居里温度

摘要： 系统地研究了用脉冲激光沉积法(PLD)在(111)取向SrTiO_(3)单晶衬底上外延生长La_(0.66)Sr_(0.33)MnO_(3)薄膜的电学和磁阻性能。利用综合物性测量系统(PPMS)测量研究了薄膜导电性和相应物性随薄膜厚度的变化规律。磁化和电阻作为温度函数的测量结果表明,从铁磁状态到顺磁状态的转变温度与薄膜厚度直接相关。电阻率(ρ(T))的温度依赖性已经用理论公式进行了拟合。在3 T的外加磁场下,在200 K下测量了10 nm厚膜的34.5%的磁电阻。

摘要： 本文通过一步反应合成法制备了铌镁-锆钛酸铅(Pb(Mg_(1/3) Nb_(2/3))O_(3)-Pb(Zr,Ti)O_(3),PMN-PZT)压电陶瓷,研究了稀土元素钐(Sm)掺杂对PMN-PZT(x%(摩尔分数)Sm-PMN-PZT)结构与电学性能的影响规律,得到了具有高压电性、高机电耦合系数和高居里温度的压电陶瓷。当x=2.0时,压电常数d_(33)=611 pC/N,机电耦合系数k_(p)=0.68,介电损耗tanδ=1.65%,相对介电常数ε_(r)=2650,居里温度T_(C)=283°C。测试压电陶瓷电致应变性能,在3 kV/mm下单极电致应变达到0.20%,显示出其大应变材料的特征。结果表明,Sm掺杂PMN-PZT压电陶瓷具有优异的综合电学性能,有望在换能器、传感器以及致动器等领域广泛应用。

摘要： 对NdNi_(4-x)Co_(x)Cu系列化合物的制备工艺、晶体结构和磁性进行研究。用电弧熔炼和热处理法制备NdNi_(4-x)Co_(x)Cu(x=0,1.0,1.5,1.7,1.9,2.0,2.1,2.3,3.0,4.0)系列化合物样品,对X射线衍射数据精修后分析发现,该系列化合物为单相材料,晶体结构为CaCu_(5)型六角结构,空间群为P6/mmm,并给出精修图谱和精修后的XRD衍射图。磁性测量分析表明,该系列化合物发生自旋重取向现象和由铁磁到顺磁的转变,居里温度随着Co含量的增加而升高,该系列化合物的居里温度具有可调性。利用热力学麦克斯韦关系,从系列等温磁化曲线确定了样品的等温磁熵变随温度和磁场变化的关系。在外场强度3 T的条件下,当x2时最大等温磁熵变值随Co含量的增加再次降低。外场强度1 T条件下,NdNi_(2)Co_(2)Cu样品的相对制冷功率(RCP)为128 J/kg。

摘要： BiFeO_(3)基无铅压电陶瓷常因漏电流较大而压电性能欠佳,然而,改善其绝缘性和电性能的方法都较为复杂,限制了其产业化生产与应用。本工作在不针对0.7BiFeO_(3)-0.3BaTiO_(3)陶瓷进行组分掺杂以及气氛烧结的条件下,仅通过简单的原料预处理(改变Fe_(2)O_(3)原料的干燥时间)即实现了其高绝缘性与高压电性能。研究结果表明,0.7BiFeO_(3)-0.3BaTiO_(3)陶瓷的晶粒尺寸和绝缘性随Fe_(2)O_(3)原料干燥时间的增加而增大,同时其电性能及温度稳定性也随之增强。当原料干燥时间为192 h时,样品晶粒尺寸最大,绝缘性最好,同时其压电性能(d_(33)=203 pC/N,k_(p)=0.33)和居里温度(T_(c)=460°C)也达到最佳。这为今后BiFeO_(3)基陶瓷压电性能的研究提供了一个新思路。

摘要： 文章通过试验研究排气高温对高压腔结构涡旋压缩机的性能和可靠性影响,通过试验设备调节不同排气温度,分析其对压缩机零部件烧损程度,特别是对电机绝缘材料和消磁现状进行分析,来验证控制排气温度的必要性,为未来轨道空调和冷链运输产品标准的丰富与完善提供技术支撑。

