器件应用

摘要： 大面积纳米压印技术是一种利用模板压印方法大规模制备大面积微纳米结构的图形化技术,具有重复性好、成本低及结构分辨率高等优点。对各类聚合物及介质的快速结构成型使得大面积纳米压印技术在制备微纳光学、光电器件方面具有独特的优势,可应用于发光二极管、显示器、增强现实光波导及微流控芯片等众多领域,并在纳米技术商业化中发挥关键作用。首先对纳米压印技术进行介绍,然后从大面积纳米压印技术、大面积压印模板制备、大面积纳米压印技术的器件应用及其前景与挑战四个方面来介绍大面积纳米压印技术。

摘要： 近年来,随着物联网、仿生机器人、移动式医疗健康等领域的兴起,柔性电子材料和器件受到广泛关注.基于磁性材料构建的传感器和存储器是电子器件的重要组成部分.随着柔性薄膜材料制备技术的发展,人们已经制备出高质量的柔性乃至可拉伸的磁性金属和氧化物薄膜,它们展现的不仅是更强的变形能力,还有新的物理效应与响应规律.研究结果表明,柔性磁电子器件在非接触传感、高灵敏应变探测、超分辨触觉感知等方面展现出独特的优势,具有广阔的应用前景.本文主要从柔性磁性材料的制备、物性调控规律和器件应用方面综述这一新兴领域的发展动态,并对其未来的发展趋势进行展望.

摘要： (K,Na)NbO_(3)(KNN)基无铅压电陶瓷作为一种环境友好型材料,兼具较高的居里温度和可调控的相界结构,在压电器件领域展示出潜在的应用前景,引起了广泛关注和大量研究。对其物相组成、制备工艺、性能调控等方面的研究进展进行了评述,并重点介绍了其在压电器件领域的实际应用,最后对KNN及其在器件应用方面未来的研究和发展方向进行了总结展望。

摘要： 自旋交叉配合物[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)在室温附近表现出较宽的温度磁滞现象,在光热开光、信息显示以及数据存储等方面具有潜在的应用,是目前自旋交叉领域最值得关注的配合物之一。本文主要从材料合成方法、性能影响因素以及器件应用等方面对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)分子材料近十年来的研究进展进行了系统的介绍。[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的合成方法主要有简单混合和反相胶束法,此外为了消除合成过程中的分子团聚,通常在反应体系中引入具有较大比表面积的分散基质,比如介孔二氧化硅、氧化石墨烯等;自旋交叉性能的影响因素主要包括表面活性剂、分子内的结晶水、外部压强、热退火以及机械球磨等;器件应用方面主要从[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)分子薄膜的制备出发,讨论了相关的器件应用进展。最后,本文对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的最新研究进展进行了总结,并对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的未来发展趋势进行了展望。而[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的新型薄膜制备工艺可以为相关器件制备打下扎实的基础,从而推动自旋交叉配合物的应用发展。

摘要： 2010年,曼彻斯特大学两位科学家基于石墨烯的开创性研究获得诺贝尔物理学奖,这激励着无数专家、学者进行开创应用研究。围绕石墨烯在电子学领域应用的主线,瞄准石墨烯单晶制备和器件应用的关键难题,系统开展石墨烯材料制备和调控研究,中科院上海微系统所谢晓明研究员团队完成了《高质量石墨烯电子材料制备研究》项目,在高品质石墨烯电子材料制备方面取得多项突破,荣获2019年度上海市自然科学一等奖.

摘要： 自旋交叉配合物[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)在室温附近表现出较宽的温度磁滞现象,在光热开光、信息显示以及数据存储等方面具有潜在的应用,是目前自旋交叉领域最值得关注的配合物之一.本文主要从材料合成方法、性能影响因素以及器件应用等方面对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)分子材料近十年来的研究进展进行了系统的介绍.[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的合成方法主要有简单混合和反相胶束法,此外为了消除合成过程中的分子团聚,通常在反应体系中引入具有较大比表面积的分散基质,比如介孔二氧化硅、氧化石墨烯等;自旋交叉性能的影响因素主要包括表面活性剂、分子内的结晶水、外部压强、热退火以及机械球磨等;器件应用方面主要从[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)分子薄膜的制备出发,讨论了相关的器件应用进展.最后,本文对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的最新研究进展进行了总结,并对[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的未来发展趋势进行了展望.而[Fe(Htrz)2(trz)](BF4)的新型薄膜制备工艺可以为相关器件制备打下扎实的基础,从而推动自旋交叉配合物的应用发展.

