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第12届全国高技术陶瓷学术年会

召开年：2002
召开地：佛山
出版时间： 2002-09-01

主办单位：中国硅酸盐学会

会议文集：稀有金属材料与工程/2002.增刊1

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1.金刚石薄膜的离子束抛光实验初探
- 苟立;万静;冉均国;赵纯朴
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：研究了Ar<'+>离子束刻蚀方式、离子束能量、刻蚀时间对抛光金刚石薄膜的影响.采用原子力显微镜观察抛光前后金刚石薄膜表面形貌、测试表面粒糙度并用XPS分析成分.结果表明:点刻蚀的离子抛光方法比较有效且抛光均匀,表面粒糙度可降为10nm左右,但在大面积、膜成分改变的分析研究方面还有待进一步的工作.
2.过量镍及退火工艺对0.70Pb(Ni<,1/3>Nb<,2/3>)O<,3>-0.30PbTiO<,3>弛豫铁电陶瓷影响的研究
- 雷超;陈克丕;张孝文;郭小钧
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：通过铌铁矿预产物法制备出了0.70Pb(Ni<,1/3>Nb<,2/3>O<,3>-0.30PbTiO<,3>-xNiO(x=0,0.01,0.015,0.02,0.03)铁电陶瓷,对其相结构和介电、铁电性能进行了研究.XRD表明镍在PNN-PT陶瓷中过量1mol/﹪就达到饱和;介电性能的研究显示适度过量的镍和退火工艺能很好的改善PNN-PT陶瓷的介电性能;另外,过量的镍还使得PNN-RT陶瓷的弥散特性和铁电性能下降.
3.碳热还原氮化煤矸石制备β-Sialon结合SiC复相陶瓷粉体
- 曹珍珠;潘伟;房明浩;王瑞刚
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：将固体废渣煤矸石添加石墨,利用碳热还原氮化法在1 500℃直接制备了β-Sialon结合SiC复相陶瓷粉体,并研究了石墨添加量对与产物的影响.利用XRD进行了物相分析,用SEM观察了粉体形貌,发现未研细的粉料表面有晶须,并利用VLS机理对晶须生成机理进行了研究.
4.不同衬底材料在制备SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>铁电陶瓷薄膜中的作用
- 季惠明;张彬;徐廷献;徐明霞
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用可溶性无机盐为原料,利用溶胶-凝胶法分别在Al<,2>O<,3>和Si(111)/SiO<,2>Ti/Pt的衬底材料上制备了SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>铁电薄膜.通过SEM及XRD等微观分析手段,研究了不同衬底材料对凝胶膜与晶态膜的开裂情况、成相情况、晶体取向及微观结构等方面的影响,从实验和理论方面进行了探讨,为无机盐溶液源制备SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>铁电薄膜提供了研究基础.
5.La-Ni-O薄膜材料氧敏性能的研究
- 侯峰;秦永宁;徐廷献
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：LaNiO<,3>薄膜材料在动态气氛下(1.67﹪H<,2>/N<,2>和1.67﹪O<,2>/N<,2> 2种气氛中每隔30s交替变化1次)经过800℃,30min预处理得到La-Ni-O薄膜材料.薄膜采用浸涂法在多晶Al<,2>O<,3>陶瓷基片上形成,前驱体溶液以硝酸盐为原料,柠檬酸作为络合剂.实验对La-Ni-O薄膜材料的氧敏性能进行了测试.
6.低温燃烧合成纳米四方相钛酸钡粉体
- 罗绍华;唐子龙;尧巍华;张中太
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：低温燃烧合成(LCS)钛酸钡粉体工艺是一种能够在低温直接合成四方相纳米钛酸钡的制备方法.在硝酸盐和柠檬酸体系中,以推进剂化学为理论依据,实验得出各反应物间的最佳摩尔配比.结果表明,在300℃低温点火生成晶粒度在50nm以下无杂质相的四方相钛酸钡粉.并考察了前驱体溶液pH值对反应过程和最终产物的影响.应用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)等对粉体的结构、成分、晶粒尺寸和形貌进行了分析.
7.陶瓷电容器在高放电重复率下的充放电老化失效机理
- 刘斌;钱康;张雅杰;陈寿田
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：通过模拟电容器的实际运行条件,对激光发生器用SPBT陶瓷电容器在高重复率充放电老化电压下的破坏机理进行了研究.研究表明,充放电破坏是一种沿面击穿现象,这种沿面击穿与瓷体的电致应变有着密切的关系.通过增韧包封环氧和改善电级留边状况,可大幅度提高电容器的充放电寿命.
8.粉体固相合成温度对SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>的烧结行为的影响
- 李宝让;王晓慧;钱文闯;李龙土
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：研究了SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>粉体固相合成温度对其烧结行为的影响.利用固相合成法,在不同煅烧温度下合成SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>粉体即分别在800℃,900℃,1 000℃,1 100℃温度下对反应料进行煅烧,获得纯SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>粉体.将这些粉体进一步在800℃~1300℃进行烧结,借助X光分析研究了不同温度下合成的粉体对SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>粉体烧结密度和高温分解的影响.试验结果表明,和高温(1000℃,1100℃)合成的粉体相比,低温合成800℃,900℃)的SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>粉体不仅可以降低烧结温度,获得较高的密度,同时对SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>在高温时的分解也有一定的延迟作用.
9.人工神经网络在PZT掺杂陶瓷体系分析中的应用
- 郭栋;李龙土;桂治轮
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：首次将人工神经网络技术用于压电陶瓷的性能分析研究.以PZT为对象选取了几种常用的稀有金属氧化物掺杂剂,在均匀实验设计基础上,用BP人工神经网络对21个样品的结果进行了分析,建立了掺杂体系的数学模型并将其与多重非线形回归模型的精度进行了比较.实验结果表明,体系的人工神经网络模型明显要比多重非线形回归模型准确.而且人工神经网络模型在对建模样本外实验点的预测也非常成功,说明人工神经网络在陶瓷这种多组分材料的性能分析中具有良好的使用前景.
10.放电等离子低温快速烧结PZT陶瓷
- 房明浩;潘伟;王瑞刚;曹珍珠
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：利用放电等离子烧结炉(SPS)低温快速烧结了致密的PZT陶瓷.实验表明在15Mpa,1 030℃保温3min的条件下可以烧结得到致密的PZT陶瓷,并研究了烧结温度、压力与烧结密度的相关性,利用SEM观察了样品的断口形貌,探讨了低温快速烧结机理.
11.离子注入辅助多弧离子镀陶瓷表面改性研究
- 彭志坚;苗赫濯;司文捷;齐龙浩;龚江宏;李文治
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：提出了陶瓷表面改性的离子注入辅助多弧离子镀技术概念,运用该技术对氮化硅陶瓷进行的表面改性研究表明:陶瓷注入一定量钛离子后,注入层结构和性能呈梯度分布,注入层具有很强的导电能力;在该注入层基础上淀积多组分硬质薄膜TiAIN,TiCrN和TiCrN,陶瓷基体与薄膜之间具有较好的粘结性能,纳米划痕试验的临界载荷可达到60mN以上;多组分薄膜具有优异的力学性能,动态载荷下的纳米硬度可达40Gpa以上.该陶瓷表面改性技术可望有较好应用前景.
12.纳米氧化铝粉体的制备
- 陈彩凤;陈志刚
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：以硫酸铝铵和碳酸氢铵为原料,采用化学沉淀法制备α-Al<,2>O<,3>纳米粉体.研究了反应物不同的混合方式对先驱颗粒及最终粉体尺寸和形貌的影响;考察了pH值、超声辐射对粉体粒径、形貌和团聚状态的影响.结果表明,先缓慢滴加,后雾化喷入的混合方式,由于具有爆发性形核条件以及能使反应微区的不均匀性得到改善,有利于获得尺寸均一、颗粒细小、高度分散的前驱沉淀物,最终得到分散性良好,粒度分布均匀,平均粒径约10nm的α-Al<,2>O<,3>纳米粉体;超声波由于其本身的空化作用、机械作用等效应,能使得前驱颗粒充分分散,阻止粉体团聚体的形成并推迟了Al<,2>O<,3>的晶型转变温度.
