压电性能

摘要： 背景:有文献指出电刺激可以促进骨再生,具有生物电活性的压电材料可以应用于骨组织工程中。目的:研制一种能促进骨组织再生的压电薄膜材料,表征其对MC3T3-E1细胞黏附、增殖和成骨分化能力的影响。方法:以聚乳酸为原料,加入一定质量比例(0%,5%,10%,20%,30%,40%)的压电陶瓷钛酸钡,选择二氯甲烷为溶剂,通过溶液浇铸法制备钛酸钡/聚乳酸复合薄膜材料,电晕极化处理前后,表征其表面形貌、晶相构成、亲水性、压电性能,筛选出理化性能较优的材料。将极化处理前后的0%,20%钛酸钡/聚乳酸复合薄膜材料分别与MC3T3-E1细胞共培养,检测细胞的增殖、黏附与成骨分化能力。结果与结论:①扫描电镜、X射线衍射、水接触角实验及压电电常数检测结果显示,当加入20%的压电陶瓷钛酸钡时,极化处理的复合薄膜材料具有良好的理化性能,极化后压电常数d33达到(7.03±0.26)pC/N,处于骨组织正常压电范围;②CCK-8实验结果显示,培养第4天时,极化20%组细胞增殖活性高于未极化20%组(P<0.05);培养第7天时,极化20%组细胞增殖活性高于空白对照组、未极化0%组和未极化20%组(P<0.05);③荧光显微镜与扫描电镜下可见,极化20%组细胞呈多边形且伪足明显,较未极化20%组、极化0%组和未极化0%组体现出更好的细胞黏附能力;④碱性磷酸酶活性检测结果显示,培养第4天时,极化20%组的碱性磷酸酶活性高于未极化0%组、未极化20%组(P<0.05);培养第7天时,极化20%组的碱性磷酸酶活性高于未极化0%组、未极化20%组、极化0%组(P<0.05);⑤结果表明,钛酸钡/聚乳酸复合压电薄膜材料具有较好的压电性能和细胞相容性。

摘要： 以Na_(2)CO_(3)、K_(2)CO_(3)、Li_(2)CO_(3)、Nb_(2)O_(5)和GeO_(2)为原料,通过常规固相反应法制取掺杂0.5wt%GeO_(2)的(K_(0.5-x/2)Na_(0.5-x/2)Li_(x))NbO_(3)(KNLN)(x=0.05、0.055、0.06、0.065、0.07、0.075、0.08、0.085)无铅压电陶瓷。采用X射线衍射(XRD)、阻抗谱(IS)和扫描电子显微镜(SEM)研究烧结助剂GeO_(2)对(K_(0.5-x/2)Na_(0.5-x/2)Li_(x))NbO_(3)陶瓷致密度、相组成、显微结构和电性能的影响。结果表明:GeO_(2)的加入有效地降低烧结温度,烧结发生在920~1025°C的较宽温度范围内;除x=0.085外,所有陶瓷均能良好烧结并具有纯钙钛矿结构;当LiNbO_(3)的含量小于0.07时,随着LiNbO_(3)含量的增加,居里温度T_(C)逐渐升高,正交-四方相的转变温度T_(O-T)逐渐降低;当LiNbO_(3)的含量等于0.07时,正交-四方相的转变温度T_(O-T)降至室温,压电性能较好。

摘要： 弛豫铁电单晶Pb(In_(1/2)Nb_(1/2))O_(3)-PbTiO_(3)(PIN-PT)相较于常用的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-PbTiO_(3)(PMN-PT)具有更高的居里温度,在高稳定性、高性能的传感器、换能器方面具有应用前景。本工作采用谐振法研究了[001]方向极化的0.66PIN-0.34PT铁电单晶的全矩阵机电性能参数。0.66PIN-0.34PT单晶的三方-四方相变温度(TRT)约为160°C,居里温度(TC)约为260°C,室温压电系数d_(33)、d_(31)、d_(15)分别为1340 pC/N、-780 pC/N、321 pC/N,介电常数εT33、εS33、εT11、εS11分别为2700、905、2210、1927,机电耦合系数k33、k31、k15、kt分别为87%、58%、38%、61%。其纵向压电常数(d33)和纵向机电耦合系数(k33)小于PMN-PT单晶,但是横向压电性能(d31)和剪切压电性能(d15)都略高于PMN-PT单晶。另外,研究了机电耦合性能随温度的变化趋势,发现0.66PIN-0.34PT单晶在150°C以下有较好的温度稳定性。