摘要： 以Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-PbTiO_(3)(PMN-PT或PMNT)为代表的弛豫铁电单晶具有远高于常用锆钛酸铅Pb(Zr_(x) Ti_(1-x))O_(3)(PZT)陶瓷的压电性能,引起了基于新一代压电单晶的功能器件研究热潮。本研究团队在国际上率先利用Bridgman方法生长出了大尺寸、高质量PMN-PT等弛豫铁电单晶(d_(33)~2000 pC/N,k_(33)~92%),并对PMN-PT等弛豫铁电单晶的生长、多层次微观结构和性能调控进行了多方面的研究,发现弛豫铁电单晶不仅具有超高压电性能,还具有突出的热释电性能、电光性能以及与磁致伸缩材料复合形成磁电复合材料的超高磁电耦合性能。本研究团队多年来一直在努力推动弛豫铁电单晶在医用超声换能器、热释电红外探测器、电光器件、磁电型弱磁传感器等各种器件的应用研究。本文主要总结了弛豫铁电单晶的多功能特性,并介绍了本研究团队在弛豫铁电单晶器件应用上的研究结果。

摘要： 钛宝石(Ti:Al_(2)O_(3))激光晶体具有高硬度、高热导、宽带吸收、宽带发射等性能特点,广泛应用于可调谐、高功率和超快激光领域。近年来,钛宝石晶体的生长技术、基础理论分析和器件化应用都得到了极大的发展,对其进行的研究也越来越深入、广泛。综述了钛宝石晶体材料研究和应用的主要进展。

摘要： 9月27日上午11时34分,与会人员来到枣庄市中区金顺怡智能制造产业园项目观摩。该项目由深圳市金顺怡电子有限公司投资建设,是专业从事变压器研究、开发、生产的高新技术企业.公司拥有发明专利12项,与清华大学、华中科技大学等院校建立产学研合作,共同成立了高频磁性器件应用实验室,致力成为国内领先的磁性元器件创新解决方案提供商。

摘要： BiScO3-PbTiO3(BSPT)是一种新型钙钛矿结构压电材料,兼具高居里温度、高压电活性的优点,可用于构建高温极端环境中工作的高性能压电器件.结合本课题组的研究工作,从晶体结构、改性方法、制备技术等方面评述了BSPT材料的研究进展,重点阐述了不同材料体系的组分设计思路及相关高温压电器件应用,并对其发展方向进行了展望.

摘要： 提出一种光电子器件（10），所述光电子器件包括壳体（1）、发射辐射的半导体芯片（2）和探测辐射的半导体芯片（3）。在壳体中构成第一腔（4a）和第二腔（4b），其中发射辐射的半导体芯片（2）设置在第一腔（4a）中并且借助于第一浇注料（5a）来浇注。探测辐射的半导体芯片（3）设置在第二腔（4b）中并且借助于第二浇注料（5b）来浇注，其中在第二浇注料（5b）中嵌入吸收颗粒，所述吸收颗粒适合于至少部分地吸收由发射辐射的半导体芯片发射的辐射。此外，提出这种器件（10）的应用和一种用于制造所述器件的方法。

摘要： 本发明公开了一种液晶器件及金属氧化物纳米颗粒在液晶器件中的应用，该液晶器件包括液晶混合物，液晶混合物包括主体液晶和金属氧化物纳米颗粒。通过以上方式，在液晶器件中掺杂金属氧化物纳米颗粒，当向液晶器件施加电压时，金属氧化物纳米颗粒两端发生极化，改变其表面电荷分布，进而捕获液晶中的离子杂质，达到降低液晶中的离子污染目的。由此，可有效解决液晶中被离子杂质困扰的不良现象，提升液晶器件的使用寿命；并且可降低液晶器件的阈值电压，提升响应速度。

摘要： 本发明提出一种光电子器件（10），所述光电子器件包括壳体（1）、发射辐射的半导体芯片（2）和探测辐射的半导体芯片（3）。在壳体中构成第一腔（4a）和第二腔（4b），其中发射辐射的半导体芯片（2）设置在第一腔（4a）中并且借助于第一浇注料（5a）来浇注。探测辐射的半导体芯片（3）设置在第二腔（4b）中并且借助于第二浇注料（5b）来浇注，其中在第二浇注料（5b）中嵌入吸收颗粒，所述吸收颗粒适合于至少部分地吸收由发射辐射的半导体芯片发射的辐射。此外，提出这种器件（10）的应用和一种用于制造所述器件的方法。

