荧光体

摘要： 介绍了一种基于胶片成型工艺的新型荧光光纤测温探头的结构,并重点对该种结构制备工艺过程中的各项影响因素进行了探究。采用单因素法分析了荧光胶片厚度、荧光粉浓度及正反两面等因素对探头测温一致性的影响。结果表明,荧光体胶片在同一侧的测温一致性较好。荧光体厚度对探头一致性影响较小,提高固化温度能够有效避免固化过程中荧光粉的沉降,从而减小荧光体中荧光物质的浓度差异,进而解决胶片两侧的测温性能差异,并提高测温精度。新型荧光光纤测温探头的研究对优化荧光光纤温度传感器的测温性能具有一定的参考价值。

摘要： 战略合作国星光电与包头稀土中心共建实验室国星光电与包头稀土中心将共建"国星光电研究院-中科院包头稀土研发中心联合实验室",利用包头市稀土特色产业及佛山市光电产业技术优势,开展稀土共晶荧光体及其在半导体激光器封装应用关键技术研究。包头稀土中心成立以来,在稀土共晶荧光体关键技术、激光晶体、LED新型荧光材料等方面产生了一批具有国际和国内影响力的科研成果。

摘要： 包头稀土研究院新材料研发团队以稀土为原料,以压延法成功制备荧光玻璃,为荧光体制备出大功率白光LED样灯,开辟了该项技术的国内先河。包头稀土研究院技术专家、功能材料发光研究室课题组组长沈雷军介绍,研发团队已经成功开发出铝酸盐、硅酸盐、钨钼酸盐等多个材料体系的白光LED用荧光粉及蓝光激发的黄色、红色荧光玻璃,并对红色荧光玻璃进行了专利布局,形成了12项发明专利的专利池。

摘要： 采用高温固相反应法制备Ca3-xMgxLa6.9Si6O25.5：Eu3+0.1（x=0～3）系列试样，考察镁置换钙离子进入基质对荧光体结构影响。通过XRD分析得出晶胞参数a和晶胞体积V呈线性减小、c呈线性增大，其中晶胞参数a的变化较c大，晶胞尺寸减小明显。

摘要： 1月19日，科视Christie推出全球最亮的1DLP激光荧光体电影机科视Christie HS，再次树立行业基准。科视Christie D12HD—HS和Christie D12WU—HS采用“BoldColor”技术，拥有更加丰富和逼真的色彩和3倍色轮速度，在小巧的外形下分别放映HD和WUXGA分辨率，是市场上1万流明以上激光荧光体放映机中最安静的系列。

摘要： 最新市场报告显示,今后全球稀土方面的需求预计为,磁铁材料的需求会增加,但与之相反荧光体所需的Y、Eu、Tb等需求会减少。此外,特别是La、Ce等的新用途开发也被寄予希望。

摘要： 随着应用领域的发展，日本对磁体、电池、催化剂、陶瓷等非玻璃领域的稀土需求持续增加。稀土在研磨剂、荧光体、玻璃添加剂等玻璃相关领域的需求在2007年达到峰值的17740t，之后持续减少。在非玻璃领域的需求在2008年达到峰值的18030t，

摘要： 白色LFD使用寿命长，节能效果显著，作为小型照明光源正在快速普及中。为了使白色LED所发出的光接近自然光，目前市面上的产品所使用的荧光体粒子较多，构造也不单一，这是现有产品的一个不足。

摘要： 正LED是目前市场上比较受青睐的灯源类型,相比较传统白炽灯泡性能更卓越,使用寿命更持久。不过在白色发光的LED灯源的荧光体采用了稀土元素,主要功能是将LED芯片发射出更长的光波,从而使灯泡散出可全光谱的可见光。而稀土的开采和加工是相当危险的,目前是国际上唯一一个提供可观数量的国家,导致稀土的价格攀升,为此来自新泽西州罗格斯大学的Jing Li教授带领的科研团队为LED灯源成功找到了替代解决方案。科研团队从非常廉价和丰富的碘化

摘要： 磷灰石结构阳离子的非对称性有利于Eu3+产生高效发光.Eu2+离子的5d电子裸露在外周围没有外部电子的保护,它的发光特性强烈地依赖于晶体场环境.Ca4-xMgxLa5.9(SiO4)6O∶Eu(3+,2+)0.1(x=1,2,3)荧光体中在激发Eu3+的5L6能级时观察到了Eu2+和Eu3+共发射.