13.乳胶体系水基流延工艺的研究
- 崔学民;欧阳世翕;余志勇;昝青峰;汪长安;黄勇
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：初步研究了水性乳胶作为粘结剂的Al<,2>O<,3>陶瓷浆料的流变学特性以及流延成膜的机理和工艺过程.通过优化控制浆料的配比、流变学特性以及工艺参数等因素,成功制备出了柔韧性较发了、均匀性好、表面光滑平整,强度较高的流延卷材.
14.Al<,2>O<,3>/Ti<,3>SiC<,2>层状材料的残余应力分析
- 昝青峰;汪长安;黄勇;赵世柯;崔学民;李翠伟
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：对由原位-热压法制备的Al<,2>O<,3>/Ti<,3>SiC<,2>层状材料的残余应力进行了分析.由于在高温时富Si液相会挥发或从Ti<,3>SiC<,2>层向Al<,2>O<,3>层扩散,所以Ti<,3>SiC<,2>层中会因缺乏Si元素而产生一定量的TiC相.由于Al<,2>O<,3>,TiC和Ti<,3>SiC<,2>的热膨胀系数不同,因此在烧结过程中会有残余应力存在(根据计算可知基体层与界面层间的残余应力为288Mpa, Al<,2>O<,3>层受拉应力, Ti<,3>SiC<,2>层受压应力).这样的应力状态有利于Al<,2>O<,3>/Ti<,3>SiC<,2>层状材料在弯曲破坏时裂纹发生偏转,同时引发了一系列的增韧机制,提高了材料的韧性.
15.钛盐水解制备二氧化钛纳米晶粒影响因素的研究
- 周武艺;唐绍裘;魏坤;周艺
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：对钛盐水解制备纳米二氧化钛的原理及影响纳米二氧化钛晶粒长大的因素,如:反应物浓度、反应温度、溶液的pH值,絮凝剂,分散剂以及陈化和搅拌时间,煅烧温度等进行了分析,得出:通过控制一定的反应条件可以获得所需的纳米晶粒.
16.Si<,3>N<,4>陶瓷粉体表面的乳液聚合改性
- 颜鲁婷;司文捷;苗赫濯
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：将微米级Si<,3>N<,4>陶瓷粉体引入甲基丙烯酸甲酯(MMA)聚合物乳液中,制备了聚合物包覆的陶瓷粉体.利用热重分析(TG)分析了聚合物的含量在3﹪~13﹪之间,随单体的加入量的增多而增多.粒度分析表明陶瓷粉体的精度稍微增大,光电子能谱分析了聚合物在粉体表面的包覆情况.粉体表面聚合的目的是提高分散性,并且增加其与有机载体的相容性.
17.钛酸铝-红柱石窑具材料的微观分析
- 曾令可;罗民华;任雪潭;王慧;程小苏;张明
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：利用钛酸铝和红柱石为初始原料进行了窑具配方的探讨,并利用XRD,SEM分析了其微观结构及发生的变化,发现红柱石可以生成针状或柱状莫来石纤维,这可以起到增韧的作用,无疑为窑具中存在纤维的最好形式.
18.《稀有金属材料与工程》写作及排版规范
- 稀有金属材料与工程杂志社编辑部
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：特别提示:此为模版文件,请将论文相应内容直接灌入,不要试图改动版式及字号.概述了《稀有金属材料与工程》的国内外影响及地位.详细介绍了本刊的写作规范(特别是参考文献)、排版格式.同时,指定了排版软件:文章正文为Word、公式为equation 3、曲线图为origin5.0、表为word.投稿时应有打印稿2~3份,磁盘1份,照片及曲线图原稿.投稿时,作者应以本写作规范作样本,从书眉、标题、大小写到格式严格、认真修改,使其与本样本一致.投稿地址为:710016陕西西安51信箱,e-mail:rmme@c-nin.com.
19.低熔点氧化物掺杂对ZnO-玻璃系压敏电阻烧结性能的影响
- 付明
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：研究了B<,2>O<,3>等低熔点氧化物掺杂对ZnO-玻璃系压敏材料电性能的影响规律,在晶粒生长动力学唯象理论的基础上,计算出了添加不同低熔点氧化物时的晶粒生长指数和反应激活能.
20.氧化锆基固体电解质水基凝胶注膜低成本制备
- 刘晓光;陈大明;李国军;仝建峰;周洋;杜林虎;李斌太
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：研究了球磨工艺、分散剂用量及固含量对YSZ料浆性能的影响,利用水基凝胶注膜低成本技术制备出100μm以内、固含量为52vol﹪的氧化锆基固体电解质薄膜坯体,其密度为理论密度的65.7﹪,强度可达37.8Mpa,并于1 600℃,4h烧成.
21.钛酸钡陶瓷中Y<,2>O<,3>掺杂过程的XRD分析
- 齐建全;李龙土;王永力;桂治轮
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：通过不同烧结温度下Y掺杂钛酸钡陶瓷的XRD分析,结合SEM微观结构观察,论述了稀土Y在钛酸钡中的掺杂机制和半导化进程.结果表明;在较低的温度下烧成时,稀土Y优先占据Ti位;页较高的温度烧结时,主要占据Ba位.Y掺杂的钛酸钡,在1 220℃左右开始半导化,在1 250℃左右烧结,可以获得最大的晶格常数.此时陶瓷体晶粒内部缺位浓度最低.
22.低温烧结Ba<,3>Co<,2-x>Zn<,x>Fe<,24>O<,41>铁氧体高频性能
- 王晓慧;李龙土;苏水源;岳振星;周济
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用柠檬酸盐法制备平面六角铁氧体Ba<,3>Co<,2-x>Zn<,x>Fe<,24>O<,41>,并对材料的低温烧结特性和高频电磁性能进行了研究.结果表明,Zn离子取代Co离子对Ba<,3>Co<,2-x>Zn<,x>Fe<,24>O<,41>成相温度、饱和磁化强度及居里温度均有较大的影响.通过加入少量助烧剂,Ba<,3>Co<,2-x>Zn<,x>Fe<,24>O<,41>平面六角铁氧体可以在900℃以下实现低温烧结,获得高密度细晶陶瓷,晶粒尺寸1.5μm~2.5μm.低温烧结的μm铁氧体陶瓷的初始磁导率μ<,i>可以达到10左右,截止频率大于1.1GHz,电阻率ρ≥10<'9>Ω·cm,比温度系数α<,rel>≤10×10<'-6>/℃.其优良的高频性能和低烧特性是制备甚高频(300MHz~800MHz)叠片式电感器的最佳材料.
23.素坯结构对PCRBSC显微组织与性能的影响
- 武七德;郭兵健;胡英松;李美娟;鄢永高
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：以石油焦粉制备纯碳素坯高温渗硅的方法制得了反应烧结碳化硅陶瓷.采用金相照片、压汞仪和密度测试等分析技术,研究了素坯结构与材料显微组织、性能的关系.提出了纯碳反应烧结碳化硅(PCRBSC)素坯结构设计的原则和结构控制的方法,为RBSC的低成本制造找到一条新路.
24.不同ZrO<,2>粉料陶瓷注射成型坯体的性能研究
- 林仕伟;司文捷;颜鲁婷;苗赫濯
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：使用水溶性PEG4000为主要成分的粘结剂,考察了注射成型ZrO<,2>陶瓷坯体的表观粘度、水萃取脱脂速率和烧结性能.研究各种因素影响:考察颗粒粒径、颗粒分布和ZrO<,2>粉末固相含量对粘度、水萃取脱脂速率的作用;分析不同粉料的烧结性能.实验结果表明,使用PEG-PP-SA体系的有机粘结剂体系,采用水萃取脱脂工艺,能有效除去有机成分PEG,有利于后续的热脱脂和烧结,能够大大提高脱脂效率.
25.几种聚合物分散剂对α-Al<,2>O<,3>悬浮液稳定性的影响
- 肖华萍;王海亭;陈磊;张灿英;胡正水
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：研究了几种聚合物分散剂用量、pH值等对微米级α-Al<,2>O<,3>陶瓷悬浮液稳定性的影响.结果表明,3种分散剂对α-Al<,2>O<,3>粉体的悬浮液均具有良好的稳定作用,其中P(AA-VA)的稳定效果优于另外两种.