摘要： 本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种应用于显示器件的导电油墨及其制备方法、显示器件。本申请提供了显示器件，包括第一基板、第二基板、疏水化电极和电泳显示液；其中导电油墨包含导电成分为疏水化改性的碳纳米管、分散剂、导电油墨用增稠剂、流平剂和溶剂。导电油墨涂布在第一基板的底面，使得第一基板的底面设有疏水化电极；导电油墨涂布在第二基板的底面，使得第二基板的底面设有疏水化电极；本申请的导电油墨应用在电子纸电泳显示器件的电极，其中的导电性填料起到界面改性的效果，有效解决现有的电泳粒子容易吸附和团聚在电极上，粒子受电场运动不充分，无法正常被驱动导致的显示效果变差的技术问题。

摘要： 本发明公开了一种碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用，在碳化硅基底层的一侧形成第一掩膜层，进行第一次注入形成阱区，其中，碳化硅基底层为第一导电类型，阱区为第二导电类型，第一导电类型与第二导电类型的导电类型相反，第一掩膜层的厚度为0.1μm～10μm；向阱区进行第二次注入第一导电类型的材料，形成第一源区，其中，注入时与法线的角度为10°～70°。上述碳化硅半导体器件制备方法通过调整掩膜层厚度及注入角度的方法形成所需宽度短沟道，掩膜层的厚度以及注入角度的控制均可以通过设备的工艺参数精确控制，即所需沟道长度可以通过调节工艺参数实现可控，可以提高制备所需沟道碳化硅半导体器件的可控性以及稳定性。

摘要： 本发明涉及一种用于接通电流限制的电子器件（1），其具有：至少一个NTC元件（2）和至少两个导电的接触元件（3），其中所述NTC元件（2）经由连接材料（7）与相应的接触元件（3）导电连接，并且其中所述相应的接触元件（3）的热膨胀系数与所述NTC元件（2）的热膨胀系数匹配。本发明还涉及电子器件（1）的应用。

摘要： 本发明提供一种化合物及其应用，所述化合物具有式I所示的结构，当将本发明的化合物用作有机电致发光器件中，特别是作为空穴传输层材料时，可以有效提高器件电流效率达到最佳的效果，而且可以提供非常好的寿命特性。

摘要： 本发明提出一种半导体制冷器件及应用半导体制冷器件的装置，半导体制冷器件包括半导体制冷器本体，半导体制冷器本体由散热装置、排冷装置和制冷装置组成，散热装置包括散热器，散热器导热片组成，排冷装置包括导冷块，导冷块由导冷片组成，制冷装置包括半导体制冷片，通过过硅脂涂抹装置对硅脂进行涂抹，通过升降块将限位环向上移动，使抹限位环对导热铜板进行限位，防止在对硅脂进行涂抹时，硅脂沾染到其他器件上的问题，在涂抹限位环内部进行涂抹，使涂抹更加均匀，硅脂加快了能量的传导和制冷速度，第一固定柱和第一通孔，第一卡槽和第二卡槽通过固定卡合方式连接更加牢固，方便拆卸，排冷风扇加快冷气输送速度，制冷效率更加高效，排热风扇对热气进行输送，延长散热器的使用时间。

摘要： 本发明提供了竹节壁在光热转换水蒸发器件方面的应用。本发明结合竹节壁力学稳定性和孔道的水输运特性，利用通常被废弃的竹节壁，将其应用于光热转换水蒸发净化器件，设计制备了生物质基光热转换水蒸发净化器件，并展现了极好的结构稳定性、水蒸发效率和效率稳定性。本发明基于天然竹节的独特的维管束排布特点，充分利用其卓越的力学稳定性和水输运特性，具有多功能一体化集成的特点，得到了环境友好、可持续、高效率的光热转换水净化装置，无需复杂的实验步骤，无需去除木质素，制备过程高效、低能耗，无论从环境影响的角度、还是效能的角度来说，器件都将能应对淡水缺乏的挑战。

摘要： 本发明公开了一种光学器件、光学器件的制备方法及其应用。光学器件包括相对设置的第一基板、第二基板及位于第一基板和第二基板之间的液晶与聚合物混合层；液晶分子自组装形成环面焦锥畴阵列；液晶与聚合物混合层形成聚合物稳定的液晶微透镜阵列。本发明将功能性聚合物网络引入到近晶相中，使得形成的环面焦锥畴微透镜阵列可以稳定存在于整个向列相温度范围内，结合向列相液晶对外场的良好响应性，可实现其焦距的灵活调节与开关切换功能，克服了近晶相下不可电调的特性。本发明公开的聚合物稳定液晶微透镜阵列基于自组装方式形成，相比于现有其他技术，其制备工艺简单，简化了液晶微透镜阵列的制作流程，同时大大降低了微透镜器件成本。