发光效率

摘要： 据报道,中国科学技术大学中国科学院微观磁共振重点实验室杜江峰院士、樊逢佳教授等人与其他科研人员合作,在量子点合成过程中引入晶格应力,调控量子点的能级结构,获得了具有强发光方向性的量子点材料,此材料应用在量子点发光二极管(QLED)中有望大幅度地提升器件的发光效率。这一研究成果新近发表在《科学进展》杂志上。外量子效率(EQE)是QLED器件性能的一个重要评价指标,因此一直是国内外相关研究关注的重点。

摘要： 2022年3月28日,中国科学院微观磁共振重点实验室杜江峰院士、樊逢佳教授等人与其他科研人员合作,在量子点合成过程中引入晶格应力,调控量子点的能级结构,获得了具有强发光方向性的量子点材料,此材料应用在量子点发光二极管(QLED)中有望大幅提升器件的发光效率。这一研究成果日前发表在《科学进展》杂志上。

摘要： 为了提高发光二极管(LED)的发光效率,在LED出光面放置金属光栅,采用时域有限差分法进行了理论分析和模拟计算。结果表明,对光栅优化后,金属光栅对波长460nm的透射率接近1,可提高LED的光提取效率;在此波长下,可同时激发局域表面等离激元和表面等离极化激元,有助于提高LED内量子效率;且具有金属光栅结构的LED的发光效率是仅在出光面放置一层Ag薄层的LED的30倍。该研究为未来制备高发光效率的LED提供了理论指导。

摘要： 中国科学技术大学国科学院微观磁共振重点实验室杜江峰院士、樊逄佳教授等人与其他科研人员合作,在量子点合成过程中引入晶格应力,调控量子点的能级结构,获得了具有强发光方向性的量子点材料,此材料应用在量子点发光二极管(QLED)中有望大幅提升器件的发光效率。这一研究成果日前发表在《科学进展》杂志上。

摘要： 采用变激发功率红外光致发光(Photoluminescence,PL)光谱方法研究四个不同阱内δ掺杂面密度的GaSb_(0.93)Bi_(0.07)/GaSb单量子阱(Single Quantum Well,SQW)及其非掺杂SQW参考样品。通过分析GaSbBi SQW和GaSb势垒/衬底成分的PL强度演化,发现阱内δ掺杂导致红外辐射效率显著降低,相对下降幅度约为33%-75%。进一步分析结果表明,发光效率下降来源于界面恶化引发的“电子损失”和阱内晶格质量下降导致的“光子损失”的共同作用。这一工作有望为稀Bi红外发光器件的性能优化提供帮助。

摘要： 针对匹配普通高压电源的超二代微光像增强器亮度增益在高温条件下大幅下降的问题,根据理论分析搭建了高低温试验平台,并分别对普通高压电源超二代像增强器、像增强管和普通高压电源的高低温特性进行研究。试验结果表明,匹配普通高压电源的超二代像增强器高温(55°C)亮度增益与低温(-55°C)相比衰减约65%;在阴极电压、MCP电压和阳极电压恒定的条件下,像增强管高温亮度增益仅衰减约20%,且主要是由于阴极灵敏度和荧光屏发光效率随温度升高而降低导致的;普通高压电源高温(55°C)与低温(-55°C)相比阴极电压降低约40 V,MCP电压降低约18 V,阳极电压降低约100 V,三者共同作用加剧了普通高压电源超二代像增强器高温亮度增益的衰减。因此,在高温条件下通过软、硬件的方式对电源阴极电压、MCP电压和阳极电压进行补偿是提高普通高压电源超二代微光像增强器高低温亮度增益一致性的有效手段。

摘要： 闪烁体材料是一类光功能材料,其能在吸收高能光子后,如α,β-射线、χ-射线等,发出可见光。现阶段,闪烁体材料已被广泛应用于不少行业领域中。本文先介绍闪烁体材料的应用领域,分析其性能要求,进而对Lu_(2)O_(3)-SiO_(2)体系闪烁体材料进行深入探究。