摘要： 为提高聚偏氟乙烯(PVDF)的β相含量以增强其压电性能,以PVDF为溶质、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和丙酮作为溶剂,通过优化静电纺工艺参数来达到目的。选择溶液浓度、纺丝电压、溶剂配比(DMF与丙酮的体积比)、纺丝速度以及纺丝距离作为影响因素,设计了正交试验,研究分析影响因素对PVDF纤维膜的β相含量以及纤维的微观形貌的影响。利用扫描电子显微镜观察纤维微观形貌,傅里叶变换红外光谱定量计算PVDF纤维膜的β相含量,并通过正交试验优化出最佳工艺参数为:纺丝电压为15kV、纺丝浓度为15%、溶剂配比(DMF与丙酮体积比)为6∶4、纺丝速度为0.5mL/h、纺丝距离为15cm,在该条件下,制备出的PVDF纤维膜质量较好、纤维粗细分布均匀,其β相含量为82.7%,直径变异系数(C;值)为0.236。

摘要： 本文通过一步反应合成法制备了铌镁-锆钛酸铅(Pb(Mg_(1/3) Nb_(2/3))O_(3)-Pb(Zr,Ti)O_(3),PMN-PZT)压电陶瓷,研究了稀土元素钐(Sm)掺杂对PMN-PZT(x%(摩尔分数)Sm-PMN-PZT)结构与电学性能的影响规律,得到了具有高压电性、高机电耦合系数和高居里温度的压电陶瓷。当x=2.0时,压电常数d_(33)=611 pC/N,机电耦合系数k_(p)=0.68,介电损耗tanδ=1.65%,相对介电常数ε_(r)=2650,居里温度T_(C)=283°C。测试压电陶瓷电致应变性能,在3 kV/mm下单极电致应变达到0.20%,显示出其大应变材料的特征。结果表明,Sm掺杂PMN-PZT压电陶瓷具有优异的综合电学性能,有望在换能器、传感器以及致动器等领域广泛应用。

摘要： 针对新一代声波测井仪器对其核心元件压电陶瓷兼具高居里温度、高压电系数以及高稳定性要求的迫切需求,本文采用传统的固相反应-无压烧结技术制备了一种0.06BiYbO_(3)-0.94Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_(3)(BY-PZT)三元系压电陶瓷,并研究了四种氧化物掺杂对其微观结构及电学性能的影响。由XRD和SEM表征可知所有样品均呈纯四方相钙钛矿结构,掺杂Cr_(2)O_(3)的样品平均晶粒尺寸最大。介电温谱和谐振频谱研究证实四种氧化物掺杂均能提高其介电性能的温度稳定性。掺杂La_(2)O_(3)的样品介电常数温度系数(Tk_(ε))最低,掺杂MnO_(2)的样品机械品质因素(Q_(m))最高,而掺杂CeO_(2)的样品抗热退极化性能最好。高温复阻抗(Cole-Cole图)分析表明,Cr_(2)O_(3)掺杂能够显著提高BY-PZT陶瓷的高温电阻率,陶瓷在高温下的电导行为主要由晶界响应控制。综合来看,掺杂La_(2)O_(3)的样品兼具高居里温度(T_(C)=397°C)和高压电系数(d_(33)=290 pC/N),并且在300°C退火4 h后d_(33)仍能保持在270 pC/N左右,有望在极限工作温度为300°C的高温压电器件中获得应用。

摘要： 采用固相法制备(0.21+y-x)PNN-x PMN-(0.79-y)PZT,x=0.01、0.02、0.04、0.06、0.08、0.10,y=0.02、0.04、0.06、0.08、0.11、0.14、0.17、0.20压电陶瓷.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM),测试陶瓷的压电常数(d_(33))、相对介电常数(ε_(r))及介质损耗(tanδ),研究PNN、PMN组元含量对陶瓷样品物相调控、微观形貌、介电压电性能的影响.结果表明,在PNN-PMN-PZT体系中,PMN组元能够调控陶瓷晶型,PNN组元可以细化晶粒,还可以适当降低陶瓷烧结温度;当x=0.08、y=0时,烧结温度为1190°C时,d_(33)=656 pC/N、ε_(r)=1978、tanδ=0.0144,压电性能较PMN-PZT陶瓷有较大提升;当x=0.08、y=0.02,烧结温度为1070°C时,d_(33)=534 pC/N、ε_(r)=1472、tanδ=0.0173,压电性能与PMN-PZT相当,烧结温度降低近200°C,为内电极贱金属化,实现低温叠层共烧结提供参考.

