纳米压印
纳米压印的相关文献在2002年到2023年内共计1009篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、一般工业技术、物理学
等领域,其中期刊论文132篇、会议论文22篇、专利文献229499篇;相关期刊82种,包括西安工业大学学报、西安交通大学学报、光学精密工程等;
相关会议19种,包括第十三届全国LED产业发展与技术研讨会、中国感光学会成立30周年庆祝大会暨2011年学术年会、第十三届全国红外加热暨红外医学发展研讨会等;纳米压印的相关文献由1510位作者贡献,包括冀然、兰红波、史晓华等。
纳米压印—发文量
专利文献>
论文:229499篇
占比:99.93%
总计:229653篇
纳米压印
-研究学者
- 冀然
- 兰红波
- 史晓华
- 丁玉成
- 谷岩
- 葛海雄
- 王晶
- 徐智谋
- 易正发
- 袁长胜
- 孙堂友
- 陈延峰
- 冯开拓
- 刘文
- 张群
- 李景鹏
- 戴得恩
- 段智勇
- 刘晓成
- 康洺硕
- 曹东旭
- 林洁琼
- 刘斌
- 王庆康
- 罗刚
- 郑恭承
- 刘明
- 谷新
- 郭康
- 不公告发明人
- 刘卫军
- 刘红忠
- 张笑
- 杨彦涛
- 田旭
- 蒂莫西·布赖恩·斯塔霍维亚克
- 赵敏洁
- 赵文宁
- 陈斯
- 张琬皎
- 谢常青
- 邵金友
- 卢秉恒
- 孙洪文
- 尼亚兹·科斯纳蒂诺夫
- 屈新萍
- 李祥明
- 王亮
- 王点正
- 谭伟
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孙宝玉;
许济琛;
谷岩;
林洁琼;
李洁
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摘要:
为了解决纳米压印过程中填充率低下,压印图案易发生形变等问题,提出了一种新型振动辅助纳米压印方法。在压印过程中对压印胶施加横向的振动,增大了压印力,从而提高了填充率。运用时域有限差分法(finite difference time domain,FDTD),在波长300 nm~1000 nm范围内,数值模拟了不同光栅结构,得到了光栅结构参数变化对其吸收率的影响规律。在振动辅助装置上进行振动辅助纳米压印实验,实验结果表明:与传统纳米压印技术相比,压印胶的填充率提高了30%,并改善了压印后微结构的表面形貌,减少了缺陷。
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高晓蕾;
陈艺勤;
郑梦洁;
段辉高
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摘要:
大面积纳米压印技术是一种利用模板压印方法大规模制备大面积微纳米结构的图形化技术,具有重复性好、成本低及结构分辨率高等优点。对各类聚合物及介质的快速结构成型使得大面积纳米压印技术在制备微纳光学、光电器件方面具有独特的优势,可应用于发光二极管、显示器、增强现实光波导及微流控芯片等众多领域,并在纳米技术商业化中发挥关键作用。首先对纳米压印技术进行介绍,然后从大面积纳米压印技术、大面积压印模板制备、大面积纳米压印技术的器件应用及其前景与挑战四个方面来介绍大面积纳米压印技术。
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刘演龙;
陶伟琪;
陈云友
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摘要:
为实现小口径弹药引信MEMS安全系统小型化,并在高过载环境条件下可靠应用,以柔性材料PDMS为主体进行引信安全系统结构设计。通过COMSOL软件建立模型和仿真,验证悬臂梁式后坐保险机构可靠性,同时结合MEMS纳米压印技术进行小口径弹药的柔性安全系统的工艺设计。
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刘双飞;
肖家军;
张蓓;
彭新村;
邹继军;
邓文娟
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摘要:
近年来,半导体纳米阵列结构材料因能激发光学共振及其优良的光电性能在光电子器件领域被广泛的应用。本文采用纳米压印技术制备具有一定直径和周期的SiO_(2)纳米柱作为掩膜层,采用ICP刻蚀制备了GaAs纳米柱阵列,重点研究了不同刻蚀条件处理工艺对纳米柱阵列形貌的影响,与表面无纳米结构的薄膜材料相比,其反射率得到明显的降低且最低约为3%,因此纳米阵列结构能有效的增强光吸收,具有极其优良的光电性能。