26.ZrO<,2>基透气性陶瓷材料的研制
- 刘军;佘正国
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用在(Ce,Y)-TZP-Al<,2>O<,3>基体中加入TEOS和碳酸盐的方法制备ZrO<,3>基透气性陶瓷材料.结果表明,在(Ce,Y)-TZP-Al<,2>O<,3>基体中加入适量TEOS和碳酸盐,在一定工艺条件下可以制得透气性好且强度高的透气性材料,所研制材料的透气度高,且与一般的多孔材料相比具有较高强度,可以用于一些透气性模具的制造.
27.均匀沉淀法制备粒径可控的Al<,2>O<,3>微粉
- 王传彬;张桂芳;张联盟
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：以硫酸铝和尿素为主要原料,进行了均匀沉淀法制备粒径可控Al<,2>O<,3>微粉的研究.首先利用测定反应过程中pH-t曲线的变化规律,分析了均匀沉淀法制备Al<,2>O<,3>微粉的反应历程,为确定沉淀反应的始点提供了合理的实验判据:pH=6.随后,重点研究了反应物初始浓度和反应温度,可以控制均匀沉淀反应过程,影响Al(OH)<,3>胶体的成核与核长大速率,进而能够得到粒度和粒度分布可控的Al<,2>O<,3>微粉.
28.关于陶瓷材料压痕韧性的Anstis公式的讨论
- 龚江宏;王军求;关振铎
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：对Anstis等人提出的压痕韧性计算公式进行了分析,发现在这一公式的推导过程中对硬度参数的定义存在前后矛盾.常规方法测得的硬度值(称为表观硬度)通常表现出显著的压痕尺寸效应,不能用于压痕韧性计算.本文在引进真实硬度概念的基础上,对Anstis公式进行了修正,并借助于文献报道的实验数据,就修正的Anstis公式的合理性和适用性进行了验证.
29.氮化硅陶瓷压痕韧性的统计性质
- 王军求;龚江宏;关振铎
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：早期的研究表明陶瓷材料的压痕韧性服从Weibull分布.但是,本研究对一种热压烧结氮化硅陶瓷的断裂韧性进行的统计分析却发现:在较低的荷载下测得的压痕韧性的Weibull分布曲线表现出了显著的非线性.这一非线性的Weibull分布可以归因于压痕裂纹形状所发生的从almqvist到半饼状的过渡变化.
30.应用海藻酸钠凝胶的水基流延工艺研究
- 余志勇;黄勇;崔学民;欧阳世翕
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：介绍了1种新的流延成型工艺.介绍了成型的原理;研究了分散剂对浆料流变特性的影响,以及乳胶对浆料流变特性和坯体强度的影响;利用Ca(IO<,3>)<,2>的溶解度随着温度显著提高的特点,实现了对凝胶反应的控制,获得了高质量的流延坯片.
31.利用熔盐反应法在AIN陶瓷表面制备Ti金属化薄膜
- 张喆;潘伟;李建强
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：利用熔盐反应法,成功地在AIN陶瓷表面制备了Ti金属化薄膜.研究了金属化处理时间、温度和反应物(氟钛酸钾)初始浓度对薄膜显微结构的影响.结果表明,随着时间的增加,温度的升高,反应物(氟钛酸钾)浓度的增大,薄膜中的Na<,2>Ti<,3>Cl<,8>相减少,TiN相增加.对其原因做了简单分析,还对薄膜的形成过程进行了讨论.
32.外载荷对双层结构热障涂层热应力的影响的有限元分析
- 张雁纪;赵明;马岳;张跃
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：热障涂层;有限元法;应力分布;失效机理;ZrO<,2>陶瓷层;热应力
33.热液合成刚玉在电工及特种玻璃行业的应用
- 蒋蒙宁;潘伟;陈德春;刘喜润
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：热液合成的刚玉微粉,可用于电工绝缘材料和快速低熔点玻璃粉粘结剂制造.通过特定的性能测试,结果表明:热液合成刚玉微粉具有良好使用性能.
34.碳含量对Ti-Al-C体系燃烧合成Ti<,2>AlC粉体的影响
- 郭俊明;陈克新;周和平;郭小钧;葛振斌;宁晓山
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：实验表明,碳含量和燃烧反应温度对Ti-Al-C体系燃烧合成Ti<,2>AlC粉体影响很大.随着碳含量的增加,燃烧产物中Ti<,2>AlC相的含量近似呈对称分布;随燃烧反应温度的升高,Ti<,2>AlC相的含量变化规律与随碳量变化基本一致.当固定Ti/Al为2:1(摩尔比),原料中碳量含在0.7mol~0.8mol之间,燃烧合成产物主要是Ti<,2>AlC相.从反应物原料摩尔配比和热力学原理角度,探讨了不同碳含量对燃烧产物组成的影响机理.
35.冷冻浇注成型工艺条件对RBSC显微结构的影响
- 唐婕;陈玉峰;王华;樊启晟
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：研究了炭黑/碳化硅水基料浆通过冷冻浇注工艺成型的样品经反应烧结后的显微结构特征,分析了冷冻方式、料浆固相体积分数等因素对显微结构的影响.
36.高固含量水基炭黑/碳化硅悬浮体的制备
- 王华;陈玉峰;唐婕;樊启晟
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用近净尺寸成型技术制备的反应烧结碳化硅素坯具有形状精度高、坯体均匀且可加工等优点,高固相炭黑/碳化硅悬浮体的制备是近净尺寸成型工艺的关键技术.以炭黑和碳化硅为初始原料,选择合适的分散剂,通过优选工艺参数,成功制备出固相体积分数为60﹪粘度小于1Pa·s的炭黑/碳化硅水基悬浮体.并详细研究了水基炭黑/碳化硅悬浮体的流变特性.
37.烧成温度对可加工Ce-ZrO<,2>/CePO<,4>陶瓷性能及结构的影响
- 刘志锋;杜海燕;邱世鹏;李益欢;李岩;于爱兵;刘家臣
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：烧成温度对可加工Ce-ZrO<,2>CePO<,4>陶瓷性能及结构的影响研究了烧成温度对可加工Ce-ZrO<,2>CePO<,4>陶瓷材料的性能和结构的影响.实验结果表明,Ce-ZrO<,2>CePO<,4>陶瓷材料的力学性能随烧成温度变化很大,在1 550℃下Ce-ZrO<,2>CePO<,4>体系中可形成强弱界面相互分布的网络结构,在弱界面处裂纹可发生偏转、分支、桥联等形式,从而在保证该材料具有可加工性的同时仍可维持较高的力学性能.
38.工业原料制备氧化锆陶瓷材料的研究
- 杨庆伟;陈淑权;杨东亮
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：研究了以工业氧化锆为主要原料,通过添加不同种类的稳定剂和其他添加剂,利用传统的注浆成型工艺,研制开发了性能优异的氧化锆陶瓷材料.
39.不同Z值β-Sialon抗高炉渣侵蚀和渣侵界面分形维数的研究
- 黄朝晖;潘伟;孙加林;王金相;洪彦若
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：对用铝粉、硅粉和氧化铝粉在1 500℃的流动氮气中制备的不同Z值β-Sialon材料的抗高炉渣侵蚀的能力进行了研究.结果表明:β-Sialon的抗高炉渣侵蚀能力随Z值的减少而增强.采用Variation法研究得出β-Sialon与渣侵反应界面类海岸线的分形维数在1.34~1.49范围内.随着β-Sialon试样Z值的降低,其分形维数下降,材料表现良好的抗高炉渣侵蚀的能力.
40.钛酸钡粒度对贱金属内电极陶瓷电容器材料介电性能的影响
- 陈仁政;王晓慧;文海;李龙土;桂治轮
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：钛酸钡粉体的粒充对电容器陶瓷材料的介电性能有着决定性的影响.通过对原始晶粒为100nm的钛酸钡粉体进行热处理,即分别在800℃,900℃,1 000℃温度下进行预烧,获得不同粒度大小(分别为130nm,190nm,300nm)的钛酸钡.将这些粉体进行掺杂,在1 300℃,还原气氛下进行烧结成瓷.用HP4192A测试了陶瓷材料的介温性能.用扫描电镜观察了不同温度处理后钛酸钡粉体的烧结后陶瓷表面的形貌.试验结果表明,使用较高预烧温度处理(900℃,1 000℃)的钛酸钡粉体进行掺杂得到的陶瓷具有优良的介温性能,室温介电常数分别达到2 100,2 600,并且满足X7R性能.结合钛酸钡的尺寸效应以及"芯-壳"结论,讨论了预烧温度影响钛酸钡的晶粒,从而影响了陶瓷的介电性能.
