非晶InGaZnO基薄膜晶体管中的自热效应研究

摘要

在非晶InGaZnO(a-IGZO）基薄膜晶体管中,沟道开启状态下的自热效应是造成器件可靠性退化的一个重要原因,因而分析并抑制器件中的自热效应具有重要的研究意义.本篇工作创新性的提出采用负向脉冲栅压的方法，在正向栅压脉冲间隔处(器件弛豫过程中)施加负向脉冲栅压(如Vg=-15V)，实验发现器件表现出了更好的稳定性，从而证实了负向脉冲栅压方法可以有效降低a-InGaZnO TFT器件所受自热效应的影响。