摘要： 基于稀土荧光粉的传统色转换LED器件发射光谱较宽,色域限制在约90%NTSC以内,显示效果难以有进一步的突破。采用量子点等新型发光材料制成的LED器件,通过色转换过程可实现红、蓝及绿波段较窄的发射半波宽(<20 nm),色域超过120%NTSC,被视为下一代最有潜力的显示技术之一。目前,量子点LED器件仍缺乏有效的理论模型指导封装设计,在色转换结构及其与芯片集成方面仍普遍沿用传统封装结构,难以与量子点光热特性匹配,限制了器件发光效率与稳定性的提升。

摘要： 透明陶瓷相较于单晶,制备工岂简单、生产成本较低;而与玻璃相比,又具有散热性能好、转化效率高、色彩易调节等优点,因此,透明陶瓷被认为是下一代固态照明领域的重要材料.目前,用于固态照明的主要材料是铈掺杂钇铝石榴石,同时也包括其他氧化物(如尖晶石等)和氟化物(如萤石).本文首先对照明器件的类型进行简单的介绍,然后从透明陶瓷发光性能的影响因素出发,分析了离子掺杂种类及浓度、样品厚度、第二相等因素对固态照明参数的影响情况,并对透明陶瓷荧光材料的发展趋势进行简单的分析和展望.

摘要： 有机自由基由于存在未配对或弱成键电子,因而具有独特的基态开壳电子结构。这类开壳电子结构的分子体系可展示出特殊的物理性质,如近红外吸收、非线性光学响应、可逆电子氧化还原、磁学性质等,有望成为下一代光电磁信息功能材料。然而,绝大多数自由基在光激发态下以非辐射方式释放能量,从而表现为弱发光或不发光。近年来,以三芳基甲基自由基衍生物为代表的双线态自由基发光体逐渐引起研究者的关注,其红光发射的荧光量子产率可达到90%以上,且成功地应用于有机电致发光器件(OLED)。自由基发光体是在基态和激发态均具备自由基特征的新型分子体系,其分子结构设计与发光性质调控是该领域的关键难题。在已报道的仅有的少数发光自由基的基础上,人们更多地期待获得性能优异、可选择性调色的多种类发光自由基及其作为功能材料的潜在应用。本文总结了发光自由基的分子结构、物理性质和构效关系,以及激发态发光机制与自由基非辐射跃迁抑制机理等,讨论了目前的研究现状和未来的研究挑战。

摘要： 根据外延结构应力导致的极化引起的能带弯曲理论,采用不同工艺的EBL层结构,通过控制Al组分分布,可在不影响p-GaN层空穴的注入的情况下,有效提升电子限制能力,同时降低了EBL层和pGaN层之间的晶格失配,提高了p-GaN层的外延质量,得到了发光效率更高的GaN基LED外延片.

摘要： 显示技术领域的发展趋势推动膜材性能提升,尤其是膜材的光学性能，因此膜材的光学性能检测十分重要。主要包括全面测量膜材的空间表面散射特性；膜材雾度、透射性能的测量与分析；膜材光谱反射率/光谱透过率测量与分析；增亮膜的辉度增量测量；量子点膜的量子效率及发光效率测量；智能调光膜的光色电性能测量。

摘要： AMOLED平板显示屏经过长时间的使用,不可避免地会有OLED器件劣化的问题.同一显示屏内不同位置的像素劣化程度不同,造成整体亮度下降和显示残像.使用越久、亮度越高的像素,器件劣化就越严重.本文提出一种针对OLED器件劣化进行补偿的技术,采用电学侦测的方法获得各个像素的劣化程度,将其存储于闪存芯片内,显示时计算得出各个像素的补偿后灰阶,实现实时补偿的效果.本方案无法延缓器件的劣化进程,而是用更大的像素电流来弥补由于劣化造成的发光效率下降,最终获得想要的像素亮度.使用该方法可以补偿由于OLED劣化造成的亮度下降和显示残像.

摘要： 为了实现长寿命、低功耗的OLED发光器件,尤其是柔性OLED器件,需要挑选高性能的有机发光材料并应用合适的器件结构.在RGB三色发光中,蓝光的发光效率与寿命的平衡性问题一直是研究的热点之一,也是量产中需要权衡的重要问题.因为蓝光的荧光发光特性使其理论效率较低,并且对器件结构设计和制备工艺保持很高的敏感性.本文主要针对器件制备过程中影响蓝光效率和寿命的工艺问题进行分析,包括蓝光发光材料的筛选、器件结构中各个膜层厚度、掺杂比条件等,在满足载流子的有效注入和传输平衡后才能实现蓝光效率与寿命的最佳平衡.