41.热压烧结PZN-PZT压电陶瓷的温度稳定性研究
- 田莳;李小兵;赵建伟
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用热压烧结方法制备了3种不同锆含量的掺La 0.3PZN-0.7PZT压电陶瓷,并测试了材料的室温压电应变常数d<,33>,其中1种锆含量为52﹪的热压样品其d<,33>值高达740 pC/N.测定了PZN-PZT陶瓷的谐振频率f<,r>,弹性柔顺系数S<,11><,E>,相对介电常数ε<,r>,相电耦合系数K<,31>和压电应变数学d<,33>等性能随温度的变化.研究表明,锆含量为48﹪时,热压烧结样品的温度稳定性最佳.常压和热压烧结的PZN-PZT陶瓷的温度稳定性比较结果表明,热压烧结的样品具有更为优良的温度稳定性.
42.智能型调湿陶瓷材料的研究与开发
- 杜尚丰;梁云;陈运法
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：通过选择性溶解处理煤系高岭石硬质土矿,制备了成本低廉的智能型温度调节陶瓷材料.采用物理化学吸附仪和水蒸汽吸附量测定装置对烧结体的性能进行了表征.结果表明,烧结体的比表面积为103.3m<'2>/g,细孔容积为0.171cm<'3>/g,孔径平均尺寸分布在2nm附近,且通过改变制备的工艺条件可使烧结体的微孔在2nm~10nm范围内可控.微孔尺寸为2nm的烧结体,在相对湿度50﹪~75﹪范围内的水蒸汽吸附量有一个比较迅速的增长,而在高湿度范围内增加较少,能够很好地符合陶瓷材料有效地调节空气湿度的要求,说明可以在建筑材料中用作空气湿度调节材料.
43.溶胶-凝胶法制备LTNO陶瓷及其热电性能研究
- 邬俊波;南军;赵淑金;林元华;邓元;南策文
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：通过溶胶-凝胶法(sol-gel)合成了锂钛共掺杂NiO(LTNO)的前驱体纳米粉,然后经高温烧结得到LTNO陶瓷.实验中测试了样品的导电率,Seebeck系数及热导率随温度的变化曲线,并且计算了材料的功率因子(PF)和无量纲品质因子(ZT).讨论了两2杂质的不同作用,并且研究了该类陶瓷的导电机理.结果表明:LTNO陶瓷具有显著的热电效应,在1070K时,其功率因子PF=10<'-4>W/mK<'2>.Li和Ti的掺杂显著地改善了材料的热电性能.
44.二次锂电池用固态聚合物电解质
- 范丽珍;党智敏;施展;南策文
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：总结了评价二次锂电池用聚合物电解质的性能指标及共相应的测试方法,提高聚合物电解质性能的手段及各自的优缺点,对固态聚合物电解质的发展和应用前景做了展望.
45.B位改性钛酸铅陶瓷的介电和压电性能研究
- 韦国丹;徐志成;邓元;南策文
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：制备了一系列以Ni<'4+>和Nb<'5+>B位取代Ti<'4+>的新型改性PT压电陶瓷材料.典型配方主要性能参数:ε<,33><'T>/ε<,0>=134,tan δ=0.0005,k<,t>/kp=31,τε=168×10<'-6>/℃,N<,t>=5023(kHz mm),d<,33>=40×10<'-12>C/N.获得了低介电常数、低介电常数温度系数、损耗小和大各向异性的压电陶瓷材料,适合高温高频陶瓷谐振器、降压变压器和超声换能器应用.
46.TiO<,2>纳米薄膜在Al<,2>O<,3>基片上的形成与生长
- 杜海燕;徐明霞;徐廷献
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：以Ti(Bu)<,4>为原料,采用溶胶-凝胶法在Al<,2>O<,3>基片上制备TiO<,2>纳米薄膜.考察了不同溶胶浓度和基片表面形貌对膜结构及TiO<,2>晶粒形貌的影响.结果表明:采用较低浓度的溶胶逐层热处理,将通过种子层对薄晶粒成核与生长的影响,得到晶粒细小、均匀、无开裂的TiO<,2>纳米薄膜,且薄膜与基片的结合紧密.而较高浓度的溶胶采用相同工艺得到的薄膜中,TiO<,2>晶粒较大且不均匀.晶粒与晶粒、晶粒于基征间的结合松散.粗糙的基征表面导致膜表面缺陷,在凹陷处易产生裂纹.由于表面形态对晶粒成核与生长的影响,在基片晶粒交界处,膜晶粒生长良好.
47.Bi离子对BaO-Nd<,2>O<,3>-TiO<,2>系微波介质陶瓷结构与性能的影响
- 唐子龙;张中太;金苗
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：用Bi<'3+>离子取代Nd<'3+>离子可以对Ba<,6-3x>Nd<,8+2x>Ti<,18>O<,54>固溶体的结构和性能进行调整.小取代量的Bi<'3+>离子有助于烧结的致密化并使介电常数增加.取代量较多时,由于Bi<'3+>离子的高温挥发导致了BaM<,2>Ti<,9>O<,20>等第二相的出现,并降低了烧结密度和介电常数. Bi<'3+>离子取代造成了介质损耗的上升而温度系数得到改善.
48.掺杂Yb<'3+>改性的Na<,0.5>Bi<,0.5>TiO<,3>基压电陶瓷的合成及其性能研究
- 林元华;王建飞;马轲;蒋磊;李巍;南策文
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用固相烧结法制备出掺杂稀土Yb<'3+>的Na<,0.5>Bi<,0.5>TiO<,3>基压电陶瓷,研究了Yb<'3+>对Na<,0.5>Bi<,0.5>TiO<,3>压电陶瓷的相结构,介电性质,压电性能的影响.结果表明,经900℃预烧2h的粉体,已经大部分生成NBT主晶相,成型后于1 150℃烧结2h~3h,可以得到致密的NBT陶瓷.Yb<'3+>掺杂对Na<,0.5>Bi<,0.5>TiO<,3>基陶瓷的介电常数和介电损耗影响不大,但对压电常数有一定的影响.当在NBT陶瓷中掺杂0.02molYb<'3+>时,d<,33>能达到64pC/N左右.
49.溶胶-凝胶法制备BaBi<,4>Ti<,4>O<,15>粉体
- 史慧;潘伟;谢丹
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：以钛酸四丁酯、硝酸饿和醋酸钡为原料,用溶胶-凝胶法制备了BaBi<,4>Ti<,4>O<,15>粉体.利用TG-DTA技术、XRD、粒度分析等手段对合成的BaBi<,4>Ti<,4>O<,15>粉体的结晶情况以及粒度分布进行了分析和表征.结果表明,在前驱体溶液pH值为3.5,热解温度为350℃,升高速率为10℃·min<'-1>的条件下,在750℃煅烧,可以获得分布范围为150nm~200nm、平均粒度为175nm左右的BaBi<,4>Ti<,4>O<,15>粉体.
50.纳米压痕法测量PZT压电薄膜的界面强度
- 郑学军;周益春
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：用sol-gel法制备了锆钛酸铅Pb(Zr<,0.52>Ti<0.48>)O<,3>(PZT)压电薄膜,用纳米压痕技术测量PTZ压电薄膜的界面强度.考虑压电效应对薄膜界面强度.考虑压电效应对薄膜界面强度的影响,提出弹性地基梁模型.将采用该模型测量的PZT薄膜界面强度与未考虑薄膜压电性的压痕法和划痕法的测量结果进行比较,得出其压电效应会降低PZT薄膜的界面强度.
51.脉冲激光热冲击对PZT压电薄膜性能的影响
- 言智;郑学军;周益春;唐新桂
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用金属有机物热分解(MOD)法制备了锆钛酸铅(PbzrTiO<,3>PZT压电薄膜,应用高功率脉冲激光作用在PZT薄膜上,研究脉冲激光的热冲击对PZT薄膜性能的影响.发现经过激光作用后,PZT薄膜的铁电性能发性变化,剩余极化强度值变小,矫顽电压基本不变,疲劳性能变化不大.最后讨论分析了产生这种现象的微观机理.