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刘亚梅;
马海航;
谷岩;
黄洲;
张顺
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摘要:
针对纳米压印过程中压印胶填充率低导致图案转移质量不佳,压印力过大损坏模板表面形貌等问题,提出一种基于压电驱动低频、低幅的振动辅助纳米压印方法制备光栅结构。在压印时施加横向一维振动,减小纳米压印过程中所需的压印力,提高压印胶对模板空腔的填充率。为研究双面光栅薄膜的周期变化对透射率的影响规律,运用时域有限差分法在波长500~1500 nm范围内对不同周期参数的双面光栅结构进行仿真分析,得到周期参数变化对透射率的影响规律。在研制的振动装置上进行振动辅助纳米压印实验,并对制备出的双面光栅结构进行表面形貌表征以及透射率检测。实验结果表明,与无振动纳米压印技术相比,压印胶填充率显著提高,并改善了图案转移质量,减少大面积表面缺陷。在波长500~1500 nm范围内,涂覆振动辅助纳米压印制备的双面光栅薄膜的SiO_(2)比传统纳米压印制备的双面光栅薄膜的SiO_(2)平均透射率提高4%,较无薄膜的SiO2平均透射率提高6%。
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陶家顺;
许卫锋;
陈旭镪
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摘要:
传统偏光片技术所制备的是外置型偏光片,由于其贴附于显示屏表面,使显示器的厚度增加,透光率下降.为了满足对偏光片薄型化、高透过率、低成本以及柔性显示等要求,开发内置型偏光片成为新型显示特别是柔性显示发展的一个重要方向,其中作为内置型偏光片的主流技术的光控取向和纳米压印技术,由于其无静电、无粉尘污染、更精确可控微小区多筹取向能力以及低成本、大面积制备的优点,在显示领域备受关注.本文重点综述了近几年利用光控取向和纳米压印两种制造技术在内置偏光片中的开发与应用进展,并对目前该两种技术仍存在的问题进行了讨论,为内置偏光片的工业化生产提供思路.
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杨玉山;
沈华杰;
邱坚
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摘要:
采用纳米压印技术与硅烷化接枝改性处理相结合的方法,将遗态材料茭草叶表面的微纳米槽棱构筑于木材表面,得到遗态仿生各项异性超疏水木材.通过SEM、EDS、XRD、FTIR以及WCA对试样的微观形貌、化学元素组成、表面化学状态以及润湿性进行表征.结果表明:遗态仿生各向异性超疏水木材表面具有与茭草叶类似的微观形貌;其水接触角为158°,表现出超疏水性能;此外,其表面的水滴在翻转至垂槽方向时,水滴粘附在试样表面没有滴落,而平槽方向上水滴迅速滚落,表现各项异性.同时,经不同温度蒸煮处理后对其稳定超疏水性进行了测试,结果表明其水接触角均大于150°,仍具有超疏水特性,制备的超疏水木材表面具有耐久性与耐候性.
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姜玉婷;
张毅;
胡跃强;
郭晓明;
宋强;
段辉高
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摘要:
增强现实技术是一种将虚拟环境信息叠加在真实世界中并加以有效利用的一种新型显示技术,在教育、医疗、旅游、汽车、建筑等领域有广阔的应用前景.增强现实近眼显示设备是增强现实技术的重要组成部分,而光波导是实现增强现实近眼显示设备高性能与微型化等特性的核心光学元件.光波导主要分为几何光波导和衍射光波导,几何光波导原理简单,其制备技术较为完善并且可以实现量产,但视场角与出瞳范围较小、制备工艺复杂;衍射光波导则具有极高的设计自由度及优良的性能,但成像时存在的彩虹效应与色散等问题仍待解决.本文综述了不同类型光波导的设计和制备技术,分析了几何光波导和衍射光波导在原理、结构参数、性能评价和制备流程等方面的表现,最后总结了目前增强现实近眼显示技术所面临的挑战,并对未来的发展前景进行展望.