摘要： 以国家发展LED的重大需求为出发点,提出以无机玻璃陶瓷(微晶玻璃)替代传统有机聚合物封装材料的技术路线,并研发其批量化制备工艺.常见的制备玻璃陶瓷的方法有两种:一种是先形成前驱玻璃再进行热处理,通过可控晶化从玻璃基体中析出特定的晶相;另一种是直接将荧光粉微晶与低熔点玻璃混合,通过低温共烧直接形成玻璃陶瓷.在保持光学性能与传统白光LED荧光体相同的同时,无机玻璃陶瓷荧光体热稳定性和使用寿命大幅增加,且其成本与YAG/环氧树脂封装技术相当.由于透明玻璃陶瓷导热性好,其既适用于常规的“近程”技术,也适用于远程封装技术.此外,还将研发具有特定余辉寿命荧光粉与玻璃的高效结合技术,从根本上解决频闪问题。

摘要： 在弱还原气氛下合成了2SrO-0.16B2O3-0.84P2O5:Eu2+荧光体,通过XRD谱图分析了其相结构,结果表明其具有Sr6BP5O20单相结构.通过发射光谱测量,研究了激活剂Eu2+的含量对发光性能的影响,结果表明在此类荧光体中会发生浓度猝灭效应.激发和发射光谱测量结果表明,Eu2+在此类荧光体中的激发和发射均为Eu2+的4f7(8S7/2)-4f65d1跃迁,其激发和发射分别为峰值处于355nm和478nm的宽带谱.

摘要： 本文研究了荧光体在电场下的荧光动力学过程一般都包括三个阶段:即初始阶段、荧光变化阶段和结束阶段.在初始阶段,荧光体的荧光强度不发生变化,技术时间为Tb;当加载电场时间到达Tb后,荧光体的荧光强度开始发生变化,直至当加载电场时间到达Te时,荧光变化完全或者结束.Te-Tb即为实际荧光强度变化所需的时间,它反映了荧光体荧光强度变化的速率.不同荧光体在电场作用下的Tb,Te-Tb和Te值存在显著差异,预期这种差异可作为分辨和分析测定的依据.

摘要： 本文研究了ICT荧光体对二正丁基氨基苯甲酸(DBABOA)在β-环糊精(β-CD)溶液中对牛血清白蛋白的传感,然而此类ICT荧光体因其激发波长过短(小于300nm)而使其在生命体系中应用受到限制.开展ICT化合物在生命体系中的应用,首要解决的问题之一是荧光体的激发波长要长,以避开核酸、蛋白质等本身的激发波长.

摘要： 采用共沉淀法制各Y3Al5O12:Ce3+(YAG:Ce3+)荧光体前驱粉末,采用差热分析(DTA)、傅里叶红外(FT-IR)、X-射线衍射(XRD)和荧光光谱(PL)等测试分析手段,对凝胶经不同温度烧成的Y3Al5O12:Ce3+荧光粉的成相过程、晶体结构及其发光性能进行了测试与分析.DTA和XRD结果表明,经1200°C煅烧后,凝胶转变为单相性良好的YAG立方相,空间群为Ia3d(230).PL谱测试结果表明,煅烧热处理获得的YAG:Ce3+荧光粉的激发光谱由2个主峰位于340nm和469 nm的激发峰组成,分别对应于2F5/2→5D和2F7/2→5D的跃迁;发射谱主峰位于537 nm,属于Ce3+的5d→4f特征跃迁发射.不同Ce掺杂浓度的YAG:Ce3+荧光粉的发光性能研究结果表明,随着Ce掺杂浓度增加,荧光粉发光强度先增加后减小,呈现浓度淬灭现象,当x=0.06时,发光强度达到最大值.