52.(Mg,Sr)Al<,2>O<,4>:Eu,Dy超长余辉磷光体的水化及发光特性
- 苏雪筠;吕明
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：研究了(Mg,Sr)Al<,2>O<,4>:Eu,Dy超长余辉磷光体的水化过程,经X射线衍射分析发现,(Mg,Sr)Al<,2>O<,4>遇水首先形成碱式盐SrAl<,3>O<,5>(OH),而后是氢氧化物,最后碳化为SrCO<,3>.发光光谱分析显示水化后磷光体的发光强度降低,发光光谱蓝移.
53.TiO<,2>-BaO-ZnO-ZrO<,2>系高折射率光学玻璃材料的分相与析晶
- 蒲永平;朱振峰;钱康;陈寿田
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用XRD,SEM,DTA等手段对自制的TiO<,2>-BaO-ZnO-ZrO<,2>高折射率玻璃微珠系统的分相与析晶机理进行了探讨.发现该系统玻璃的分相机理为不稳分相机理,存在着极大的析晶倾向.在1000℃进行热处理,析出的两种主晶相为Ba<,2>TiSi<,2>O<,8>和BaTi<,5>O<,11>,析晶温度范围为727.92℃~1200℃.
54.Ti-Al/TiC复合材料及其微观结构分析
- 卢志华;孙康宁;王素梅;王德云;刘睿
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：以Ti,Al,TiC粉末为原料,通过热压烧结得到了Ti-Al/TiC复合材料,利用SEM,EDS,XRD研究了Ti-Al/TiC复合材料的相组成和微观结构.观察发现在生成Ti<,3>Al的同时,出现了个别晶粒的异常长大,不利于性能的进一步提高.为此,利用DTA初步探讨了导致晶粒长大的可能原因,并给出了防止晶粒异常长大的方法.分析认为:晶粒尺寸分布不均和系统本身的化学反应是晶粒异常长大的主要原因.
55.铝电解阴极用TiB<,2>基复合材料的研究现状
- 韩欢庆;卢惠民;邱定藩
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：TiB<,2>具有熔点高、导电率高、硬度大、耐熔融铝液和冰晶石熔体的浸蚀、能被铝液良好润湿等特点,是铝电解惰性阴极材料的首选.本文介绍了TiB<,2>涂层、TiB<,2>基复合材料的研究现状.
56.三维编织石英纤维增强SiO<,2>基复合材料的研制
- 陈虹;贾光耀;张伟儒;陈达谦;齐健梅;张联盟
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：研究了用注凝成型工艺制备3向石英纤维增强石英基体复合材料,并探讨了该复合材料的显微结构、力学性能及增韧机理.结果表明:该复合材料具有高的抗弯强度及断理解反应.试样断口的扫描电镜观察分析表明,界面脱粘及纤维拔出吸收了大部分断裂能,是材料呈现出假塑性和增韧机制的主要原因.
57.压电正交异性复合材料的构造及功能研究
- 骆英;刘军
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：研究了具有压电正交异性特性的压电复合材料及其压电正交异性传感功能元件、驱动功能元件的构造机理、性能.压电正交异性复合材料在相互垂直的两主方向上呈现出明显的压电特性差异,作为传感元件它能够有效地分解构件中的应力、应变分量,对特定方向上的应力波反应灵敏.作为驱动片,压电正交异性复合材料在相互垂直的两主方向表现出相反的变形,该特性符合一般工程材料的变形规律.压电正交异性复合材料所具有的上述优越特性可使得它们的自诊断、自适应智能结构中发挥更加重要和广泛的作用.
58.不同形貌的SnTe纳米晶的低温合成
- 邓元;韦国丹;刘静;周西松;邬俊波;南策文
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：利用溶剂热反应,SnCl<,2>与Te在100℃~180℃反应生成不同形貌的纳米SnTe粉末.其中N,N-二甲基甲酰胺为溶剂.产物用X-射线粉末衍射(XRD)和透射电镜(TEM)进行了表征.产物的形貌和大小与反应温度和时间有关,SnTe晶体的生成有2种可能机制.
59.Al<,2>O<,3>-TiC/Ti(C,N)复合陶瓷无压烧结致密度的研究
- 刘亮;齐龙浩
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：使用不同粒度级配的Al<,2>O<,3>-TiC/Ti(C,N)体系进行无压烧结研究,考察粉料粒度对无压烧结致密度的影响;研究烧结工艺制度对Al<,2>O<,3>-TiC/Ti(C,N)复合陶瓷无压烧结致密度的影响.实验结果表明,Al<,2>O<,3>和 TiC/Ti(C,N)粉料粒度的降低,能明显的提高无压烧结的致密度;使用细粒度的Al<,2>O<,3>和 TiC/Ti(C,N)粉料,在1780℃无压烧结可获得较致密的Al<,2>O<,3>-TiC/ Ti(C,N)复合陶瓷,在实验中观察到Al<,2>O<,3>-TiC/Ti(C,N)中的分步致密化过程.
60.不同填料填充的聚合物复合材料的介电特性研究
- 党智敏;沈洋;范丽珍;赵淑金;南策文
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：利用HAAKE制备了以不同的导电物质如碳纤维(CF)、铜和镍粉为填料,以低密度聚乙烯LDPE)为基体的复合材料,着重研究了这些材料在不同的测试频率时的介电性能以及不同填料的体积分数时的介电性能.实验获得的材料的介电性能可以用填料的电导率参数和异质体系结构的界面极化作用来解释.扫描电镜(SEM)获得的复合材料形貌给实验的解释作了有力的佐证,并提出了材料性能与微观结构之间的关系.认为通过添加合适的导电填料和控制合适工艺过程可以制备用于电子工业的高介电常数的复合材料.
61.纳米氧化锌的制备及其对复合材料介电性能的影响
- 赵淑金;党智敏;沈洋;范丽珍;南策文
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：利用沉淀法制备了粒径为50nm~90nm的氧化锌(n-ZnO)粉末.将这种氧化锌粉末添加到低密度聚乙烯(LDPE)中制备复合材料,测定了在1MHz~10MHz频率范围内这种复合材料的介电特性.结果表明,复合材料中纳米氧化锌的含量越大,该材料具有较大的介电常数和介质损耗,测试频率越高,这种影响越大.另外,制备试样时在HAAKE机上的混合温度和时间也对介电性能有重要到影响,混合时的高温和长时间可以使聚合物基体氧化和分解,形成一些极性分析,因此在这种工艺条件下制备的材料具有高的介电常数和介电损耗.
62.SiC/Si复相材料的高温氧化
- 吕振林;李世斌;高积强;金志浩;李贺军
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：研究了反应烧结方法制备的SiC/Si复合材料900℃和1300℃的高温氧化过程,为SiC/Si复相材料的高温应用及减缓高温氧化提供参考.结果表明, SiC/Si复相材料的高温氧化动力学遵循近似抛物线规律,随碳化硅粒子尺寸的增大, SiC/Si复相材料的氧化程度降低.分析了SiC/Si复相材料的氧化过程和氧化产物.
63.光催化复合涂膜的制备及性能研究
- 曾令可;罗民华;黄浪欢;王慧;程小苏;张明
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：将TiO<,2>的光催化作用及活性炭的吸附作用结合在一起,制备了光催化复合涂膜,当活性炭及TiO<,2>掺量比为1:9时,复合涂膜光催化活性最优;并根据Langmuir-Hinshelwood动力学方程,求导了复合涂膜对甲基橙溶液光降解反应的动力学常数及吸附平衡常数,从反应动力学的角度其活性炭吸附作用对复合涂膜光催化性能的提高作出解释.
64.煤矸石合成β-Sialon/SiC复相陶瓷粉体中温度的作用
- 黄明华;潘伟
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：用煤矸石添加30﹪的石墨经碳热还原氮化不直接制取β-Sialon结合SiC复相陶瓷粉体,其相变过程受诸多因素的影响,如:反应温度、保温时间、N<,2>气流量等实验条件.反应温度对合成相变过程起比较重要和敏感的作用.通过XRD,EDS,SEM分析方法和热力学分析,阐明了温度对物相演变过程的作用,并确定了最适宜的合成工艺条件为:1500℃,保温3h.在此条件下可获得纯度为95﹪的β-Sialon/SiC复相陶瓷粉体.