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曹海燕
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摘要:
纳米压印是为应对半导体行业越来越高的芯片元件集成度而产生的高新技术,因其制造成本低、图形精确、生产率高等优势成为纳米领域的研究热点.残余层厚度作为大面积纳米压印光刻紫外固化工艺的重要参数,直接影响刻蚀工艺和基片的完整度.尝试通过改变旋涂转速和纳米压印胶的固体含量,来优化残余层厚度.通过实验与分析,给出了压印胶种类、转速及残余层厚度的优化方案,并且没有胶体收缩现象发生,为后续大面积复合纳米压印研究提供了工艺参数基础.
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段智勇
- 《第十二届设计与制造前沿国际会议(ICFDM2016)》
| 2016年
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摘要:
纳米压印技术是一种1×掩模板压入流体介质实现图形转移的方法,20年来因其高分辨率、高保真度、高产量、低成本等技术特点获得广泛关注.压印力的均匀性和介质流体对掩模板图形间隙的填充度是纳米压印技术关键的性能参数,利用气体压缩式施压方式具有高度的均匀性,而且避免了充气流产生的紊流、扰动对压印力均匀性影响,是对气体施压方式的优化.假塑性流体存在剪切力作用时,流体粘度变稀,更有利于介质对掩模板图案间隙的填充,提高图形转移保真度.本项目旨在获得气体压缩式施压和假塑性流体作为图形转移介质在纳米压印中的应用,为纳米压印新施压方法和新的图形转移介质提供基础理论和方法的指导.
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蒋盛翔;
陈志忠;
冯玉龙;
焦倩倩;
严通行;
张立胜;
李俊泽;
李诚诚;
陈怡帆;
于彤军;
张国义
- 《第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议》
| 2015年
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摘要:
目前,图形化蓝宝石衬底(PSS)广泛应用于GaN基发光二极管(LED)的生产.它能够同时提高GaN基LED的内量子效率(IQE)和光提取效率(LEE).有报道指出,火山口型PSS(VPSS)具有更多的侧面面积和侧向生长面积,相比于圆锥型PSS而言,具有更高的光提取效率.采用纳米压印与湿法腐蚀相结合的方法制备VNPSS,并且探究了VNPSS的形成过程。VNPSS晶面的形成受到热力学过程和表面反应过程的共同作用。所制备的VNPSS,其形成的晶面有利于光的提取。而且,相对于圆锥型和圆台形的NPSS而言,VNPSS在生长GaN的过程中具有更大面积的侧向生长,更容易形成空洞,进一步增加光提取效率。
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魏慧芬;
王莉;
王权岱;
周洁;
丁玉成
- 《2011年全国半导体光源系统学术年会》
| 2011年
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摘要:
在基于莫尔条纹相位匹配的纳米压印对准方案中,因阻蚀胶引入引起莫尔条纹图像对比度下降,进而导致对准精度下降。针对这一问题,提出利用优化的标记材料制备光栅标记来提高莫尔条纹图像对比度的方法。通过二维时域有限差分计算,对模板及基底上采用的光栅标记材料进行优化,得到模板和基底标记的材料折射率分别为1.8-2.0和2.7时,莫尔条纹图像对比度得到最大值。根据上述分析,优化的光栅标记材料定为:模板光栅标记为折射率2.0的ITO;基底光栅标记为折射率2.7的Cr。实验结果表明:在光栅副的间隙介质分别为折射率1.6的阻蚀胶和折射率1.3的水时,采用优化材料的光栅标记得到的莫尔条纹图像的对比度比原标记分别提高了11.92%和4.66%。
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