锆钛酸铅

摘要： 针对高灵敏度无源加速度计的集成制造需求,提出一种d工作模式下四悬臂梁集成拾振微球的MEMS压电加速度计敏感结构。建立动力学振动和拾振理论模型,并使用COMSOL 5.0软件对传感器件结构进行建模仿真,通过优化确定满足拾振条件的微器件几何尺寸和结构。利用溶胶凝胶方法实现硅基高品质PZT压电薄膜的异质集成制造,使用MEMS工艺制造微器件并完成传感器的集成和组装。测试结果表明:该加速度计的输入加速度与输出电压的关系为V=1.881a-0.033,电压灵敏度在1152 Hz时达到13.8 mV/g,表现出良好的灵敏度、线性度和抗干扰能力;新方法具有正确性和工艺方法的可行性,为高性能加速度传感器件提供了一种新的技术途径。

摘要： 采用脉冲激光沉积法制备La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_(3)(LSMO)薄膜,溶胶-凝胶法制备PbZr_(0.4)Ti_(0.6)O_(3)(PZT)薄膜,在SrTiO_(3)(STO)基片上制备了LSMO/PZT/LSMO异质结电容器.X线衍射(XRD)研究表明LSMO和PZT薄膜在STO基片上实现了外延生长.LSMO/PZT/LSMO电容器具有良好的铁电性能,在5 V测试电压下,剩余极化强度为26.9μC/cm^(2),矫顽电压为2.5 V,LSMO/PZT/LSMO电容器显示出了良好的抗疲劳性能.5 V电压下电容器的漏电流密度为7.4×10^(-6) A/cm^(2),在0~2.9 V为欧姆导电机制,2.9~5 V满足空间电荷限制电流(SCLC)导电机制.

摘要： 发展具备高温稳定性的柔性压电传感器对拓展压电传感器在航空航天等复杂环境下的应用具有十分重要的意义。通过静电纺丝技术和高温烧结方法制备了锆钛酸铅纳米纤维(PZT NFs),将PZT NFs与聚酰亚胺(PI)复合,通过溶液刮涂法制备了PI/PZT NFs复合材料并组装了柔性压电传感器。研究结果表明,PI/PZT NFs复合材料兼具PZT的高压电性与PI的柔性以及良好的热稳定性,基于该复合材料组装的柔性传感器具有宽温度使用范围,在20~250°C范围温度内具有稳定的力-电转换信号,在1 N的压力作用下产生的输出电压最高可达0.52 V,灵敏度最高可达198 mV/N,响应时间最低为116 ms,检测限可达0.01 N,在1000个循环内具有优异的耐疲劳性和信号稳定性,有望应用于高温柔性传感。

摘要： 锆钛酸铅(PZT)具有灵敏度高,响应速度快及压电常数大等优点,已被广泛应用于触觉传感器及超声换能器等领域。该文首先对基于PZT的触觉传感器的原理及制作工艺进行了阐述,再从材料优化、结构优化、柔弹性优化和可扩展性优化4个方面概述了PZT触觉传感器的研究进展,讨论了其在运动检测、医疗健康和人机交互领域的实际应用,最后对PZT触觉传感器的不足和未来发展趋势进行了分析。

摘要： 3-3型压电复合材料在超声波传感器、水下声学检测等领域有着广泛的应用。锆钛酸铅(PZT)陶瓷通过复合有望制备具有低介电常数、低脆性等优点的复合材料。采用直写成型技术制备了PZT三维木堆结构支架,结合浸渍法填充环氧树脂制备了3-3型PZT/环氧树脂压电复合材料。研究了陶瓷相体积分数对3-3型PZT/环氧树脂压电复合材料的介电、压电、铁电性能的影响,并对比了PZT陶瓷支架与PZT/环氧树脂复合材料的介电与压电性能。研究结果表明,随着陶瓷相体积分数的增加,复合材料的介电常数、压电常数及剩余极化强度都会增大,PZT支架具有更大的介电常数、压电常数、压电电压常数;当陶瓷相体积分数为36%时,PZT支架与PZT/环氧树脂的压电电压常数分别达到151.0 mV·m/N与104.0 mV·m/N。PZT/环氧树脂复合材料同时具备了压电陶瓷的硬度、电性能,以及聚合物的柔韧性、低密度等优势,其应用前景良好。