摘要： 采用固相反应法制备不同锆含量的锆钛酸钡钙(BCTZ_(x))的粉体,然后通过常压固相烧结制备BCTZ_(x)陶瓷。利用扫描电子显微镜,X衍射分析仪,压电与介电测试仪测量粉体及陶瓷的形貌、相结构及电学性能。结果表明,在研究涉及的不同锆掺量内,体系均为单一的立方相结构,掺杂没有引起结构相的改变;BCTZ_(0.05)陶瓷样品的致密度最大,压电常数最大为194 pC/N;BCTZ_(0.15)陶瓷样品的相对介电常数最大为7367,介电损耗最小为0.012。

摘要： 目前,人工骨由于力学性能不佳在应用上受到极大的限制,因此,如何在保证人工骨具有压电性能和生物性能的前提下提高其力学性能成为了研究热点。本文以钛酸钡-羟基磷灰石(BT-HA)复合材料为基体,质量分数为5%的碳纤维(C_(f))作为增强体,利用传统固相烧结法制备了C_(f)/BT-HA复合材料,目的是在保证电学性能不变的前提下提高复合材料的力学性能。结果表明,BT-HA复合材料中加入C_(f)后,电学性能基本保持不变,力学性能得到了很大的提升。样品具有较好的铁电性,压电常数d;为37 pC/N,居里温度为170°C,高于人工骨的使用温度。抗弯强度达到121.7 MPa,硬度达到3.56 GPa,均增大到未加C_(f)样品的3倍,断裂韧性增加了1倍,达到1.21 MPa·m^(1/2)。C_(f)/BT-HA复合材料没有细胞毒性且骨诱导性良好,有望应用于骨替代材料领域。

摘要： 通过传统固相法合成了Bi_(7)Ti_(4.5-x)Mn_(x)W_(0.5)O_(21)(BTW-BIT-x Mn)共生铋层状结构陶瓷,并对其结构和电学性能进行了系统的研究。XRD和SEM结果显示,所有组分均形成单一的铋层状结构陶瓷,并且Mn离子掺杂抑制了晶粒的长大。适量的Mn离子掺杂能使陶瓷样品的电学性能提升,并且在Bi_(7)Ti_(4.45)Mn_(0.05)W_(0.5)O_(21)样品获得最优的电学性能,其压电常数d_(33)高达19.3 pC/N,居里温度提升至701°C,在500°C电阻率高达2.1×10^(8)Ω·cm。通过Bi_(7)Ti_(4.5-x)Mn_(x)W_(0.5)O_(21)样品的退火曲线分析,Mn离子掺杂后的样品在550°C时,都保持了初始值80%以上,说明具有该材料具有良好的热稳定性。所有研究结果表明BTW-BIT-xMn陶瓷在高温压电领域运用有很大的潜力。

摘要： 采用传统陶瓷工艺制备了0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05CaZrO3无铅压电陶瓷.研究了烧结温度和极化工艺对陶瓷压电性能的影响.结果表明:随着烧结温度的提高,0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05CaZrO3陶瓷的体积密度增大,在1170°C时达到最大值,同时d33和kp,在此温度也分别达到他们的最大值210pC/N和0.40.极化工艺对0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05CaZrO3陶瓷的压电性能有明显的影响,0.95(K0.5Na0.5)NbO3-0.05CaZrO3陶瓷的最佳极化温度是70°C,最佳极化电场是4kV/mm.