65.陶瓷颗粒增强金属基复合材料的高温拉伸与热冲击性能
- 周益春;龙士国
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：高温金相显微镜测量了SiC颗粒增强Al-Li合金复合材料分别在常温、100℃,200℃,300℃时的应力-应变曲线,在扫描电子显微镜下观察了不同温度下材料拉伸破坏的断口形貌.利用脉冲激光对这种材料进行了热冲击实验,发现颗粒破碎是裂纹扩展的主要形式;测量了其热-力耦合破坏的损伤阈值和断裂阈值.并对这种材料的高温性能与热冲击性能进行了比较.
66.羟基磷灰石生物陶瓷的发展趋势展望
- 李爱民;孙康宁;尹衍升;卢志华;于胜吉;毕见强
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：主要对羟基磷灰石生物陶瓷的发展状况、趋势进行了分析与展望,认为多孔羟基磷灰石材料以及羟基磷灰石复合材料是该类材料今后发展的两个重要方向.
67.用辉光放电等离子体氧化法合成TiO<,1+x>生物陶瓷
- 郑传林;贺志勇;徐重;崔福斋
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：Ti-O膜或TiO<,1+x>膜是一种生物相容性很好的生物陶瓷材料.本文提出了合成该类陶瓷材料的1种新方法即辉光放电等离子体氧化法.并对离子轰击现象以及工艺参数对钛氧化层结构的影响做初步的探讨.结果表明,氧化膜厚度与氧分压、温度和时间呈明显对应关系.特别是,在空心阴极辉光放电条件下,离子轰击加强氧的离化、促进渗氧、有助于低价态氧化物的形成.
68.烧结法制备氟硅云母玻璃陶瓷
- 田杰谟;曹小刚;王晨
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用烧结法制备了氟硅云母玻璃陶瓷.在780℃以下烧结时,烧结机制为典型的无定性相粘性流动机制;在780℃以上温度烧结时,烧结体内存在着粘性流动和晶体生长两种现象.烧结体具有良好的物理性能和力学性能.热膨胀系数为9.2×10<'-6>C<-1>,弹性模量为54.1±1.1Gpa,抗弯强度为122.1±1.Gpa,抗弯强度为122.1±10.7Mpa,显微硬度为4.20±0.29Gpa,断裂韧性为0.95±0.05Mpa.m<'1/2>.
69.氟含量和热处理温度对氟硅云母玻璃陶瓷抗弯强度的影响
- 曹小刚;王晨;田杰谟
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：对氟硅云母玻璃陶瓷而言,原始玻璃中氟含量越高,则热处理后晶体的含量越高,抗弯强度越大.当氟含量为17.1mol﹪时,抗弯强度随着热处理温度的升高而增加;当氟含量为11.4mol﹪和14.2mol﹪时,当热处理温度为1000℃及以上时,抗弯强度随着热处理温度的升高而增加,在950℃保温时,由于晶粒周围存在着压应力,使得抗弯强度高于在1000℃处理后的值.
70.低温等离子体处理羟基磷灰石提高生物活性的研究
- 苏葆辉;冉均国;陈治清
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：结构的变化,并用蛋白吸附和体外成骨细胞培养评价其生物活性,探讨提高材料生物活性的机制.研究获得的最佳工艺参数为:功率370W、流量NH<,3>250ml/min N<,2>100ml/min、处理时间90min.检测结果表明在HA中引入了氨基和羟基等生物活性基团;蛋白吸附和成骨细胞培养证实改性后的HA能促进成骨细胞的生长和AKP活性的增加.HA改性后氨基羟基被引入了材料,材料生物活性提高.
71.泡沫原位凝胶法制备生物多孔陶瓷
- 李信勇;王晓燕;董晋;王晨;田杰谟
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用泡沫原位凝胶法制备多孔框架,并讨论此方法的实验工艺.实验表明,制备40﹪(体积分数)的浆料,采用该方法可以得到较为理想的结果.
72.含碳酸根的羟基磷灰石陶瓷材料的研究
- 高月侠;冉均国;苟立;王方瑚
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用Ca(OH)<,2>-CaCO<,3>-H<,3>PO<,4>-H<,2>O体系,按所拟定的新工艺制得了含碳酸根的羟基磷灰石,经XRD和IR分析证实该磷灰石是无杂相可能有B位置换的含碳酸根羟基磷灰石,其Ca/P>1.67,溶解性能是纯羟基磷灰石的7倍左右.
73.无机材料毫米波处理的初步研究
- 罗积润;袁广江;粟亦农;赵世玺;刘韩星;潘伟;张燕生;郭炜;郑雷;栾远涛;吴德顺;吴尔生;苗咏环
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：基于自行研制的毫米波材料处理系统,对Al<,2>O<,3>,ZnO,Nd<,2>Ti<,3>O<,9>,LiMn<,2>O<,4>尖晶石等材料进行了烧结和固相化学合成的实验研究.对毫米波烧结Al<,2>O<,3>,ZnO,Nd<,2>Ti<,3>O<,9>陶瓷和合成LiMn<,2>O<,4>尖晶石进行了相对密度测量以及XRD和SEM分析.实验结果表明,毫米波与材料相互作用的热效应和非热效应对提高升温速率、降低处理温度以及改善材料性能等方面作用明显.
74.磁控溅射ZAO薄膜工艺参数对其性能的影响
- 付恩刚;庄大明;张弓;侯亚奇;吴敏生
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：利用中频交流磁控溅射方法采用氧化锌铝(98﹪ZnO+2﹪Al<,2>O<,3>)陶瓷靶材制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,考察了基体温度和工作气压对ZAO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响,利用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪测量了薄膜的光学、电学特性,利用霍尔测试仪测量了薄膜的载流子浓度和霍尔迁移率.结果表明:沉积薄膜时的基体温度和工作气压对薄膜的结构、结晶状况、可见光透过率以及导电性有较大的影响.当基体温度为250℃,氩气分压为0.8Pa时,薄膜的电阻率最低,为4.6×10<'-4>Ω·cm,方块电阻为32Ω时,可见光(γ=550nm)透过率高达91.8﹪.
75.Eu:YAG纳米粉体的制备
- 张俊计;宁金威;刘学建;潘裕柏;黄莉萍
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用一种新的粉体合成技术,即溶胶-凝胶/燃烧合成相结合的方法,在900℃的热处理2h的条件下制备出了单相的Eu:YAG纳米粉体.XRD结果表明,YAG相由无定形物质直接形成,热处理过程中没有中间相出现.比表面积测定和电镜观察结果表明,该方法所制备的粉体粒度均匀,平均尺寸约为50nm.在240nm紫外光激发下,Eu:YAG纳米粉体的发射光谱是由占主导地位的590nm和610nm附近锐发射谱线所组成.
76.高技术陶瓷工业的顶极挑战——铝电解惰性阳极的研制
- 赵群;邱竹贤
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：简述了铝电解工业中惰性阳极课题的研究,着重介绍了金属陶瓷材料和氧化物陶瓷材料在惰性阳极领域中的应用,对目前研究最多的、最有希望的金属陶瓷基惰性阳极进行了详细的介绍,深入探讨了其中存在的问题,最后对高技术陶瓷行业在铝电解惰性阳极领域以及其它领域中所面临的机遇与挑战进行了阐述.
77.纳米Fe-Al金属间化合物的制备及表征
- 郝春城;崔作林;尹衍升;张志琨
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：利用两种方法制备了纳米Fe-Al金属间化合物.1种是利用氢电弧等离子体法在自制的设备中以Fe-28Al-5Cr块体材料为原料,利用电弧高温蒸发制备出纳米Fe-Al基金属间化合物,该方法制得的纳米粒子呈球形,平均粒度30nm,为B2相结构.在600℃真空退火1h后,纳米粒子发生了B2→D03相转变.第2种是利用机械合金化方法,将氢电弧等离子体法制备的纳米金属铁,铝单质置于球磨罐中混合湿磨,发现湿磨10h形成了Fe-Al金属间化合物.
78.利用熔盐反应法在SiC陶瓷表面制备Ti金属化薄膜
- 李建强;潘伟;潘紫霄;李荣缇
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：利用熔盐反应法,成功地在SiC陶瓷表面制备了Ti金属化薄膜.研究了金属化处理温度和时间对薄膜显微结构的影响,结果表明,随着温度和时间的增加,薄膜中的Na<,2>Ti<,3>Cl<,8>相减少,Ti<,5>Si<,3>相增加.通过观察不同处理时间薄膜的表面形貌,发现该薄膜的生长方式为核生长型.并对薄膜的形成过程进行了讨论.
