霍尔效应

摘要： 针对中低速磁浮列控系统应用过程中,因应答器和测速传感器对轨枕布置要求的不一致性进行研究和探讨,分析磁浮轨枕对列车测速精度和应答器定位的影响,并最终确定3种轨枕布置方案,经过对比分析,提出最佳的解决方案。

摘要： 随着科学技术的不断发展,工业自动化、信息处理以及检测等各种技术都得到了广泛应用。而在这些技术领域的具体研究中,霍尔传感器发挥着关键性的作用。但是在霍尔传感器的具体应用中,很多原因都会导致其产生误差,如果这些误差得不到有效补偿,便会对霍尔传感器的应用效果造成不良影响。基于此,对霍尔传感器的主要误差原因及其补偿措施进行分析。希望通过本次的分析,可以为霍尔传感器的良好应用与发展提供相应参考。

摘要： 分析了柱-孔汇聚结构放电通道的电阻率,认为因库仑碰撞而引起的经典电阻率不足以解释放电通道的等效阻抗,应根据广义欧姆定律,充分考虑强磁场环境下特有的霍尔效应项才能更好地解释放电通道的等效阻抗。理论研究表明,在阴极等离子体温度较低(约为3 eV)时,放电通道的等离子体密度与磁场强度近似呈正比例关系,与有效电子密度近似呈反比例关系。基于“强光一号”加速器实验平台开展了单孔柱孔汇聚结构的电流传输实验,利用实验数据结合广义欧姆定律推算出放电通道的有效等离子体密度为10^(15)~10^(16) cm^(-3)。从广义欧姆定律出发,考虑强磁场对放电通道电阻率的影响,修正了电阻率估算方法,为估算单孔柱孔汇聚结构间隙短路后的损失电流提供了一个新的研究角度。本文研究结果可用于大型脉冲功率装置早期电路仿真研究以估算装置电流损失程度,为装置研制提供技术基础。

摘要： 纳芯微全新推出的NSM2015/NSM2016系列霍尔效应电流传感器芯片是完全集成的高隔离电流传感器解决方案,具有极低的原边导通电阻,在无需外部隔离元件的条件下能提供足够精确的电流测量,可广泛应用于汽车、工业、商业和通信系统中的交流或直流电流检测。纳芯微凭借其突破性的隔离技术及信号调理设计能在严苛要求的汽车和工业等领域提供高达5000 Vrms的电隔离能力,同时保证原副边之间极佳的磁耦合效果。内部采用差分霍尔检测,可以抵御外部杂散磁场的干扰。

摘要： 作为发动机的判缸信号,凸轮轴位置传感器出现故障会对发动机的起动及动力性能产生一定的影响,针对这样的问题,选取典型的以霍尔效应为基本原理的凸轮轴位置传感器进行深入的故障诊断研究,先是分析其作用和霍尔开关电路,然后针对迈腾B8轿车出现的起动时间延长具体故障,构建了环环相扣的诊断思路,最后找到故障点并实现发动机的正常起动。该传感器的故障诊断研究为汽车工程技术人员提供了排除同类凸轮轴位置传感器故障的具体分析思路。

摘要： 针对淮北师范大学教育实际情况及材料物理专业的特点,以素质教育为中心,以培养具有创新能力和创新意识的高素质人才为目标导向,开发了一种对材料电学性质进行测量的霍尔效应测试平台,探讨了该平台在实验教学中的应用。结果表明该测试平台提高了实验教学质量,对培养具备创新能力和创新意识的人才具有一定的推进作用。

摘要： 基于Unity 3D设计了霍尔效应实验虚拟仿真平台.该平台利用3ds Max构建三维模型,并将生成的FBX文件导入Unity 3D资源管理器,使用C#语言编写脚本,控制相应模型实现各种状态的动态响应,在Windows平台上运行实现霍尔效应实验.该虚拟仿真实验平台可激发学生的兴趣,提高学生的实验技能,改善教学效果,同时,解决了目前实验教学中普遍存在的硬件资源不足、仪器设备易损坏等诸多困扰.

