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公开/公告号CN101923282B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-01-25
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;
申请/专利号CN200910108044.5
发明设计人 朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;
申请日2009-06-09
分类号
代理机构
代理人
地址 100084 北京市海淀区清华园1号清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
入库时间 2022-08-23 09:08:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-01-25
授权
2011-02-02
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/00 申请日:20090609
实质审查的生效
2010-12-22
公开
机译: 纳米压印抗蚀剂,纳米压印模具和纳米压印光刻
机译:纳米压印光刻中抗蚀剂时间演变曲线的压力和抗蚀剂厚度依赖性
机译:新型有机可光固化纳米压印抗蚀剂“ MR-NIL210”使用基于PDMS的软印章进行大批量加工的方法
机译:紫外线固化抗蚀剂的纳米狭窄行为及其与纳米压印光刻图案化缺陷的相关性
机译:在纳米压印光刻中增强抗蚀剂扩散的新型抗蚀剂系统
机译:纳米压印光刻胶的抗蚀剂和压印的孔膜的物理化学表面相互作用。
机译:使用具有各种微/纳米比的印模进行的紫外线纳米压印光刻的抗蚀剂填充研究
机译:新型有机光固化纳米压印抗蚀剂«mr-NIL210,适用于大批量生产,采用柔软的pDms印章
机译:采用软纳米压印光刻技术制备的超均匀位点控制量子点阵列