非晶InGaZnO基薄膜晶体管低频噪声的特性分析及应用

摘要

低频噪声特性分析是研究薄膜晶体管器件界面特性及其载流子输运机制的有效手段.在本文中,研究了非晶InGaZnO基薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的低频噪声特性,并藉此对其界面陷阱态密度进行了表征.首先制备了基于磁控溅射淀积a-IGZO薄膜的薄膜晶体管(μFE=10.3cm2V-1s-1,SS=0.25V/dec,Vth=5.4V,Ion/Ioff＞108).通过研究发现,a-IGZO薄膜晶体管的归一化源漏电流噪声功率谱密度(SID/IDS2)正比于1/f,符合经典的1/f噪声理论;同时SID/IDS2反比于器件有源层面积,表明器件噪声主要来自于有源层,而源漏电极接触的噪声可以忽略.