摘要： 为了提高冷烧结工艺制备的样品致密度,进而其增强压电性能,通过对PZT粉体进行表面修饰、优化PZT颗粒粒径搭配等手段室温化制备高压电系数PZT陶瓷,对PZT陶瓷冷烧结工艺进行优化.研究结果表明:通过Li2MoO4溶液对PZT原料粉体进行表面修饰,形成了厚度为150 nm的Li2MoO4包覆层,有利于冷烧结过程中颗粒重排和溶解-沉淀;采用[63,200)μm的粗颗粒和1～3μm的细颗粒搭配,使得细颗粒流动到粗颗粒桥接产生的缝隙和孔洞中,实现颗粒间紧密的连接,获得最高的密度(6.49 g/cm3)和相对致密度(85.40％);致密度的提高使样品获得优异的介电和压电性能,在1 kHz时,相对介电常数和介电损耗分别为66.8和0.288;在110 Hz时,压电系数d33为71 pC/N.

摘要： 碳纳米线圈是一种具有独特螺旋形貌和优异柔性的纳米材料,将其与压电材料复合可以实现微纳器件中机械能到电能的转化.文章使用有限元方法,首次研究了碳纳米线圈/锆钛酸铅压电复合材料的压电性能.结果表明该复合材料在微米级的形变即可提供百毫伏级的电压信号可控输出,在微纳机电系统和微纳换能器中极具应用前景.

摘要： 本研究采用机械共混和模压法制备了聚甲基丙烯酸缩水甘油酯-对硝基偶氮苯胺(PGMA-NBS)/锆钛酸铅(PZT)介电复合材料,并系统地研究了复合体系组成和微观结构对其介电性能的影响。共混体系为两相结构，随着PGMA-NBS体积含量的增加，孔隙减少，复合体系逐渐趋向均匀。 复合材料的介电常数随频率增大而减小，且PGMA-NBS填充量为16%的样品具有最高的介电常数，这是因为随着聚合物体积含量增加，复合体系逐渐趋向均匀，两相材料界面结合逐渐变好，此时复合体系的微观结构起主导作用。由于聚合物本身的介电常数远低于PZT，因此当聚合物体积含量高于30%时，复合体系介电常数随聚合物体积含量增加而降低。在PZT体积含量高于80%时，聚合物的加入使PZT均相体系逐渐变成PZT和PGMA-NBS两相体系，且由于陶瓷和聚合物的膨胀系数不同，从其SEM电镜照片中可以看到介电复合材料中存在较大的空隙，因此界面损耗增加导致复合体系介电损耗增大，但仍维持在较低水平;当PGMA-NBS体积含量超过30%后，由于聚合物本身的介电损耗远远小于PZT的介电损耗，因而体系介电损耗大幅降低。

摘要： 采用前驱体法合成了钙钛矿型B位离子氧化物固溶体，以此作为B位先驱体与碳酸铅通过固相反应在740°C合成A位缺铅的亚稳态钙钛矿型锆钛酸铅(PZT)固溶体。烧结过程中纳米级四方和单斜ZrO2纳米粒子从固溶体中析出。借助X射线衍射仪、扫描电镜和透射电镜对物相、组成和微观结构进行了分析。随ZrO2的加入量增加，断口从沿晶穿晶混合断裂变为穿晶断裂.研究表明，采用聚合物B位前驱体法成功制备出内晶型锫钛酸铅纳米复相陶瓷。

摘要： 锆钛酸铅(PZT)材料是一种具有高机电系数、高介电常数和高剩余极化强度。的功能材料，具有优异的介电、压电、铁电性能和光学特性。由于基于PZT的器件具有工作带宽广、反应速度快和灵敏性高等优点，因此PZT薄膜可以用于MEMS领域的各个方面，例如压电激励器、焦热红外探测器和超声器件。目前PZT薄膜器件的研制在理论与实验方面存在着一些亟待解决的问题，而这些问题主要集中在PZT制备与硅工艺兼容方面，其中包括薄膜的制备工艺、微结构与性能、界面等问题。

摘要： 采用冷冻-成型工艺制备了具有一维定向孔结构的锆钛酸铅(PZT)陶瓷,即3-1型PZT/air复合材料;通过浸渍法向孔中填充环氧树脂(epoxy)制备了3-1型PZT/epoxy复合材料.对比了2组复合材料的压电常数(d33和d31)、介电系数(δr)、声阻抗(Z)、静水压优值(HFOM)以及抗压强度.结果表明,随着PZT体积分数的增加,2组复合材料的d33、εr和Z都会增加,并且PZT/air具有比PZT/epoxy高的压电以及介电性能.从应用角度看,PZT/epoxy具有比PZT/air低的Z和HFOM、但具有高得多的抗压强度.

