载流子

摘要： 光催化是一种绿色环保的污染物去除方法,但高色度印染废水由于其色度高、透光率差的原因,限制了光催化方法在该领域中的应用。本研究通过简易的水热法制备花状钛酸/石墨相氮化碳(FT/g-C_(3)N_(4))复合光催化剂。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等表征了FT与g-C_(3)N_(4)异质结的成功构建。采用吸附-可见光催化联用法研究了复合光催化剂的性能。结果表明:FT/g-C_(3)N_(4)对高色度亚甲基蓝溶液的去除率达到96%,分别是g-C_(3)N_(4)和P25型二氧化钛(TiO_(2))的8.3倍和47.9倍。此外,FT/g-C_(3)N_(4)的协同作用,显著增大了样品的比表面积、可见光的吸收能力、光催化活性位点的数量和光生载流子的分离,有利于FT/g-C_(3)N_(4)吸附-可见光催化性能的提升。

摘要： 由于特殊的层状结构及良好的光催化性能,BiOI作为新型的半导体光催化剂被广泛研究,但由于其带隙较小,电子和空穴容易复合,需要各种调控策略以改善BiOI材料的光催化活性。基于半导体光催化原理,综述了BiOI光催化剂的主要调控机制,详细讨论了空位缺陷、掺杂缺陷、面调控、异质构建和贵金属修饰等改性方法对BiOI光催化性能的影响。揭示了由增强的光吸收和电荷载流子的分离效率增强,进而调控BiOI的电子结构和光学性质,最终改善其光催化活性。对光和BiOI微纳结构相互作用机理的探讨,可为开发新型高性能的半导体光催化技术提供有益参考。

摘要： 由于辐照缺陷直接影响载流子收集效率和器件性能,辐照缺陷结构与六方氮化硼(hBN)中载流子产生和输运的关系一直是探测器研究的重要课题。利用静电计、X射线衍射(XRD)、正电子湮没寿命谱(PALS)等方法研究了热解氮化硼(PBN)和热压氮化硼(H-BN)材料的热中子辐照损伤和缺陷结构,以及辐照缺陷对载流子输运的影响。中子辐照的总剂量分别为3.9×10^(14),1.6×10^(15),1.0×10^(16) cm^(-2)。结果表明,中子辐照引入了大量的缺陷和杂质。缺陷的变化规律主要表现为单空位、双空位、小空位团缺陷浓度随着热中子辐照剂量的增加而增加。中子辐照产生的杂质(Li离子)成为了载流子产生中心。辐照引入的缺陷主要成为了载流子的散射和复合中心,降低了载流子迁移率和浓度,使得辐照后的载流子浓度远远低于预期的浓度。研究结果对于理解hBN中子探测器的载流子输运机理具有重要的科学意义。

摘要： 高温质子导体固体电解质Ba3Ca1+xNb2-xO9-δ化学性质稳定,中低温电导率较高,具有较好的应用前景.采用固相合成法制备得到了复合钙钛矿相的Ba3Ca1+xNb2-xO9-δ(x=0、0.10、0.18、0.30)材料.随着Ca掺杂量的增加Ba3Ca1+xNb2-xO9-δ样品的电导率先增加后降低,x=0.18的样品电导率最高.Ba3Ca1+xNb2-xO9-δ材料在含氢中的电子空穴迁移数较低,当温度低于750°C时,材料中质子导电为主;当温度达800°C后,材料中氧离子导电为主.x=0.10的样品质子迁移数最高,随着掺杂量的增加样品氧离子迁移数逐渐增大,质子迁移数逐渐降低.