摘要： 采用射频(RF)等离子体增强化学气相沉积系统制备了硅/二氧化硅多层膜样品,在异质结限制性晶化作用下得到了尺寸均匀的磷/硼共掺杂纳米硅。通过拉曼光谱(Raman)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了磷/硼共掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜的微观结构和杂质的分布特点。低温电子顺磁共振(EPR)结果表明,磷、硼杂质可以改变纳米硅的表面化学结构并充分钝化表面处的非辐射复合缺陷。Hall效应测试发现磷和硼杂质可替位式地掺入到纳米硅的内部,且磷杂质具有更高的掺杂效率;通过改变磷硼杂质的掺杂比例可以调控纳米硅的导电类型和载流子浓度。在小尺寸磷/硼共掺杂纳米硅中获得了1 200 nm处满足光通信波段的近红外发光,并通过调控磷的掺杂浓度实现了近红外发光的增强。通过时间分辨荧光光谱测试,结合EPR结果探讨了磷掺杂对纳米硅内部辐射复合和非辐射复合过程的调控使1 200 nm发光增强的物理机制。

摘要： 近年来,过套管地层电阻率测量技术在气水识别、剩余油评价以及油藏流体饱和度动态监测等方面都显示出很强的实用价值和现实意义。文章在掌握过套管电阻率测量原理的基础之上,将实验与理论相结合,利用霍尔效应原理研究存在金属套管条件下管外电阻率(模拟过套管地层电阻率测量条件)测量信号的变化特点和影响因素。通过模拟实验测量,对比分析了4种理想介质条件下金属套管外电场响应特征,分析发现在磁场强度一定的条件下,测量电压信号与电流强度有明显的相关性;改变套管外电阻率值,测量电压随之发生变化,且随着管外地层电阻率值的增加,电压逐渐增大;测量电压值的大小不仅受磁场强度的影响,还与套管壁的光滑程度、水泥厚度等多种因素有关。该实验结果为后期国内过套管电阻率测井仪器的研制提供了新的思路和方法。

摘要： 金刚石是一种具有优异性能的极限性超硬多功能材料。人工合成的金刚石可通过掺杂的方式使其具有各种独特的性质。掺硼金刚石兼具p型半导体的导电特性和金刚石自身优良的物理和化学性能,在国防、医疗、勘探、科研等领域具有极高的应用价值。本文基于本课题组高温高压(HPHT)法合成的系列掺硼金刚石以及硼协同掺杂金刚石单晶,进行了硼掺杂金刚石、硼氢协同掺杂金刚石以及硼氮协同掺杂金刚石的合成和性能特征等方面的研究。通过表征合成样品在光学、电学方面的性能,探讨了不同掺杂添加剂对合成金刚石性能的影响,为合成高性能的半导体金刚石提供了思路。

摘要： 本文介绍的位移传感器基于霍尔效应设计.传感器由传感器本体和磁钢组成,本体固定安装,磁钢安装于运动部件.磁敏感元件检测磁钢在不同位移下的磁感应强度,进而将其输出量进行一定程度放大.数字电路将模拟前端输出相对位移量做线性拟合处理,从而实现线性位移的测量.通过设计温度补偿电路,传感器在-55～85°C时精度指标低于1％,测量距离5～25mm.数据采样率80kHz,保证测量的实时性.通过试验测试,该传感器性能优良,能够满足航空等领域的特殊使用环境.

摘要： 运用origin软件对测量到的霍尔效应实验数据进行处理,利用软件绘图和直线拟合功能,获得直线的斜率,再计算得到了霍尔元件的灵敏度,这样可以充分利用所有数据,并获得可靠性更高、不确定度更小的实验结果.

摘要： 近期我国科学家首次在实验上观测到量子反常霍尔效应,即零磁场下的量子霍尔效应,这一重大发现将可能加速推进信息技术革命,在未来研制出极低能耗的电子器件,被誉为“诺贝尔奖级”的研究成果.

摘要： 文章针对汽车安全气囊点火模块的计量特性,基于霍尔效应制作信号采集器对点火模块核心参数的校准方法进行探讨,并对校准数据进行验证,以此来解决汽车试验中该类关键设备长期依赖国外供应商进行校准的难题,为我国汽车试验提供基础性保障,提高机动车乘员的生命财产安全.

摘要： 采用In2Se3-CuGa预置膜在H2S气氛中反应退火的方法制备了Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS)薄膜,并对不同反应退火条件下的CIGSS薄膜进行了霍尔效应测试和Raman光谱表征.研究结果表明,CIGSS薄膜由于薄膜原子扩散能力弱,在H2S气氛中反应退火后,薄膜表面除了黄铜矿结构相外还会存在亚稳态的CuAu结构相;随着H2S浓度的升高,CIGSS薄膜表面CuAu结构相存在的量会逐渐减少,电池效率会逐渐提高;霍尔迁移率和Raman特征峰强比是用于判断CIGSS薄膜质量的重要表征手段.