摘要： 采用固相反应法合成出BaSi2O5:P2+荧光体.研究了其合成条件和发光性质.用XRD、荧光光度计检测了BaSi2O5:P2+的合成条件和发光性质,样品的晶体结构为β-BaSi2O5,发射主峰位于350nm.结果表明制备工艺、硅钡的摩尔比和助熔剂加入量等对BaSi2O5:P2+的发光强度有较大影响.

摘要： 本文根据晶体缺陷理论,通过对钇铝石榴石多晶体掺杂不同计量的Mg2+,研究晶体结构的改变对YAG:Ce3+荧光粉结构及发光特性的影响.

摘要： 本文着重对蓝光和紫外光芯片与荧光粉组合方案的发展方向,从芯片、荧光体及封装工艺三大要素,灯具,成本价格,知识产权战略及白光LED的标准进行详细的评述.指出在可用于照明的色温区内,高光通,高光效,高显色指数,色的均匀性是今后白光LED的发展方向.为实现这一方向,积极研发大功率大尺寸蓝光和UV光芯片及新结构,采用先进的封装工艺和结构科学的器件,研制新型高效无机和有机荧光体.重视知识产权,制定相关的标准等确保新固体照明光源早日实现,文中还给出我们新近的某些研发成果.

摘要： 本文介绍深受关注的固体照明-白光发光二极管发展的意义,国际战略目标及当前技术水平,各国政府重视和集团强强重组简况,以及白光LED照明技术和应用市场展望,同时也指出今后需要解决的课题.目前,白光LED光效已大大超过白炽灯,已在许多商业照明领域中被大力推广和应用.固体照明是未来发展方向.

摘要： 本发明提供了金属氧化物基磷光体微粒，所述微粒包括由金属氧化物制成的基质晶体和作为发射中心掺杂到该基质晶体中的金属元素，其中所述微粒具有配位于其表面的有机基团，具有小粒度分布以及具有对可透光的树脂的高亲和力和在该可透光的树脂中具有高分散性，并且阻止光源发出的光的散射；生产该金属氧化物基磷光体微粒的方法；该金属氧化物基磷光体微粒的分散体；荧光转化膜；分离该金属氧化物基磷光体微粒的方法；荧光液；荧光浆料；磷光体；生产该磷光体的方法；和荧光转化器。

摘要： 本发明提供可以抑制量子点荧光体的消光的包含量子点荧光体的组合物、量子点荧光体分散树脂成型体、包含量子点荧光体的结构物、发光装置、电子设备、机械装置和量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法。使量子点荧光体分散在作为分散用树脂的环烯烃(共)聚合物中而制成包含量子点荧光体的组合物，将该包含量子点荧光体的组合物进行成型而制成量子点荧光体分散树脂成型体。此外，在量子点荧光体分散树脂成型体的一部分面或整面上，形成降低氧气对量子点分散树脂成型体的透过的阻气层。此外，可以将上述包含量子点荧光体的组合物作为密封LED芯片的密封材来使用，从而构成发光装置。

摘要： 一种荧光体，其特征在于，其由通式MmAaBbOoNn:Z(其中，M元素是1种以上价数取II价的元素，A元素是1种以上价数取III价的元素，B元素是1种以上价数取IV价的元素，O是氧，N是氮，Z是1种以上的活化剂，m＞0、a＞0、b＞0、o≥0、n＞0。)表示，在从颗粒表面起到深2000nm的范围中，B元素原子相对于总原子数的比例的变化率小于10％、或/和氧原子相对于总原子数的比例的变化率小于40％，其中该荧光体在蓝色的范围具有宽的发射光谱，并且，在近紫外/紫外的范围具有宽广且平坦的激发带，发光效率和发光强度、亮度优异。

摘要： 本发明涉及一种荧光体组合物，其含有荧光体、基体树脂和金属化合物粒子，其特征在于，所述金属化合物粒子的折射率为1.7以上，且平均粒径为1～50nm，所述金属化合物粒子和所述基体树脂的平均折射率N1与所述荧光体的折射率N2满足以下关系，所述金属化合物粒子被接枝化。通过上述荧光体组合物等，可提供能够通过一次涂布工艺制作片材、并且能够提高应用了该荧光体组合物的LED封装体的亮度的荧光体组合物。0.20≥|N1－N2|。