摘要： 利用传统的电子陶瓷制备工艺制备了(K0.45Na0.55)(Nb0.95Sb0.05)O3(KNNS)无铅陶瓷.研究了该陶瓷的微结构,重点探讨了极化条件对其压电性能的影响.研究结果表明,KNNS陶瓷具有纯的钙钛矿结构,其三方-正交相、正交-四方相、四方-立方相转变温度分别为-52°C、125°C、299°C.该陶瓷具有好的铁电性能,其剩余极化强度Pr和矫顽场Ec分别为25.3μC/cm2和9.9kV/cm.更重要的发现是:当极化温度为20～80°C、极化电压大于1.5kV/mm、保压时间大于5min时,该陶瓷具有最优的压电性能,其d33值高达177pC/N.因此,通过对KNNS极化条件的研究有助于进一步优化其压电性能,为进一步提升KNN基无铅压电陶瓷提供一种新的路径.

摘要： 本文制备了柔性BZT-BCT/P(VDF-TrFE)压电薄膜.对不同掺杂比例所具有的压电性能进行了比较.为了制备小尺寸的BZT-BCT纳米颗粒,本文先采用静电纺丝的方法制备BZT-BCT纳米线,进而通过研磨得到BZT-BCT纳米颗粒.测试结果显示掺杂比例为30wt％时,压电薄膜具有最优的输出性能,开路电压可达8.11V,是纯的PVDF的1.9倍.在固定频率(10Hz)下,掺杂比例为30wt的压电薄膜的开路电压与所负载的力(1N-1ON)几乎呈线性关系,且具有非常良好的稳定性.

摘要： 通过传统烧结方法获得Ta/Sb掺杂Aurivillius相Bi3TiNbO9陶瓷.XRD图谱显示为单晶结构,表明Ta/Sb掺杂剂进入晶格形成固溶体.本文详细研究了其介电性能、直流电导和压电性能等电性能.在BTN基陶瓷中,氧空位的迁移对介电弛豫、直流电导性能起着主要作用.在高温条件下,用Ta5+/Sb5+取代Ti4+有效抑制氧空位的产生.随着Ta/Sb掺杂浓度的增加,直流传导性能、压电性能系数d33值变大,介电损耗降低.最佳的d33值是BTNTS-1陶瓷的两倍,为7.8pC/N.研究了相关的物理机制。

摘要： 本文利用溶胶凝胶法制备BZT-BCT薄膜，并着眼于解决该体系薄膜面临的突出问题，如晶化程度低、薄膜质量差、薄膜无织构等，尝试通过引入种子层的途径，来提高薄膜的结晶质量并诱导薄膜呈现取向生长，进而优化BZT-BCT薄膜在MPB附近成分区的压电性能。

摘要： 聚偏氟乙烯(Polyvinylidene Fluoride,简称PVDF)作为一种电活性高分子材料,它具有优良的压电性、热电性、铁电性等的特殊的电性能.本文采用高速旋转的圆盘作为接收装置,通过静电纺丝法制得了具有规整取向排列的PVDF纤维膜.通过扫描电镜(SEM)图观察发现,当旋转圆盘转速为1000 rpm和2000 rpm时,PVDF纤维沿着旋转方向具有规整的取向排列,而转速为500 rpm时,纤维则呈现无规排列.全反射红外光谱(ATR-FTIR)和差示扫描量热法(DSC)分析发现采用静电纺丝方法制备的PVDF纤维膜具有较高的相对β晶型含量.将静电纺PVDF纤维膜制备成压电器件,对不同转速收集得到的纤维膜的压电性进行了对比分析发现,压电器件的输出电压随着PVDF纤维膜的收集转速的增加而增加,即高转速收集得到的纤维膜具有更高的压电性.

摘要： 新型铋基高温压电陶瓷BSPT-PZN具有高居里温度高压电常数,可应用于高温声学器件.但其机械品质因子Qm低,易导致器件发热,制约了其在高温器件方面的应用,可对其进行硬性掺杂研究,提高其机械品质因子Qm,研究其硬性掺杂对介电压电性能的影响规律.

摘要： 通过微结构调控实现材料多功能化是当今材料科学进步的重要途径,本文以缺陷进行能带裁剪和自旋操纵、以离子半径进行极化控制等方法,多尺度地开展了氧化锌薄膜结构和性能的调控研究.阐明了结构缺陷是其宽禁带半导体室温稀磁性的起源,获得了高磁矩(6.1μB)和高居里温度(790K)的钴掺杂氧化锌稀磁材料;发现离子半径小于锌离子的元素掺杂能极大提高氧化锌压电性能的规律,制备出压电系数达170pC·N1的钒掺杂氧化锌薄膜,是纯氧化锌的17倍;通过活性电极材料氧化还原反应,在氧化锌介质中构筑纳米金属导电通道,揭示了阻变存储器低阻态高导电性的物理本质.利用获得的新材料研制出磁传感器、声表面波滤波器和阻变存储器等多种原型器件.

