe薄膜的溶剂热制备及光电化学性能测试

摘要

本文以CdCl2.2.5H2O为镉源，以Se粉为硒源，在苄胺体系中，180℃溶剂热条件下制备了CdSe纳米晶薄膜。并用XRD、SEM、TEM、UV-vis等对产物进行了一系列的表征,结果表明在该条件下可以得到粒径在10-20nm、较为均匀的CdSe纳米晶薄膜。同时在标准的三电极体系下，测试了CdSe纳米晶薄膜电极的光电化学性能。在光强32mW/cm2的模拟太阳光的照射下，该电极的开路电压(Voc)为0.395V，光电流密度(Isc)为0.951mA/cm2，填充因子(FF)为0.51，该电池的光电转化效率η为0.6％。