摘要： 针对大学物理实验中霍尔效应实验只能在磁极间定点测量一维磁场,不能使学生全面理解磁场空间分布问题,对目前大学物理实验使用的霍尔效应实验仪器提出改进方案,并给出利用霍尔片测量空间磁场的方法和数据.改进后的实验可使学生更能深刻理解霍尔效应测磁场的原理及磁场的性质,并可作为设计性实验项目在大学物理实验课中开出,培养学生的创新意识.

摘要： 利用自制磁致伸缩与霍尔效应演示实验仪研究了超磁致伸缩材料Terfenol-D合金的磁致伸缩系数与磁感应强度的关系.实验数据表明,磁感应强度B增大,引起与磁场平行方向的磁致伸缩系数λ∥增大,与磁场垂直方向的磁致伸缩系数λ⊥减小.结果表明该磁性材料样品的磁致伸缩是各向异性的.通过该实验,可以加深学生对磁致伸缩效应和霍尔效应的理解与认识.

摘要： 研究高压断路器机械特性在线监测方法,基于霍尔技术的角位移传感器原理并给出其设计方案,应用霍尔效应实现对角度的测量,把输入非电量转换成电量输出,并且实现高压断路器智能化发展需求.以AS5045集成电路芯片为核心,采用钕铁硼材料产生磁场,应用ANSYS软件对其产生磁场进行了仿真,得出了传感器的最佳布放位置,并且可以输出数字量的新型角位移传感器,同时在结构设计上实现机电隔离,提升了传感器的抗干扰能力.与现有的其它角位移传感器相比,能够对360°范围进行非接触式测量,分辨率可达0.088°,理论使用寿命无限,不但可应用在高压断路器领域,而且可替代现有各类角位移传感器.

摘要： 在铁路工程信息化管理不断加强和推进发展的趋势下,本项目利用霍尔效应结合成熟单片机技术,采用室内研制出样品然后在地质工程钻探实际作业环境下进行实验并调整的方法研制出用于监测钻井作业的钻井作业过程监测仪.为在铁路工程中监测钻探作业提供一种新方法,相比其他监测方法具有以全过程实时自动监测为核心的一系列优势.

摘要： 本文对磁场测量综合实验进行了研究，通过亥姆霍兹线圈来测量磁场的分布,用磁阻效应传感器测量地磁场的大小和方向.

摘要： 本发明涉及一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，包括以下步骤：(1)选取微纳尺度测试样品与原位测试芯片连接固定，得到样品/芯片器件；(2)将样品/芯片器件置于原位测试样品杆中，再插入透射电子显微镜中；(3)对样品/芯片器件所在区域施加磁场，并对样品/芯片器件通入电流，在透射电子显微镜同步观察过程中获取霍尔/反常霍尔效应相关数据，即完成。与现有技术相比，本发明实现了在透射电子显微镜原位测试平台中，对材料形貌/磁畴结构和输运特性的同步观察。

摘要： 本发明提供一种霍尔效应电压确定方法及霍尔测试系统，涉及半导体测试技术领域。该霍尔效应电压确定方法包括：采用范德堡法，在施加失调补偿电压的同时，在测试磁场值和测试激励电流值下获取材料样品的电压数据；根据电压数据，计算获得初始霍尔电压；根据电压数据，计算获得霍尔电压校正值；根据初始霍尔电压和霍尔电压校正值，确定材料样品的霍尔效应电压。通过获取材料样品的电压数据，并且根据电压数据计算出表示材料样品的失调电压对霍尔效应电压的影响的霍尔电压校正值，再根据初始霍尔电压和霍尔电压校正值确定材料样品的霍尔效应电压，从而可以大幅降低霍尔测试中失调电压对霍尔效应电压结果的影响，提高所获得的霍尔效应电压的准确度。

摘要： 本发明涉及霍尔效应感测器装置和形成霍尔效应感测器装置的方法，提供一种霍尔效应感测器装置，包括一个或多个感测器结构。各感测器结构可包括：具有第一导电类型的基层；设置在基层之上并具有与第一导电类型相反的第二导电类型的霍尔板区域；设置在霍尔板区域周围并邻接所述霍尔板区域且与基层接触的第一隔离区域；设置在所述霍尔板区域内的多个第二隔离区域；以及设置在霍尔板区域内的多个终端区域。第一隔离区域和第二隔离区域可以包括电性绝缘材料，并且各相邻对的终端区域可以通过多个第二隔离区域中的一个而彼此电性隔离。