摘要： 本发明的荧光体含有具有下述式[2]所表示的化学组成的结晶相，该结晶相不具有石榴石结构，该荧光体通过至少用Mn4+活化，从而在600nm以上650nm以下的波长范围具有发光峰值。式[2]中，A2表示1种以上的碱金属元素，B2表示1种以上的碱土金属元素，C2表示选自由元素周期表第3族元素和第13族元素组成的组中的1种以上的元素，D2表示选自由元素周期表第4族元素和第14族元素组成的组中的1种以上的元素，X2表示1种以上的卤素元素，aii、bii、cii、dii和xii分别表示满足0≤aii2aiiB2biiC2ciiD2diiX2xii···式[2]。

摘要： 本发明提供组成控制容易、荧光特性优异的包含(Ca，Sr)AlSiN3：Eu荧光体的氮化物荧光体。提供(Ca1‑x1‑x2Srx1Eux2)aAlbSicN2a/3+b+4/3c(式中，0.49＜x1＜1.0、0.0＜x2＜0.02、0.9≤a≤1.1、0.9≤b≤1.1、0.9≤c≤1.1)所示的氮化物荧光体的制造方法，其中，将下述的氮化硅粉末用于原料：比表面积为5～35m2/g，将在从粒子表面到粒子表面正下方3nm存在的氧相对于氮化硅粉末的质量比例设为FSO(质量％)，将在从粒子表面正下方3nm到内侧存在的氧量相对于氮化硅粉末的质量比例设为FIO(质量％)，将比表面积设为FS(m2/g)的情况下，FS/FSO((m2/g)/(质量％))为8～53，并且FS/FIO((m2/g)/(质量％))为20以上。

摘要： 本发明提供氧氮化物荧光体粉末,其为由以下组成式：Ca

摘要： 本发明提供可以抑制量子点荧光体的消光的包含量子点荧光体的组合物、量子点荧光体分散树脂成型体、包含量子点荧光体的结构物、发光装置、电子设备、机械装置和量子点荧光体分散树脂成型体的制造方法。使量子点荧光体分散在作为分散用树脂的环烯烃(共)聚合物中而制成包含量子点荧光体的组合物，将该包含量子点荧光体的组合物进行成型而制成量子点荧光体分散树脂成型体。此外，在量子点荧光体分散树脂成型体的一部分面或整面上，形成降低氧气对量子点分散树脂成型体的透过的阻气层。此外，可以将上述包含量子点荧光体的组合物作为密封LED芯片的密封材来使用，从而构成发光装置。

摘要： 一种荧光体，其特征在于，其由通式MmAaBbOoNn:Z(其中，M元素是1种以上价数取II价的元素，A元素是1种以上价数取III价的元素，B元素是1种以上价数取IV价的元素，O是氧，N是氮，Z是1种以上的活化剂，m＞0、a＞0、b＞0、o≥0、n＞0。)表示，在从颗粒表面起到深2000nm的范围中，B元素原子相对于总原子数的比例的变化率小于 10％、或/和氧原子相对于总原子数的比例的变化率小于40％，其中该荧光体在蓝色的范围具有宽的发射光谱，并且，在近紫外/紫外的范围具有宽广且平坦的激发带，发光效率和发光强度、亮度优异。

摘要： 一种含荧光体粒子，其包括：中心部，其为被分散有半导体纳米粒子荧光体的、含有源自离子液体的构成单元的树脂的粒状体；外壳部，其覆盖所述中心部的至少一部分，且为含有源自离子液体的构成单元的树脂的层状体，以及另一种含荧光体粒子，其包括：分散有半导体纳米粒子荧光体的、含有源自离子液体的构成单元的树脂的粒状体；以及覆盖所述树脂的粒状体的至少一部分的金属氧化物层。一种发光装置，其包括：光源；以及本发明的含荧光体粒子分散于具有透射性的介质中的波长变换部，以及一种含荧光体薄片，其为本发明的含荧光体粒子分散在薄片状的具有透射性的介质中。