摘要： 印刷电子行业的飞速发展,势必带动导电电子油墨的创新与进步,以碳纳米管和石墨烯等良导体作为导电剂的电子油墨填料具有导电性能良好、价格便宜、环境友好的优点,适用于电子、医疗、可穿戴设备等领域。本文详细阐述了渗流理论、有效介质理论以及结构理论在导电油墨领域的应用以及导电油墨中电子迁移方式(导电通道、隧道理论、场致发射理论)的原理与实现条件。

摘要： Mg3Sb2化合物具有良好的热电性能和成本优势,受到研究者的广泛关注.由于Mg元素具有很高的饱和蒸汽压和化学反应活性,因此Mg3Sb2在合成过程中含量难以精确控制.本研究利用固相反应/球磨结合放电等离子体烧结制备了不同Mg含量的Mg3(1+z)Sb2(z=0,0.02,0.04,0.06和0.08)样品,通过物相结构分析和热电性能测试,研究了Mg含量对Mg3Sb2化合物热电性能的影响规律.结果表明,随着名义Mg含量的增加,实际Mg含量在Mg3Sb2化合物中由缺失状态转变为过量状态,Mg3(1+z)Sb2(z=0,0.02,0.04)样品存在Mg空位(VMg??),表现为p型传导;而Mg3(1+z)Sb2(z=0.06,0.08)样品中存在间隙Mg(iMg??),表现为n型传导.Mg3(1+0.04)Sb2样品在较宽温区(室温至770 K)内保持最高的热电优值,该样品最接近本征p型Mg3Sb2化合物的组成和热电性能.本研究表明,Mg含量对Mg3(1+z)Sb2化合物载流子类型和浓度以及迁移率具有一定的调控作用.

摘要： 热电材料是一种可以实现热电转换的功能材料,目前低热电转换效率严重阻碍了热电材料的广泛应用.从微观结构入手,研究热电材料的共性特征和热应变规律是提高热电转换效率和探索新型高效热电材料的突破口.以合金型热电材料为基础,运用分子模拟技术分析合金型热电材料的能带结构和态密度、声子速度和载流子相对质量,并通过与非热电材料相应指标计算值的对比,得出二者之间相对关系以及高性能热电材料建议参数,并分析这些微观特征的热应变规律.结果表明:高优值热电材料的载流子相对质量是非热电材料的15倍,非热电材料能隙最小值是高优值热电材料的20倍,声子速度最小值是高优值热电材料的4倍;每种高优值热电材料都有最优温度区间,体现为态密度峰值高和载流子相对质量上升幅度大;同样的,高优值热电材料也有最佳温度值,在此温度值下态密度峰值和载流子相对质量可达到峰值.

摘要： 印刷电子行业的飞速发展,势必带动导电电子油墨的创新与进步,以碳纳米管和石墨烯等良导体作为导电剂的电子油墨填料具有导电性能良好、价格便宜、环境友好的优点,适用于电子、医疗、可穿戴设备等领域.本文详细阐述了渗流理论、有效介质理论以及结构理论在导电油墨领域的应用以及导电油墨中电子迁移方式(导电通道、隧道理论、场致发射理论)的原理与实现条件.

摘要： 高温质子导体固体电解质Ba_(3)Ca_(1+x)Nb_(2−x)O_(9−δ)化学性质稳定,中低温电导率较高,具有较好的应用前景.采用固相合成法制备得到了复合钙钛矿相的Ba_(3)Ca_(1+x)Nb_(2−x)O_(9−δ)(x=0、0.10、0.18、0.30)材料.随着Ca掺杂量的增加Ba_(3)Ca_(1+x)Nb_(2−x)O_(9−δ)样品的电导率先增加后降低,x=0.18的样品电导率最高.Ba_(3)Ca_(1+x)Nb_(2−x)O_(9−δ)材料在含氢中的电子空穴迁移数较低,当温度低于750°C时,材料中质子导电为主;当温度达800°C后,材料中氧离子导电为主.x=0.10的样品质子迁移数最高,随着掺杂量的增加样品氧离子迁移数逐渐增大,质子迁移数逐渐降低.

摘要： 本文研究了矩形截面ZnO纳米线的横向弯曲问题,分析了弯曲过程中纳米线的力-电-载流子耦合作用.首先从基本方程出发,由本构关系、高斯定理、平衡方程推导出了纳米线内各阶压电势、载流子浓度、电场强度等物理量的表达式.然后通过数值计算分析了各物理量的分布规律.发现,横向弯曲的纳米线受拉一侧呈现为正电势,受压一侧为负电势.最后,文章分析了材料的掺杂浓度的影响,结果显示:掺杂浓度增加,纳米线横截面上下侧之间的压电势差减小,中性层处电位移幅值增加.