摘要： 本文研究了Co含量变化对烧结钕铁硼磁性能的影响。在Co含量为1.5wt.%~5.0wt.%的范围内,磁体的剩磁呈现单调递增的趋势,从13.41kGs上升到13.97kGs;磁体的矫顽力呈现单调递减的趋势,从21.49kOe下降到15.69kOe;磁体20~120°C的剩磁温度系数从-0.135%/K改善到-0.122%/K。磁体的居里温度从Co含量为1.5wt.%的312.8°C提高到Co含量为5.0wt.%的337.2°C。因此当Co含量为1.5wt.%~5.0wt.%的范围内,磁体的居里温度随着Co含量的增加而提高。

摘要： 采用普通陶瓷工艺制备石榴石铁氧体材料,研究Ti^(4+)取代对其介电常数ε′、居里温度θ_(c)、饱和磁化强度M_(s)、铁磁共振线宽ΔH等性能的影响。研究表明,随着Ti^(4+)取代量的增加,材料的饱和磁化强度M_(s)、居里温度θ_(c)降低,材料介电常数ε′和铁磁共振线宽ΔH增大。当Ti^(4+)含量x=0.7时,材料的介电常数ε′达到16,铁磁共振线宽ΔH没有明显增大。当x=1.0时,材料的介电常数ε′超过20,但铁磁共振线宽ΔH显著增高。

摘要： 采用传统固相法制备了0.75Pb(Zr_(1/2)Ti_(1/2))O_(3)-xPb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-(0.25-x)Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)(0.75PZT-xPZN-(0.25-x)PNN,摩尔分数x=0.05,0.10,0.15,0.20)压电陶瓷,研究了x值对陶瓷晶体结构、烧结特性、微观组织和介电、铁电、压电性能的影响规律。结果表明,陶瓷中三方相和四方相共存,当x=0.10~0.20时,陶瓷组分位于准同型相界(MPB)附近。随着PZN含量的增加,三方相含量减少,四方相含量增加,陶瓷的介电常数(ε_(T))、压电常数(d_(33))、机电耦合系数(k_(p))和能量转化因子(d_(33)×g_(33))均随之先增大后减小,当x=0.15时,0.75PZT-0.15PZN-0.10PNN陶瓷具有最佳电学性能,即ε_(T)=1850,公电损耗tanδ=0.029,居里温度T_(C)=280°C,d_(33)=370 pC/N,k_(p)=0.67。

摘要： 二维(2D)本征铁磁金属材料由于其铁磁性和金属性的特殊结合,为研究自旋电子学器件提供了前所未有的机会,并提供了有前途的器件应用。采用自旋-轨道耦合密度泛函理论(DFT)、蒙特卡罗(MC)模拟等方法,探索了CeGe_2单层在室温下的力、热和机械稳定性,以及电子性质和磁性。研究结果表明:CeGe_2单层是一种铁磁金属材料,基于海森堡模型,发现CeGe_2具有较高的居里温度,表明CeGe_2单层在自旋电子器件领域有潜在的应用。

摘要： 居里温度通常被叫做磁性转变点,是指铁磁性材料由于足够强热效应使得自身的自发磁化强度降到零的温度,相当于一个铁磁相变的临界温度。低于该临界温度时材料又恢复铁磁性。本文主要讲述的是如何在Ising模型中利用平均场近似的方法去求解二维材料的居里温度,分别介绍平均场近似概念,Ising模型的概念,利用平均场近似在Ising模型中求解居里温度,通过这几个方面来对居里温度较为准确的估算。

摘要： 高居里温度高磁导率MnZn铁氧体材料开发完成并量产达成:材料居里温度高、饱和磁通密度高，阻抗特性优异;材料在60-100°C存在磁导率低谷，此温度范围是器件正常使用温度，可能会造成抗EMI的不良，后续会持续改善。

摘要： 本文介绍了利用居里温度和二峰经验公式计算摩尔配方的方法,利用氧化物法制备样品,研究了居里温度对高磁导率锰锌MnZn材料磁性能的影响.重点分析了居里温度对磁导率-温度μi-T、磁导率-频率Ii-f、相对损耗因数tanδ/μi、磁滞常数rB等的影响.研究发现,材料的居里温度对磁导率的温度和频率特性影响很大,在现有工艺条件下,合适的居里温度,可提高起始磁导率、提高材料磁导率的温度稳定性、降低材料的损耗,从而优化制成产品的THD特性.