79.热压烧结工艺对Ti(C,N)基金属陶瓷性能的影响
- 何林;黄传真;孙静;刘含莲;艾兴
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：对Ti(C<,0.7>N<,0.3>)-(Ni-Co)-Mo<,2>C-Cr<,3>C<,2>金属陶瓷热压烧结工艺研究表明:烧结温度的升高、保温时间的延长不利于抑制晶粒长大;1450℃烧结的金属陶瓷穿晶断裂面上存在利于增韧的弯曲解理纹路;1450℃烧结,30min保温的热压烧结材料晶粒最细,穿晶断裂面上的解理纹路最多以及沿晶断裂面弯曲,因而其抗弯强度和断裂韧性最高.
80.光纤连接器用氧化锆陶瓷插针体的制备
- 马天;黄勇;杨金龙
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：以部分稳定氧化锆(PSZ)为材料,采用胶态注射成型工艺,制备了光纤连接器用氧化锆陶瓷插针,并对获得的坯体特性进行了表征.
81.Gel-casting法制备部分稳定氧化锆(3Y)陶瓷
- 仝建峰;杜林虎;陈大明
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：(3Y)陶瓷烧结体的抗弯强度达852MPa,断裂韧性达7.38 MPa·m<'1/2>.">利用凝胶注模方法制得了氧化钇部分稳定氧化锆陶瓷.详细研究了固含量、分散剂、球磨时间对氧化锆料浆性能的影响.结果表明:利用中性分散剂JA282成功制备出了体积含量高达55﹪,且具有良好流动性的ZrO<,3>(3Y)陶瓷水基料浆;随料浆固含量的降低,ZrO<,2>(3Y)陶瓷水基料浆"剪切增厚"的临界剪切速率呈明显的升高趋势;随着球磨时间的延长,料浆的粘度首先是降低,随后出现一个平台区域,如果球磨时间继续延长,料浆的粘度将变大.利用SEM研究了干燥后氧化锆陶瓷坯体的内部形貌和烧结体的断口形貌,最终测试了部分稳定氧化锆陶瓷的部分物理性能和力学性能,凝胶铸模ZrO<,3>(3Y)陶瓷烧结体的抗弯强度达852MPa,断裂韧性达7.38 MPa·m<'1/2>.
82.核壳结构型Ni-Al<,2>O<,3>复合粒子制备的成核机制
- 李群艳;陈运法
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：以硝酸铝为原料,碳酸氢钠为沉淀剂,采用原料注入方式,控制沉淀反应在微区进行,室温下制备核壳结构型Ni-Al(OH)<,3>粒子,然后经热处理制备得到Ni-Al(OH)<,3>复合粒子.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了镍粒子表面的壳层形貌,讨论了不同反应条件下的成核机制,借助X射线能谱分析法(EDS)和背散射照相对表面层中Al、Ni两种元素的相对含量进行了表征.
83.有机溶剂热法合成半导体单质碲棒和管
- 韦国丹;邓元;蔡强;刘静;南策文
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：半导体碲位于第Ⅵ族,其六方相的晶格排列呈螺旋链状结构,在工业中的应用范围较为广泛.本工作在有机溶剂热合成技术基础上,以DMF为溶剂,以MCM-41为生长助剂,在碱性条件下合成了微米级的不同形状的碲棒和管.碲的冷却速度在碲的形貌控制生长中具有重要的作用.并用XRD,SEM对碲进行结构和形貌的分析.
84.溶胶-凝胶法制备BaTiO<,3>薄膜
- 杨雪帆;曲远方;马卫兵;宋健静
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：介绍了近几年业溶胶-凝胶制备BaTiO<,3>系薄膜的发展状况,侧重于稳定溶胶的配制.总结了原料、溶剂、鳌合剂等选用对于溶胶配制的影响.
85.低介高频堇青石材料的溶胶凝胶法合成
- 王寒风;周和平;王少洪;宁晓山;陈克新
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用溶胶-凝胶法制备了烧结性能良好的堇青石材料,研究了试样的配方组成、合成温度、保温时间等对堇青石介电常数的影响,讨论了堇青石的析晶过程.添加Bi<,2>O<,30>和B<,2>O<,3>有助于降低堇青石的烧结温度.结果表明,该材料在高频(1GHz以上)下有火车头低的介电常数(3.5)和介电损耗.
86.用Zr/Ta复合中间层热压扩散连接C/SiC和镍基高温合金
- 张建军;李树杰;段辉平;张艳
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：研究用Zr/Ta复合中间层通过真空热压扩散焊工艺连接碳纤维增强SiC(C/SiC)和GH128型镍基高温合金.扫描电镜(SEM)分析显示,各界面接合良好,断裂部位绝大部分位于靠近连接界面的C/SiC母材内部,断口表面有大量从C/SiC母材中脱粘拔出的C纤维和浸渗入陶瓷基体孔隙中的金属中间层凸起.能谱(EDX)分析表明,元素在连接界面发生了互扩散.在实验范围内,当连接温度为1000℃时,随保温时间的延长,接头抗弯强度先升高后降低,最高达96.60Mpa;当连接温度分别为1030℃,1050℃时,接头抗弯强度随保温时间的延长逐渐降低,最后逐渐趋于稳定,最高抗弯强度值为110.89Mpa.
87.原位合成SiBON复合材料的制备与组织结构
- 温广武;张俊宝;雷廷权;周玉
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：从非晶态单相SiBON粉末出发,在烧结致密化过程中原位析出纳米BN颗粒,制备出了纳米BN颗粒增强的非晶态SiON基复合材料.研究了材料的结构特征,以及烧结温度对结构形成的影响.材料在1400℃热压烧结时基本致密,但未发生BN析晶.1600℃热压烧结时发生BN析晶,但结晶不完整.1700℃烧结时BN析晶明显.所析出的BN晶粒尺寸在50nm左右.材料中未析晶部分保持非晶态特性.
88.TiC与TiC-WC的添加对FeAl/Al<,2>O<,3>复合材料力学性能的影响
- 李传校;张玉军;尹衍升;郑华德;张敬超
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：介绍了通过添加TiC或TiC-WC固溶体,显著提高了FeAl/Al<,2>O<,3>复合材料的抗弯强度.当添加20﹪ TiC和20﹪ TiC-WC固溶体时,复合材料的抗弯强度分别达到1028.46 Mpa和1328.72Mpa,然而,其断裂韧性分别降低约40﹪和30﹪.在TiC-WC固溶体加入量为5﹪时,可同时提高复合材料的抗弯强度和断裂韧性.
89.用MSP试验法评价Oxide的添加对MoSi<,2>基复合材料高温变形及DBTT的影响
- 王刚;江莞;白光照;李敬锋
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用MSP试验法系统测试了Oxide/MoSi<,2>系复合材料在不同温度下的变形情况.结果表明:所有材料都表现出明显的延性脆性转变,且随着Oxide含量的增加延性脆性转变温度(DBTT)呈现"Z"形变化,材料DBTT的变化规律与其显微结构随Oxide含量的变化密切对应.
90.Al<,2>O<,3>-SiC纳米复相陶瓷显微结构研究
- 李荣缇;潘伟;李建强;潘紫霄;王瑞刚
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：O<,3>基体晶粒内部的量并不随着 SiC体积含量的增加而增加.较小的纳米SiC颗粒容易处于Al<,2>O<,3>基体晶粒内部,而较大的SiC 颗粒则倾向于分布在Al<,2>O<,3>基体晶界上,或者三叉晶粒的交界处.研究表明晶内型纳米复相结构的形成和两个因素有关:(1)基体晶粒的非正常生长;(2)基体晶粒和第二相颗粒粒径的判别.当 Al<,2>O<,3>晶界运动遇到曲率较大及表面能较大的纳米SiC颗粒时造成速率突变,晶界越过纳米SiC颗粒将其包裹进去形成内晶型纳米复合结构.纳米SiC颗粒粒径越小,SiC颗粒曲率半越小,表面能越高,对基体晶界移动的影响越大,更容易被基体晶粒包裹进去.">介绍以超细碳化硅和氧化铝为原料,采用热膨胀仪制备了Al<,2>O<,3>-SiC纳米复相陶瓷,研究了纳米SiC在Al<,2>O<,3>基体中体积含量对Al<,2>O<,3>- SiC纳米复相陶瓷显微结构的影响.研究发现随着Al<,2>O<,3>基体中纳米SiC颗粒体积含量的增加, Al<,2>O<,3>- SiC纳米复合材料的结构逐渐由"晶内型"向"晶间型"转变.但纳米SiC颗粒分布于Al<,2>O<,3>基体晶粒内部的量并不随着 SiC体积含量的增加而增加.较小的纳米SiC颗粒容易处于Al<,2>O<,3>基体晶粒内部,而较大的SiC 颗粒则倾向于分布在Al<,2>O<,3>基体晶界上,或者三叉晶粒的交界处.研究表明晶内型纳米复相结构的形成和两个因素有关:(1)基体晶粒的非正常生长;(2)基体晶粒和第二相颗粒粒径的判别.当 Al<,2>O<,3>晶界运动遇到曲率较大及表面能较大的纳米SiC颗粒时造成速率突变,晶界越过纳米SiC颗粒将其包裹进去形成内晶型纳米复合结构.纳米SiC颗粒粒径越小,SiC颗粒曲率半越小,表面能越高,对基体晶界移动的影响越大,更容易被基体晶粒包裹进去.