摘要： 介绍了研究背景，研究内容及方法总结与展望，器件具有良好的光电转换参数,但界面区对载流子输运的作用尚不明确.

摘要： 主要内容，研究背景，结果与讨论，当前晶硅电池占据了太阳电池市场的绝大部分,但由于晶硅电池耗能大,成本高,因此高效率低成本成为晶硅电池的发展主流.通过优化背电极（如采用InGa合金）优化器件性能；2Si与背电极界面修饰，改善Si与电极接触，调整能带结构。背场对杂化电池性能的提升具有重要的作用，效率增加近25%，因此应探索合适低温背场材料，背场有利于载流子的传输，减小接触电阻，改善理想因子；.背场的引入增强了内建电场，促进载流子分离，抑制强光下俄歇复合。

摘要： 介绍了研究背景，实验过程，结果与讨论，钙钛矿薄膜制备方法溶液法一步法两步法双源热蒸发法一步法:含添加剂一步法:采用反溶剂工程实验过程。通过在制备过程中引入氯苯气氛，可显著提高CH3NH3PbI3钙钛矿太阳能电池的效率，得到最高14.55%的效率；氯苯气氛的主要作用是通过改变MAI的溶解度，减慢PbI2和MAI的反应速度，从而促进CH3NH3PbI3晶粒的长大，减少晶界，使得薄膜体内载流子的复合减小；另外，在反应时间为60s时，氯苯气氛对电池性能的提高效果最为显著。

摘要： 为了进一步提高激光退火法制备的多晶硅薄膜质量,降低晶界对载流子的散射作用,研究了多次激光退火对多晶硅的结晶质量的影响.多次激光退火有效增大了多晶硅薄膜的晶粒尺寸和有序性,制备出的NTFT器件沟道迁移率和开态电流呈现明显上升趋势.

摘要： 针对纳米结构组装体材料在能源器件应用中载流子分向输运这一共性科学问题,本项目主要研究了纳米结构基元三维网络化自组装及其组装体在能源器件中的应用.基于不同载流子的输运特性,设计合成了多种纳米结构基元,借助于纳米结构基元之间的特定相互作用力,实现了不同纳米结构自组装方式的调控,构筑出适于载流子分向输运的三维网络结构组装体.通过先进的原位或半原位分析手段,考查了这些组装体材料在能量转换和存储器件(如量子点敏化太阳能电池、燃料电池、锂离子电池、锂硫电池、锂硒电池、钠离子电池)中应用时结构与性能间的关系,推动了纳米结构材料及自组装技术在高性能能量转换与储存器件中的应用.

摘要： 低频噪声特性分析是研究薄膜晶体管器件界面特性及其载流子输运机制的有效手段.在本文中,研究了非晶InGaZnO基薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的低频噪声特性,并藉此对其界面陷阱态密度进行了表征.首先制备了基于磁控溅射淀积a-IGZO薄膜的薄膜晶体管(μFE=10.3cm2V-1s-1,SS=0.25V/dec,Vth=5.4V,Ion/Ioff＞108).通过研究发现,a-IGZO薄膜晶体管的归一化源漏电流噪声功率谱密度(SID/IDS2)正比于1/f,符合经典的1/f噪声理论;同时SID/IDS2反比于器件有源层面积,表明器件噪声主要来自于有源层,而源漏电极接触的噪声可以忽略.

摘要： 以电子自旋自由度为基础的自旋电子学器件以速度快、功耗低、集成度高等优点,在未来的信息技术领域有着广泛的应用前景.氮化物半导体具有较长的自旋驰豫时间和高于室温的居里转变温度.同时具有很强的自发和压电极化电场,导致了较强的自旋轨道耦合.因此,开展对氮化物半导体异质结构材料自旋性质的研究对丰富和发展半导体低维物理和半导体自旋电子学以及器件应用有重要的科学意义.通过圆偏振光电流实验，对沿着不同晶向生长的和GaN同属六方结构并有着同样对称性的硒化镉一维纳米带，线进行了测量。发现信号有着明显的各向异性，沿(0001)方向的纳米线Dresselhaus自旋轨道耦合系数为零，D-P自旋弛豫机制可以有效被抑制。进一步利用离子液体栅引入表面电场，在(0001)晶向纳米线引入了Rashba自旋轨道耦合，并实现了对自旋输运有效的调控。