摘要： 本文对教学中常用的二种测软磁铁氧体居里温度实验方法,四桥臂交流电桥法与磁滞回线法做了具体比较;指出二法的各自优劣之处,分析了其形成原因.结论是:四桥臂交流电桥测量居里温度较准确;磁滞回线法可直观地同时观察多个磁学指标随温度的变化,在教学中有其特殊作用.

摘要： 本文利用射频磁控溅射法在MgO基片上沉积了掺有2mol% La2O3的0.2BiInO3-0.8PbTiO3(0.2BIO-0.8PT)薄膜材料，并利用X射线衍射仪、扫描电了显微镜、铁电性能综合测试系统等研究了该材料的微结构、铁电特性和居里温度。结果表明，该薄膜具有c-轴取向结构，高铁电特性和高居里温度，因此将有重要的应用价值。

摘要： 本文分别阐述了居里温度的测量的实验原理，所用到的实验仪器，分析了实验结果，指出通过做这个实验，可以初步了解铁磁性物质由铁磁性转变为顺磁性的微观机理;学习测定居里温度的原理和方法;学会测量不同铁磁样品居里点的方法.

摘要： 铁磁半导体作为既能够利用磁矩来进行信息存储,也能够利用电荷运动进行信息处理的特殊材料,一直是半导体领域的一个研究热点.对铁磁半导体的研究,涉及多种半导体材料,包括IV族材料,Ⅲ-Ⅵ族材料,Ⅱ-Ⅶ族材料等.相比之下,IV族铁磁半导体材料有着独特的优势:与硅基集成电路有着良好的的兼容性;其有着潜在的高居里温度.为了解决上述难点，我们系统的进行了分子束外延制备MnGe 纳米结构研究。从零维量子点，到一维纳米线，再到二维纳米网结构，成功的实现了无磁性金属化合物产生的高质量MnGe铁磁半导体材料。通过利用量子限制效应以及尺寸效应，实现了室温的居里温度，并成功的实现了电场可控的铁磁特性，以及磁阻调控。这为未来实现电场可控的磁性存储器，磁性探头和自旋场效应晶体管等自旋电子器件奠定了基础。

摘要： 无铅压电陶瓷的开发与应用是当今压电陶瓷发展的必然趋势,本文综合分析了无铅压电陶瓷的研究背景,给出了钙钛矿型无铅压电陶瓷的主要体系,包括钛酸钡基、钛酸铋钠基、铌酸钾钠基无铅压电陶瓷,也可按照结构来划分，无铅压电铁电陶瓷体系可分成钙钛矿结构(其化学通式为ABO3)、钨青铜结构、铋层状结构等。以铌酸钾钠(KNN)为例，KNN可看成是由正交晶系钙钛矿型结构的KNbO3(铁电体)和NaNbO3(反铁电体)结合而成的化合物，KNN的居里温度Tc~420°C，剩余极化强度Pr~33μC/cm2，压电常数d33~80pC/N。由于KNN的相结构比较复杂，因而在很长的一段时间内KNN基压电陶瓷的研究很少。直到进入21世纪，随着对环境保护的要求，人们重新重视KNN压电陶瓷的研究，2004年Saito等以RTGG方法制备了KNN-LiTaO3(-LiSbO3)陶瓷，其压电常数d33可达416pC/N，平面机电耦合系数kP达61%，其主要性能已达到某些铅基压电陶瓷(如PZT4)的水平。通过掺杂改性、多元复合等方法，具有准同型相界(MPB)组成的KNN基陶瓷的压电性能较纯KNN陶瓷均有较大提高，同时具有较高的居里温度。随着温度的降低，KNN基陶瓷的晶体结构经历从立方→四方→正交→三方的转变。本课题组利用相界调控，成功研制了压电常数d33超过450pC/N的KNN基压电陶瓷。

摘要： 采用固相反应法,使用廉价原料制备了化学式为Y3-xCaxSnxMn0.02Fe4.98-xO12(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)的铁氧体材料,x=0.3时,铁磁共振线宽△H降低到了1.2kA/m以下,而居里温度Tc仍保持在200°C以上.