摘要： 采用传统固相烧结工艺制备Ca0.92(Li,Ce)0.04Bi2Nb2-xTaxO9(CLCBNT-x)高温压电陶瓷样品,研究了B位Ta掺杂含量对CaBi2Nb2O9(CBNO)压电陶瓷介电及压电性能的影响.结果表明:(Li,Ce,Ta)的引入并未改变CRNO基陶瓷的单一相结构,并且可以明显提高CBNO基压电陶瓷的压电性能;其中,当Ta含量x为0.04时,CBNO压电陶瓷表现出最好的压电性能,压电常数d33高达15pC/N,居里温度Tc=929°C,且在900°C以下表现出良好的温度稳定性.说明(Li,Ce,Ta)掺杂改性后的CBNO陶瓷在高温领域具有潜在的应用前景.

摘要： 制备了奇-奇数聚酰胺PA1111(尼龙1111)铁电薄膜,研究了尼龙1111的铁电性.结果表明:在频率为0.1Hz,外加电场为150MV/m时,尼龙1111矫顽电场Ec约为75 MV/m,剩余极化强度Pr达47 mC/m2.极化工艺研究表明,在最初20 min内随着极化时间增加压电应变常数d33迅速增大并趋稳定;随着极化电场强度的增加和极化温度的升高,尼龙1111的d33随之增大.尼龙1111的最大d33值达-3.9 pC/N,压电电压常数g33值达-169 mV·m/N.

摘要： 本发明提供一种压电性薄膜元件，其提高了压电特性，可实现高性能且高信赖的压电性薄膜设备。本发明的压电性薄膜元件具有基板及在所述基板上以溅射法成膜的、以由(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的钙钛矿型氧化物为主相的压电性薄膜，该压电性薄膜的内部应力的绝对值为1.6GPa以下。

摘要： 本发明提供一种压电性薄膜元件，其提高了压电特性，可实现高性能且高信赖的压电性薄膜设备。本发明的压电性薄膜元件具有基板及在所述基板上以溅射法成膜的、以由(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z＝1)表示的钙钛矿型氧化物为主相的压电性薄膜，该压电性薄膜的内部应力的绝对值为1.6GPa以下。

摘要： 本发明属于压电陶瓷加工技术领域，涉及一种利用磨削提高压电陶瓷压电性能及机械性能的方法；步骤为：选取压电陶瓷固定于工作台，根据压电陶瓷的厚度选择相应目数的砂轮进行顺磨磨削；当压电陶瓷的厚度大于1mm时，采用300～400目的砂轮进行磨削；厚度为0.5～1mm时，采用400～500目的砂轮进行磨削；厚度小于0.5mm时，采用500～600目的砂轮进行磨削；磨削完成后取下压电陶瓷，放入水中煮沸，再经温水漂洗、烘干得到成品，即为磨削完成后的压电陶瓷薄片。本发明实现了对副作用磨削应力的利用，利用磨削应力使得压电陶瓷发生从四方相到正交相的转变，增强陶瓷压电性能；同时提高陶瓷断裂强度、断裂韧性和陶瓷致密性。

摘要： 本发明属于掺杂改性铅基压电陶瓷制备技术领域，具体涉及一种在应用温区内压电性能稳定优异且加工性能优越的铅基压电陶瓷材料。所述原料以质量百分数计，包括四氧化三铅66.5～68.3％、二氧化锆18.5～19％、二氧化钛11.2～11.4％、氧化镨1～2.1％，氧化铜0.4～1.4％，碳酸锰0.5～1％；或四氧化三铅65.6％、二氧化锆19.1％、二氧化钛11.4％、氧化镨2％、氧化铜1％、碳酸锰1％。本发明设计的工艺路线为：混料、预烧、二次球磨、造粒、压制、烧结、上电极、极化。本发明组分设计合理、制备工艺简单可控，所得产品的机械品质因数高且相对介电常数高；便于大规模的应用。

