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SiC/Si复相材料的高温氧化

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研究了反应烧结方法制备的SiC/Si复合材料900℃和1300℃的高温氧化过程,为SiC/Si复相材料的高温应用及减缓高温氧化提供参考.结果表明, SiC/Si复相材料的高温氧化动力学遵循近似抛物线规律,随碳化硅粒子尺寸的增大, SiC/Si复相材料的氧化程度降低.分析了SiC/Si复相材料的氧化过程和氧化产物.

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来源
《第12届全国高技术陶瓷学术年会》|2002年|446-449|共4页
会议地点佛山
作者
吕振林; 李世斌; 高积强; 金志浩; 李贺军;
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作者单位

中国硅酸盐学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TQ174.758.12;
关键词
反应烧结法; 高温氧化; 碳化硅陶瓷材料; SiC/Si复相材料; 显微组织;

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