摘要： PZN-PZT压电陶瓷由于具有优越的电学性能和较高的居里温度而成为目前研究与应用最为广泛的多元系压电陶瓷材料之一.本文主要介绍了其结构特点、改性方法及器件应用的研究进展,并展望了其发展趋势.

摘要： 利用溶胶-凝胶法制备了La0.7-xCa0.28Sr0.02MnO3的钙钛矿型稀土锰氧化物多晶样品.研究发现,离子空位引入后,样品的居里温度显著提高,样品CMR的温度稳定性得到改善.在1.8T的磁场下,当样品x=0.08,x=0.10,T=200K～260K时,其CMR值保持在13.2％(±0.2％)左右,有较好的温度稳定性.

摘要： 本发明公开了一种高居里温度和温度稳定性好的铌酸钾钠基透明铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xBa(Zn1/3Nb2/3)O3，式中x表示Ba(Zn1/3Nb2/3)O3的摩尔数，x的取值为0.03～0.05，该陶瓷材料通过高温固相法制备而成。本发明制备方法简单、重复性好、成品率高，所得陶瓷材料的透明性高、介电性能好、居里温度高，其中透过率为66％～82％(近红外区)、介电常数为1566～1813、居里温度为344～395°C，且在温度为30～500°C范围内，介电常数随温度变化小，具有优异的温度稳定性，同时具有较好的铁电性能，其剩余极化强度为2～4μC/cm2、矫顽场为13～16kV/cm。

摘要： 本发明公开了一种高居里温度，高温度稳定性的压电陶瓷材料及其制备方法和应用其特点是将陶瓷材料由通式Ca1‑x‑y‑zLixCeyYzBi2Nb2O9表示，式中0≤x≤0.08，0≤,y≤0.15，0≤z≤0.15，其中，x表示锂的摩尔分数，y表示铈的摩尔分数，z表示钇的摩尔分数。采用固相法制备铌钇酸铋钙锂铈陶瓷粉体材料；再经过造粒压片、排胶、烧结和极化，制成铌钇酸铋钙锂铈压电陶瓷。通过银测试结果表明，晶粒比较致密、晶粒均匀，提高了烧结活性，有较高的压电常数d33，其最高压电常数d33可达16.8pC/N。铌钇酸铋钙锂铈陶瓷具有较高的高温电阻率(~5.9×106Ω·cm，500°C)。具有良好的温度稳定性和高的居里温度(925oC~941oC)。

摘要： 本发明涉及一种无铅高居里温度BaTiO3基正温度系数热敏陶瓷及其制备方法，属于高技术功能陶瓷及其应用领域。所述陶瓷以四方钙钛矿BaTiO3相为基质，以(Bi0.5Na0.5)TiO3为提高居里温度的移峰剂，以稀土氧化物Ta2O5或Sm2O3降低室温电阻率，并且添加过渡金属氧化物MnO2来提高升阻比；所述制备方法采用一锅法制备这种无铅BaTiO3基热敏陶瓷，并采用还原‑再氧化的烧结方法来获得热敏特性优异的BaTiO3基正温度系数热敏陶瓷；所述制备方法依次包括“称量→混料→球磨→烘干→煅烧→研磨过筛→造粒→压片→排胶→烧结→被电极”工艺方法和步骤。这种BaTiO3基热敏陶瓷的居里温度高、升阻比高、室温电阻率低，并且实现了无铅化，特别适合用于发热、过热与过流保护、温度监控与感应等器件。

摘要： 本发明公开了一种无铅高居里温度的正温度系数热敏电阻材料。采用加入Na2CO3、Bi2O3和TiO2调整BaTiO3基PTC半导体陶瓷材料的居里温度(﹥120°C)，避免采用传统的配方中引入铅氧化物或铅的盐类，以铅元素作为移动剂来提高BaTiO3基PTC陶瓷材料的居里温度，解决了铅对环境造成的污染问题。