摘要： 通过溶剂热法合成钴铁氧体(CoFe2O4,CFO),然后通过表面沉积法、溶胶法、水热法分步在CFO颗粒表面包覆Zr4+、Ti4+和pb2+.煅烧后,XRD结果显示存在CFO和锆钛酸铅(PbZr0.5Ti0.5O3,PZT)相,通过SEM和TEM能够观察到核壳结构的CFO@PZT颗粒.经过普通烧结和SPS烧结最终得到具有磁电效应的0-3型磁电复合陶瓷.XRD结果显示PZT的衍射峰峰宽随着水热温度升高而变窄,包覆效果改善,而最终得到的陶瓷样品磁电性能也有显著改善.相对普通烧结,SPS烧结明显提高了陶瓷样品的磁电性能.

摘要： 锆钛酸铅（PZT）陶瓷是PbZrO3和PbTiO3的固溶体，具有良好的压电和介电性能，作为压电振子、换能器和压电驱动器等得到了广泛应用。本实验采用铁电陶瓷PZT14，用ARAMIS光学测量系统和MTS拉扭试验机系统研究多轴载荷下PZT14的应力-应变行为，得到了P14的力致屈服面，对其中出现的特殊情况进行解释，和传统的屈服准则进行对比，为建立完善的铁电陶瓷本构模型提供实验基础。实验结果表明未极化和极化陶瓷PZT14在多轴力载荷下存在非线性行为。同比例载荷作用下极化试件与未极化PZT14相比，极化PZT14只是破环强度降低了，没有其它明显的变化，说明极化对PZT14试件处于拉伸扭转比例载荷下的力学性能影响不大。实验所得的未极化和极化P14初始屈服面比较接近于Mises屈服条件，但是其后继屈服面会有比较大的变化。

摘要： 研究了锰掺杂对富锆PMN-PZT(铌镁酸铅-锆钛酸铅)陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能等方面的影响,并对实验结果作出物理机理的解释.实验结果表明：适量的锰掺杂有助于陶瓷晶粒的生长,并能有效地降低PMN-PZT陶瓷材料的介电常数和介电损耗,在锰掺杂量为3.0％(原子分数)时,εr=197、tanδ=0.15％,作为用于红外热释电探测器的陶瓷材料具有良好的介电性能。

摘要： 通过水热和热处理相结合的方法制备了具有核/壳结构的γ-Fe2O3/PZT和PbFe12O19/PZT磁电复合颗粒.选用Fe3O4纳米粒子作为磁性相核心,钙钛矿壳层的A位铅离子和B位锆、钛离子通过原位的水热反应形成致密包覆的非晶PZT层.经过650°C的热处理,PZT层开始结晶,同时Fe3O4核心转变成了γ-Fe2O3.经过750°C的热处理,壳层中的Pb向核心扩散形成了PbFe12O19相.两相具有良好的界面和有序取向生长特征.γ-Fe2O3-PZT和PbFe12O19-PZT的饱和磁化强度分别为18.47和17.79 A·m2/kg,其矫顽力分别为69.3×79.6和2552.7×79.6A/m.

摘要： 通过水热和热处理相结合的方法制备了具有核/壳结构的γ-Fe2O3/PZT和PbFe12O19/PZT磁电复合颗粒.选用Fe3O4纳米粒子作为磁性相核心,钙钛矿壳层的A位铅离子和B位锆、钛离子通过原位的水热反应形成致密包覆的非晶PZT层.经过650°C的热处理,PZT层开始结晶,同时Fe3O4核心转变成了γ-Fe2O3.经过750°C的热处理,壳层中的Pb向核心扩散形成了PbFe12O19相.两相具有良好的界面和有序取向生长特征.γ-Fe2O3-PZT和PbFe12O19-PZT的饱和磁化强度分别为18.47和17.79 A·m2/kg,其矫顽力分别为69.3×79.6和2552.7×79.6A/m.

摘要： 通过水热和热处理相结合的方法制备了具有核/壳结构的γ-Fe2O3/PZT和PbFe12O19/PZT磁电复合颗粒.选用Fe3O4纳米粒子作为磁性相核心,钙钛矿壳层的A位铅离子和B位锆、钛离子通过原位的水热反应形成致密包覆的非晶PZT层.经过650°C的热处理,PZT层开始结晶,同时Fe3O4核心转变成了γ-Fe2O3.经过750°C的热处理,壳层中的Pb向核心扩散形成了PbFe12O19相.两相具有良好的界面和有序取向生长特征.γ-Fe2O3-PZT和PbFe12O19-PZT的饱和磁化强度分别为18.47和17.79 A·m2/kg,其矫顽力分别为69.3×79.6和2552.7×79.6A/m.