摘要： 本发明涉及一种自旋霍尔效应辅助写入的多态磁性随机存取存储器位元及自旋霍尔效应辅助写入方法，该存储位元包括由两个磁性隧道结组成的多态存储单元，与其中一个磁隧道结自由层相连的自旋霍尔效应金属层，以及由字线、位线和开关器件组成的开关电路。基于该自旋霍尔效应辅助位元组成的多态磁性随机存取存储器既具有磁性随机存取存储器(MRAM)的读取速度快、可无限次擦写、能耗低和抗辐照等优点，又可以通过自旋霍尔效应辅助快速实现多态信号的写入，可以在一个存储单元里面记录3个或4个比特的信息，有效地提高了数据存储密度，降低了芯片面积。同时自旋霍尔效应辅助可以有效地降低写电流阈值，降低写入能耗。

摘要： 提供一种利用反常霍尔效应的磁传感器。非磁性金属层设置在铁磁材料之上和之下，以形成与施加的磁场的变化相对应的霍尔电压。所述磁传感器的线性度和饱和磁化取决于所述非磁性金属层的厚度和所述铁磁材料的厚度。另外，提供了一种利用反常霍尔效应的霍尔传感器。非磁性金属层相对于铁磁性层形成，并且构成所述铁磁性层的CoFeSiB的厚度在至的范围内。由于所述非磁性金属层的交界面感应作用，在与交界面垂直的方向上形成易磁化轴。另外，所述霍尔传感器包括具有菱形形状的感测区域、具有线形状的电极线部分和衬垫部分。

摘要： 本发明涉及一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法，包括以下步骤：(1)选取微纳尺度测试样品与原位测试芯片连接固定，得到样品/芯片器件；(2)将样品/芯片器件置于原位测试样品杆中，再插入透射电子显微镜中；(3)对样品/芯片器件所在区域施加磁场，并对样品/芯片器件通入电流，在透射电子显微镜同步观察过程中获取霍尔/反常霍尔效应相关数据，即完成。与现有技术相比，本发明实现了在透射电子显微镜原位测试平台中，对材料形貌/磁畴结构和输运特性的同步观察。

摘要： 本发明提供一种霍尔效应电压确定方法及霍尔测试系统，涉及半导体测试技术领域。该霍尔效应电压确定方法包括：采用范德堡法，在施加失调补偿电压的同时，在测试磁场值和测试激励电流值下获取材料样品的电压数据；根据电压数据，计算获得初始霍尔电压；根据电压数据，计算获得霍尔电压校正值；根据初始霍尔电压和霍尔电压校正值，确定材料样品的霍尔效应电压。通过获取材料样品的电压数据，并且根据电压数据计算出表示材料样品的失调电压对霍尔效应电压的影响的霍尔电压校正值，再根据初始霍尔电压和霍尔电压校正值确定材料样品的霍尔效应电压，从而可以大幅降低霍尔测试中失调电压对霍尔效应电压结果的影响，提高所获得的霍尔效应电压的准确度。

摘要： 本发明涉及具有量子化反常霍尔效应的材料和由其形成的霍尔器件。在一实施例中，一种具有量子化反常霍尔效应的材料可包括：拓扑绝缘体基材；掺杂到所述拓扑绝缘体基材中的第一元素，所述第一元素引入电子型载流子；以及掺杂到所述拓扑绝缘体基材中的第二元素和第三元素，所述第二元素和所述第三元素每个引入空穴型载流子和磁性，从而形成双磁性掺杂拓扑绝缘体。

摘要： 本实用新型涉及一种垂直霍尔效应传感器以及垂直霍尔效应器件。所述垂直霍尔效应器件包括：至少两个电源端子，被布置为向第一霍尔效应区域供应电能；以及至少一个霍尔信号端子，被布置为提供来自所述第一霍尔效应区域的第一霍尔信号。所述第一霍尔信号指示与半导体基板的表面平行并且作用在所述第一霍尔效应区域上的磁场。所述至少两个电源端子中的一个或多个或所述至少一个霍尔信号端子中的一个或多个包括施加触点和感测触点。

摘要： 本实用新型公开了基于霍尔效应的大电流霍尔传感器结构，包括有上部结构、下部结构和限位件，上部结构包括有上安装本体和上配合体，下部结构包括有下安装本体和下配合体，限位件包括有上限位件和下限位件。本实用新型将通过U型槽内的补偿线圈安装盒与上下限位件的配合解决了磁芯和补偿线圈安装的稳定性；传感器所有部件都安装在上、下安装本体上，当传感器需要调试、维护、更换元器件时，只需将上、下配合体拆下即可操作，提高了整体的可操作性；在做一些与外壳有关，且要求外壳结构散热性好、安装稳定性高、整体可操作性强时，可以使用或借鉴本实用新型，广泛的推广应用后会产生良好的经济效益。