摘要： 本发明公开了一种高居里温度和温度稳定性好的铌酸钾钠基透明铁电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(1‑x)K0.5Na0.5NbO3‑xBa(Zn1/3Nb2/3)O3，式中x表示Ba(Zn1/3Nb2/3)O3的摩尔数，x的取值为0.03～0.05，该陶瓷材料通过高温固相法制备而成。本发明制备方法简单、重复性好、成品率高，所得陶瓷材料的透明性高、介电性能好、居里温度高，其中透过率为66％～82％(近红外区)、介电常数为1566～1813、居里温度为344～395°C，且在温度为30～500°C范围内，介电常数随温度变化小，具有优异的温度稳定性，同时具有较好的铁电性能，其剩余极化强度为2～4μC/cm2、矫顽场为13～16kV/cm。

摘要： 本发明公开了一种高居里温度，高温度稳定性的压电陶瓷材料及其制备方法和应用其特点是将陶瓷材料由通式Ca1‑x‑y‑zLixCeyYzBi2Nb2O9表示，式中0≤x≤0.08，0≤,y≤0.15，0≤z≤0.15，其中，x表示锂的摩尔分数，y表示铈的摩尔分数，z表示钇的摩尔分数。采用固相法制备铌钇酸铋钙锂铈陶瓷粉体材料；再经过造粒压片、排胶、烧结和极化，制成铌钇酸铋钙锂铈压电陶瓷。通过银测试结果表明，晶粒比较致密、晶粒均匀，提高了烧结活性，有较高的压电常数d33，其最高压电常数d33可达16.8pC/N。铌钇酸铋钙锂铈陶瓷具有较高的高温电阻率(～5.9×106Ω□cm，500°C)。具有良好的温度稳定性和高的居里温度(925°C～941°C)。

摘要： 本发明涉及一种无铅高居里温度BaTiO3基正温度系数热敏陶瓷及其制备方法，属于高技术功能陶瓷及其应用领域。所述陶瓷以四方钙钛矿BaTiO3相为基质，以(Bi0.5Na0.5)TiO3为提高居里温度的移峰剂，以稀土氧化物Ta2O5或Sm2O3降低室温电阻率，并且添加过渡金属氧化物MnO2来提高升阻比；所述制备方法采用一锅法制备这种无铅BaTiO3基热敏陶瓷，并采用还原‑再氧化的烧结方法来获得热敏特性优异的BaTiO3基正温度系数热敏陶瓷；所述制备方法依次包括“称量→混料→球磨→烘干→煅烧→研磨过筛→造粒→压片→排胶→烧结→被电极”工艺方法和步骤。这种BaTiO3基热敏陶瓷的居里温度高、升阻比高、室温电阻率低，并且实现了无铅化，特别适合用于发热、过热与过流保护、温度监控与感应等器件。

摘要： 本发明涉及一种在大气气氛下烧结的高居里温度无铅正温度系数热敏电阻(PTCR)陶瓷的制备方法，属电子陶瓷材料制备工艺技术领域。本发明PTCR陶瓷的化学分子式为x(Bi

摘要： 一种铁氧体居里温度测量装置，包括烘箱，所述烘箱的顶面向其内腔体开设有插样口，所述烘箱的顶面位于所述插样口一侧置放有用于测试铁氧体磁环居里温度的LCR电桥测试仪，所述铁氧体磁环上绕制有测温线，所述测温线的引出端分别通过测试夹对应夹持，所述测试夹通过数据线与所述LCR电桥测试仪的电感值测试端口连接，所述铁氧体磁环自所述插样口插入所述烘箱的内腔体；所述烘箱安装于可定位升降的设备置放平台上。本发明可以根据不同身高的实验人员，合理调节设备置放平台的高度，从而使得整个测量装置的操作与观测变得方便。

摘要： 本发明涉及一种高频、高居里温度磁芯材料，其述原料按重量份计，各组分为：三氧化二铁66‑68份、氧化锌11.5‑13.0份、氧化铜7.0‑8.0份、氧化镁6.0‑7.0份、氧化镍6.0‑7.0份和三氧化二钴0.4‑0.6份，通过上述材料所获得的磁芯，在使用时，频率范围由之前的1.0‑7.0MHZ提高到0.5‑20MHZ，拓宽了磁芯的频率范围，居里温度提高了56％，因此，采用本方案组分的配比能有效提高磁芯的频率范围以及居里温度。