摘要： 本发明公开了一种铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铅铁电单晶材料，该材料化学式为xPb(Sc

摘要： 本发明公开了一种铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅-锆酸铅铁电单晶材料，该材料化学式为xPb(Sc

摘要： 本发明涉及微粒锆钛酸铅、锆钛水合物和钛酸锆及其制备方法。本发明还涉及微粒钛酸锆和锆钛酸铅，以及通过将二氧化钛颗粒与锆化合物或者铅和锆化合物反应对其进行制备的方法。其中所述二氧化钛颗粒具有大于50m2/g的BET表面积。锆钛酸铅可用于生产微电子元件。

摘要： 本发明涉及一种铌镁酸铅‑钛酸铅和锆钛酸铅异质结构薄膜及其制备方法，铌镁酸铅‑钛酸铅和锆钛酸铅薄膜以不同的顺序组成多层异质结构薄膜。本发明降低了容温变化率，提高了介电峰的宽化，增大其应用领域。有效地提高了薄膜的介电性能，降低了薄膜的电导率。同时异质结构中的界面效应能有效的阻碍电子和空穴的传递，降低漏电流，提高铁电性能。

摘要： 一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法。本发明属于压铁电材料领域。本发明是为了解决现有软性陶瓷高介电损耗的技术问题。本发明的一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷的化学通式为x Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑(0.55‑x)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3‑0.135PbZrO3‑0.315PbTiO3，其中x＝0.01‑0.03。制备方法：按陶瓷成分配比配料，然后依次经过预烧、压片、排胶、烧结，再经烧银和极化后得到超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷。本发明的方法预烧温度低，通过配方与工艺的优化烧结出铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅弛豫铁电陶瓷，准静态d33测试仪测量压电常数达760pC/N的同时，介电损耗低于0.5％，性能优异。

摘要： 本发明涉及微粒锆钛酸铅、锆钛水合物和钛酸锆及其制备方法。本发明还涉及微粒钛酸锆和锆钛酸铅，以及通过将二氧化钛颗粒与锆化合物或者铅和锆化合物反应对其进行制备的方法。其中所述二氧化钛颗粒具有大于50m2/g的BET表面积。锆钛酸铅可用于生产微电子元件。

摘要： 本发明涉及一种铌镁酸铅‑钛酸铅和锆钛酸铅异质结构薄膜及其制备方法，铌镁酸铅‑钛酸铅和锆钛酸铅薄膜以不同的顺序组成多层异质结构薄膜。本发明降低了容温变化率，提高了介电峰的宽化，增大其应用领域。有效地提高了薄膜的介电性能，降低了薄膜的电导率。同时异质结构中的界面效应能有效的阻碍电子和空穴的传递，降低漏电流，提高铁电性能。

摘要： 一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法。本发明属于压铁电材料领域。本发明是为了解决现有软性陶瓷高介电损耗的技术问题。本发明的一种超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷的化学通式为x Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑(0.55‑x)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3‑0.135PbZrO3‑0.315PbTiO3，其中x＝0.01‑0.03。制备方法：按陶瓷成分配比配料，然后依次经过预烧、压片、排胶、烧结，再经烧银和极化后得到超低介电损耗的铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷。本发明的方法预烧温度低，通过配方与工艺的优化烧结出铌锰酸铅‑铌镍酸铅‑锆钛酸铅弛豫铁电陶瓷，准静态d33测试仪测量压电常数达760pC/N的同时，介电损耗低于0.5％，性能优异。

摘要： 本发明公开了一种具有高的场致应变的锶掺杂的铌铝酸铅-铌锌酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷，所述的铌铝酸铅-铌锌酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷的组成成分为Pb(1-x)Srx(Al0.5Nb0.5)0.1(Zn1/3Nb2/3)0.1(Zr0.52Ti0.48)0.8O3，其中0

摘要： 本发明涉及一种锆钛酸铅‑锰铋基钙钛矿‑铅基复合钙钛矿多元低温烧结大功率压电陶瓷及其制备方法，其特征在于，组成通式为：(1‑n)[(1‑u‑v)Pb(Zr