摘要： 根据石墨烯中载流子的特性,利用多层石墨烯来拓展石墨烯在太赫兹波段的面电导,实验结合理论研究了石墨烯作为宽波段太赫兹减反射膜的应用.另一方面进一步将石墨烯和超材料相结合,充分利用了石墨烯的宽波段以及超材料的强吸收,实现了太赫兹波段宽波段,强吸收,从而进一步提高了石墨烯与太赫兹相互作用的强度.

摘要： 介绍了研究背景，变温沉积ITO薄膜对器件性能的影响，ITO薄膜光电性质及功函数，ITO/a-SiOx(In)-Si器件内建电势形成原因等。

摘要： 本发明涉及一种载流子传输材料，其为热激活延迟荧光材料，该热激活延迟荧光材料选自氰基苯与咔唑类或三苯胺类等搭配的化合物、或三嗪类与咔唑类、吲哚咔唑类或三苯胺类等搭配的化合物。上述载流子传输材料，采用热激活延迟荧光材料(TADF)，其单三线态之间能隙差小、且三线态高，可以避免激子由有机发光层扩散到载流子传输层，从而提高发光效率。另外，其玻璃转化温度Tg较高，其热稳定性好。上述载流子传输材料还由于双极性的特点，可通过调节供体基团和受体基团的数量和比例，从而能够方便调节载流子传输材料的电子和空穴传输能力。本发明还提供了一种载流子传输层以及有机发光器件。

摘要： 本发明提供了一种载流子传输材料，所述载流子传输材料为复合纳米材料，且所述复合纳米材料为富勒烯掺杂的纳米SnO2。本发明提供的载流子传输材料，以纳米SnO2为主体材料，且在所述纳米SnO2中掺杂有富勒烯。所述纳米SnO2具有很低的价带能够有效地阻挡空穴，有利于电子传输效率。在此基础上，在所述纳米SnO2中掺杂富勒烯，通过所述富勒烯对所述纳米SnO2进行表面修饰处理，可降低纳米SnO2的表面缺陷，从而减少电荷在传输过程中与缺陷的复合，提高载流子寿命。此外，所述纳米SnO2的导带和所述富勒烯的LUMO能级十分匹配，从而利于电子的注入和传输，用作发光二极管器件的载流子传输材料时，能够增强器件的发光效率与显示性能。

摘要： 本发明涉及一种用于从载流子生成空间提取载流子的设备，其具有至少一个用于提取载流子的电极装置，其中，所述至少一个电极装置至少具有一个第一栅电极和一个第二栅电极，它们具有相对应的开口。所述第一和第二栅电极分别包含至少一个导电的第一栅电极区域，其中，所述第一栅电极的所述至少一个第一栅电极区域构成在第一层中，而所述第二栅电极的所述至少一个第一栅电极区域构成在第二层中。第一层和第二层沿粒子出射方向依次设置在电极装置内部并且相互间通过第一间距沿着粒子出射方向间隔开，其中，所述第一栅电极的所述至少一个第一栅电极区域在所述第一层中形成导电的第一层部分。此外，在所述第一层中构成有导电的第二层部分，该第二层部分与第一层部分电绝缘。所述第二层部分通过所述第一栅电极或所述第二栅电极的至少一个导电的第二栅电极区域形成，并且所述第二层部分与所述第二栅电极的所述至少一个第一栅电极区域导电连接。根据本发明的用于提取载流子的设备因此是可电气切换的提取栅电极装置，借助所述设备能够改变由提取的载流子构成的粒子射束的射束特性。

摘要： 包含：光源(20)、(22)，其对半导体衬底(S)照射用于产生光致载流子的、波长不同的光；微波产生部(10)，其产生对半导体衬底(S)照射的微波；检测部(30)，其检测穿透半导体衬底的微波的强度；以及运算部(50)，根据在照射所述至少两种光后检测出的微波强度，计算光的波长各自对应的有效载流子寿命，根据计算出的波长各自对应的有效载流子寿命计算半导体衬底(S)的体内载流子寿命和表面复合速度。