摘要： 本发明属于高温压电陶瓷材料领域，具体涉及兼具高压电性能和低损耗的钛酸锶铋—钪酸铋—钛酸铅系高温压电陶瓷材料及其制备方法。该压电陶瓷材料的化学通式为x(Sr0.7Bi0.2)TiO3‑(1‑x‑y)BiScO3‑yPbTiO3‑1mol%MnO2，其中0.01≤x≤0.04，0.62≤y≤0.64。本发明制备的陶瓷材料的介电损耗在室温到高温范围内大幅度降低，还保持了高压电性能和高居里温度，满足高温压电传感器对压电功能元件的要求，制备工艺简单、烧结温度低、成本低、适宜于大规模的工业化生产，在高温压电加速度计传感器件、高温压电阀和高温压电马达驱动器、高温压电能量收集等方面具有广泛的应用前景。

摘要： 一种压电能量收集用兼具高和热稳定压电性能的陶瓷材料及制备，属于压电陶瓷材料领域。该材料组成为xPb(Zn1/3Nb2/3)O3‑(1‑x)Pb(HfyTi(1‑y))O3，x为0.05～0.20,y为0.45～0.50。采用高温固相反应法制备，首先将ZnO和Nb2O5煅烧合成ZnNb2O6，再加入其它原料，采用湿磨、烘干、煅烧、造粒、压制成型、烧结步骤。本发明提供的压电陶瓷材料在宽温区内同时具有高的压电常数和优异的温度稳定性，以及稳定的发电能力，可满足压电能量收集器在宽温区或高温下的应用要求，具有显著的社会意义和应用价值。

摘要： 本发明属于压电陶瓷加工技术领域，涉及一种利用磨削提高压电陶瓷压电性能及机械性能的方法；步骤为：选取压电陶瓷固定于工作台，根据压电陶瓷的厚度选择相应目数的砂轮进行顺磨磨削；当压电陶瓷的厚度大于1mm时，采用300～400目的砂轮进行磨削；厚度为0.5～1mm时，采用400～500目的砂轮进行磨削；厚度小于0.5mm时，采用500～600目的砂轮进行磨削；磨削完成后取下压电陶瓷，放入水中煮沸，再经温水漂洗、烘干得到成品，即为磨削完成后的压电陶瓷薄片。本发明实现了对副作用磨削应力的利用，利用磨削应力使得压电陶瓷发生从四方相到正交相的转变，增强陶瓷压电性能；同时提高陶瓷断裂强度、断裂韧性和陶瓷致密性。

摘要： 本发明属于功能高分子材料领域，具体涉及一种具有高压电性能的压电聚合物纤维膜材料及其制备方法。一种压电聚合物基纤维膜的制备方法，所述制备方法为：先将压电聚合物在溶剂中溶解制得聚合物混合液；然后将聚合物混合液通过静电纺丝法制得压电聚合物基纤维膜，所述静电纺丝法中，使用液体为接收介质；其中，所述液体介质为不溶解压电聚合物却与压电聚合物的溶剂互溶的溶剂。本发明提供一种新型的压电聚合物纤维膜的制备方法，利用多场耦合实现高压电性能和大能量输出功率的压电聚合物纤维膜材料的加工制备，其可用在压力传感和能量收集器件方面。

摘要： 本发明涉及一种自组分调控具有高压电性能及高温电阻率的铌酸铋钙压电陶瓷及其制备方法，所述铌酸铋钙压电陶瓷材料仅调整其化学组成中的Ca、Bi摩尔比关系，其化学组成为：Ca1‑xBi2+xNb2O9；其中，0x0.09，x为摩尔百分比。

摘要： 本实用新型公开一种PVDF复合材料压电膜压电性能检测装置，包括检测机本体，所述检测机本体的内部上端设有工作台，所述工作台的上端固定连接有缓震机构，所述缓震机构的内部卡合连接有卡块，所述卡块的上端固定连接有连接棒，所述连接棒的上端安装有放置机构，所述放置机构以工作台的中轴线对称设置，所述对称的放置机构的上端均分别设有数据采集探头，所述数据采集探头的一端连接有压电信号采集器本体，所述压电信号采集器本体的一侧设有数据连接线；本实用新型通过设置对称的放置机构对待检测和标准件可以进行同时检测起到了对照试验的效果，便于了使用者可以再控制变量的情况下进行比对提高了检测效率。