91.可加工Al<,2>O<,3>/LaPO<,4>复合材料的力学性能与显微结构
- 王瑞刚;潘伟;房明浩;蒋蒙宁;武庆兰
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：利用 Al<,2>O<,3>与LaPO<,4>晶粒形成的弱结合界面,制备了可用硬质合金钢加工的Al<,2>O<,3>与LaPO<,4>复合材料.研究了LaPO<,4>含量对复合材料抗弯强度、弹性模量、硬度及显微结构的影响.实验表明:当LaPO<,4>含量大于40﹪时,复合材料具有优良的机加工性能.
92.Ti<,3>SiC<,2>-Al<,2>O<,3>陶瓷复合材料渗流特性研究
- 石随林;潘伟;罗永明
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：通过测定Ti<,3>SiC<,2>-Al<,2>O<,3>陶瓷复合材料中电导率随导电组分体积分数变化曲线,研究了复合材料中电导的渗流特性,并用有效介质理论方程(GEM方程)对渗流曲线进行了拟合,得出了反映渗流特性的有关参量,同时对这些参量与复合材料各组分形貌之间进行了分析.
93.SiC/BN纳米复合粉体的制备
- 王向东;乔冠军;金志浩
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：采用化学溶液法,溶解分散H<,3>BO<,3>、CO(NH<,2>)<,2>及β-SiC微粉制得悬浮液,干燥后在氮气氛下反应制备出具有以纳米BN包覆微米SiC为微结构的SiC/BN纳米复合粉体.利用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对复合粉体的形成过程及形貌结构研究发现:在850℃氮气氛下,包覆结构中BN除少量晶结构外,主体组分为非晶态,且其尺寸分布均在纳米尺度(小于100nm).该粉体经1750℃处理后,非晶态BN晶体为六方氮化硼(h-BN).
94.聚氧乙烯-纳米氧化锌复合材料电性能研究
- 范丽珍;党智敏;施展;南策文
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：用湿化学方法合成纳米级氧化锌(n-ZnO)粉末,并且用溶液浇铸法制备了n-ZnO,PEO和LiclO<,4>复合的聚合物电解质薄膜.用SEM对(PEO)<,16>LiClO<,4>/n-ZnO电解质膜中n-ZnO的分散情况进行了观察.用DSC测定了电解质膜中PEO的Tm,Tg及结晶度.采用交流阻抗法对复合型电解质膜的离子电导率进行了测试.研究结果表明,当n-ZnO含量为10﹪时,可以使(PEO) <,16>LiClO<,4>的室温离子电导率提高约40倍. n-ZnO对基体离子电导率提高的程度取决于n-ZnO的含量及在基体中的分布情况.另外,聚合物和n-ZnO的界面对离子电导率的提高也有一定的作用.
95.磁电多功能复合材料的研究进展
- 蔡宁;翟俊宜;刘莉;林元华;南策文
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：磁电多功能复合材料是1种新兴的材料,在近几十年内得到了飞速的发展,这种材料的实用化将促进电子器件的小型化、多功能化发展,因此许多国家都在努力研究这种材料.本文评述了这方面的研究进展.
96.纤维涂层对三维碳纤维编织体/陶瓷复合材料性能影响的研究
- 高朋召;王红洁;金志浩
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：体复合材料.采用XRD,SEM,拉伸试验等测试手段对材料的相组成、形貌、力学性能进行了研究.结果表明:碳化硅涂层不仅可以明显提高编织体的抗氧化性能,同时可明显改善纤维与陶瓷界面的结合性能;复合材料的抗弯强度得到明显提高,断裂模式由基体的脆必断裂变为层间紧密复合断裂.
97.金属Co补强Al<,2>O<,3>基陶瓷复合材料的制备及性能研究
- 宁金威;张俊计;潘裕柏;郭景坤
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：通过控制湿化学法制备粉体的工艺过程,用原位选择还原法制备了不同金属含量的Co/Al<,2>O<,3>基复合粉体,热压烧结的方法制备了Co/Al<,2>O<,3>基复合块体材料.采用此过程,比较好的控制了最终复合材料的显微结构.首先Co(NO<,3>)<,2>.6H<,2>O溶解到无水乙醇中并与Al<,2>O<,3>粉体混合;混合粉体在空气中煅烧,煅烧温度通过TG-DTA热分析确定;煅烧后的粉体在H<,2>气氛下还原,得到纳米Co/Al<,2>O<,3>复合粉体;最后,在Ar气氛保护下,在1450℃,30Mpa压力下保温1h,得到致密的Co/Al<,2>O<,3>基复合材料(ρ>97.7﹪).与单相的Al<,2>O<,3>相比,材料的弯曲强度和韧性分别提高了52﹪和37﹪.采用TEM观察了复合粉体的形貌,XRD表征复合材料的相组成,并用场发射电子显微镜(FSEM)观察了断口和表面及裂纹扩展形貌.此外,还讨论了金属补强Al<,2>O<,3>陶瓷的机理.
98.石墨/Cr/BaTiO<,3>基复合PTC材料的研究
- 曲远方;卢俊彪;马卫兵
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：研究了石墨、金属Cr共掺杂BaTiO<,3>基复合材料的PTC性能.实验表明,石墨和金属Cr的加入,一方面使得材料体积密度降低,气孔率升高,同时还可以有效抵制由于烧结温度的提高带来的室温电阻率增大,从而优化材料的PTC性能.复合材料的室温电阻率随金属和石墨加入量的增加出现最小血,升阻比出现峰值.随着烧结温度的提高,复合材料的室温电阻率出现最小值,升阻比的变化出现波浪形.
99.高炉用β-Sialon-SiC复相材料与CaCl<,2>的作用行为
- 黄朝晖;潘伟;孙加林;王金相;洪彦若
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：在930℃,1200℃和1500℃的温度和模拟高炉还原气氛及碱金属(钾)共存的条件下进行了CaCl<,2>对高炉用β-Sialon-SiC复相材料作用行为的实验研究.结果表明:在1200℃前试样是稳定的.到1500℃试样的强度下降了约31﹪.Ca<'3+>与试样进行反应生成钙长石(CAS<,2>)和硅灰石(CS)类的矿物,构成对材料的浸蚀和损害.Cl基本未参加对材料的反应,低温以KCl析出.
100.β-Sialon陶瓷粉体的制备
- 刘学建;孙兴伟;葛其明;黄智勇;赵明;黄莉萍
- 《第12届全国高技术陶瓷学术年会》 | 2002年
摘要：以天然高岭土为原料,碳黑(C)为还原剂,在氮气气氛下,于1 300℃~1 550℃下通过碳热还原氮化反应合成单相β-Sialon粉体.借助XRD系统研究了反应温度、保温时间、N<,2>流动速率及C用量对粉体合成及其固溶度(Z值)的影响.结果表明:与保温时间相比,该反应对反应温度更加敏感,在1 450℃保温6h后反应完全,过高的反应温度导致SiC相的形成.稍微过量的C用量促进反应的进行,但过量的C用量将导致β-Sialon相向SiC相的转变.随着保温时间的延长,Z值逐渐增大.在1 450℃,保温时间从2h延长到6h,Z值从2.0升高至2.8.并探讨了反应机理.