摘要： 本发明公开了一种载流子传输层结构，包括金属氧化物传输层、有机物传输层及位于所述金属氧化物传输层和所述有机物传输层之间的自组装单分子层，所述自组装单分子层的结构式为R1‑R‑R2，其中，R1端用于连接所述金属氧化物传输层，R2端用于连接所述有机物传输层，R1含羧基或磷酸基，R选自碳基骨架，R2具有所述有机物传输层中相同或相似的功能基团。本发明的载流子传输层结构能改善金属氧化物传输层与有机物传输层之间的接触性能(附着性能)及加强载流子注入。本发明还提供一种含该载流子传输层结构的薄膜发光二极管。

摘要： 本发明为测量测定对象物中的载流子寿命的载流子寿命测定方法，其具备：照射步骤，其朝向作为测定对象物的DUT(10)，照射测量光、及以多个频率进行强度调制所得的刺激光；输出步骤，其检测来自DUT(10)的反射光或透过光的强度并输出检测信号；及产生步骤，其检测相对于包含多个频率中的对应于测量对象区域的杂质浓度的频率的调制信号的检测信号的相位延迟，并基于相位延迟，产生表示DUT(10)中的载流子寿命的分布的图像数据。

摘要： 本发明提供了一种载流子传输材料，所述载流子传输材料为复合纳米材料，且所述复合纳米材料为富勒烯掺杂的纳米SnO

摘要： 本发明涉及一种载流子传输材料，其为热激活延迟荧光材料，该热激活延迟荧光材料选自氰基苯与咔唑类或三苯胺类等搭配的化合物、或三嗪类与咔唑类、吲哚咔唑类或三苯胺类等搭配的化合物。上述载流子传输材料，采用热激活延迟荧光材料(TADF)，其单三线态之间能隙差小、且三线态高，可以避免激子由有机发光层扩散到载流子传输层，从而提高发光效率。另外，其玻璃转化温度Tg较高，其热稳定性好。上述载流子传输材料还由于双极性的特点，可通过调节供体基团和受体基团的数量和比例，从而能够方便调节载流子传输材料的电子和空穴传输能力。本发明还提供了一种载流子传输层以及有机发光器件。

摘要： 本发明涉及一种用于从载流子生成空间提取载流子的设备，其具有至少一个用于提取载流子的电极装置，其中，所述至少一个电极装置至少具有一个第一栅电极和一个第二栅电极，它们具有相对应的开口。所述第一和第二栅电极分别包含至少一个导电的第一栅电极区域，其中，所述第一栅电极的所述至少一个第一栅电极区域构成在第一层中，而所述第二栅电极的所述至少一个第一栅电极区域构成在第二层中。第一层和第二层沿粒子出射方向依次设置在电极装置内部并且相互间通过第一间距沿着粒子出射方向间隔开，其中，所述第一栅电极的所述至少一个第一栅电极区域在所述第一层中形成导电的第一层部分。此外，在所述第一层中构成有导电的第二层部分，该第二层部分与第一层部分电绝缘。所述第二层部分通过所述第一栅电极或所述第二栅电极的至少一个导电的第二栅电极区域形成，并且所述第二层部分与所述第二栅电极的所述至少一个第一栅电极区域导电连接。根据本发明的用于提取载流子的设备因此是可电气切换的提取栅电极装置，借助所述设备能够改变由提取的载流子构成的粒子射束的射束特性。

摘要： 包含：光源(20)、(22)，其对半导体衬底(S)照射用于产生光致载流子的、波长不同的光；微波产生部(10)，其产生对半导体衬底(S)照射的微波；检测部(30)，其检测穿透半导体衬底的微波的强度；以及运算部(50)，根据在照射所述至少两种光后检测出的微波强度，计算光的波长各自对应的有效载流子寿命，根据计算出的波长各自对应的有效载流子寿命计算半导体衬底(S)的体内载流子寿命和表面复合速度。