摘要： 聚螺芴可以避免聚芴中由于聚集或芴酮缺陷带来的绿光峰,具有良好的光谱稳定性和蓝光色纯度,在高分子电致发光器件(PLED)中展现出潜在的应用前景.为了确保聚合物的溶解性,一个或多个烷氧基通常被引入到聚螺芴的侧链.但是,由于烷氧基具有较强的给电子能力,能够发生从侧链到主链的电荷转移(CT:charge transfer)作用,使得激发态中含有部分CT特征,最终导致荧光量子效率的降低和发射光谱的红移.针对这种情况,将外围的烷氧基替换成咔唑致溶基团,发展了基于咔唑的深蓝光聚螺芴材料P(Cz-SF)].和烷氧基聚螺芴P(RO-SF)相比(λPL=455nm,FWHM=58nm,ΦPL=0.20),咔唑聚螺芴P(Cz-SF)的发光峰位蓝移到422nm,半峰宽减小到45nm,同时固态荧光量子效率显著增加到0.60.相应的PLED器件获得了有效的深蓝光发射，色坐标为(0.17，0.06)，外量子效率高达3.0%。在此基础上，在咔唑聚螺芴P(Cz-SF)的主链共聚不同带隙的发色团，成功地实现了发射光谱在整个可见光范围内的调节。相应蓝光、绿光和红光PLED器件的发光效率达到了5.6、21.6和4.4 cd/A，色坐标为(0.16，0.16)，(0.32，0.60)和(0.61，0.34)。

摘要： 本文介绍了三安光电公司研发和生产的AlGaAs-LED薄膜RS系列芯片产品产化技术现状.通过采用多项先进工艺和质量控制技术,产业化生产的近红外850nm RS-LED外延片和芯片具有良好的性能及可靠性.其中使用InGaAs作为阱层的多量子阱结构,通过对势垒层的AlGaAsP施以与InGaAs阱层相反的应变,抑制活性层的缺陷产生,进而提高发光效率.近红外850nm RS-LED芯片产品通过采用低温Ag全方位反射镜、衬底转移、低熔点金属键合等关键工艺技术,实现了良好的大电流特性和电流扩展性能,亮度指标大幅提升.针对近红外850nm RS-LED芯片生产工艺的特点,本文探讨了产业化生产的关键工序、生产过程质量控制点以及质量控制关键参数等,提出了切实有效的生产过程质量控制方法,并付诸实践.

摘要： LED目前已广泛应用于各行各业,具有寿命长、光效高、无辐射与低能耗的优点,文中简述了LED封装过程中的常见问题及对策方案.例如胶体模糊、水波纹是LED封装过程中最常见的不良，其发生原因不一，通过从人、机、料、法、环方面进行分析，有14种常见原因能够引起胶体模糊、水波纹。

摘要： LED目前已广泛应用于各行各业,具有寿命长、光效高、无辐射与低能耗的优点,文中简述了LED封装过程中的常见问题及对策方案.例如胶体模糊、水波纹是LED封装过程中最常见的不良，其发生原因不一，通过从人、机、料、法、环方面进行分析，有14种常见原因能够引起胶体模糊、水波纹。

摘要： LED目前已广泛应用于各行各业,具有寿命长、光效高、无辐射与低能耗的优点,文中简述了LED封装过程中的常见问题及对策方案.例如胶体模糊、水波纹是LED封装过程中最常见的不良，其发生原因不一，通过从人、机、料、法、环方面进行分析，有14种常见原因能够引起胶体模糊、水波纹。

摘要： LED目前已广泛应用于各行各业,具有寿命长、光效高、无辐射与低能耗的优点,文中简述了LED封装过程中的常见问题及对策方案.例如胶体模糊、水波纹是LED封装过程中最常见的不良，其发生原因不一，通过从人、机、料、法、环方面进行分析，有14种常见原因能够引起胶体模糊、水波纹。

摘要： 一种发光二极管，其主要由半导体层、第一电极、第二电极及类金刚石层所构成。半导体层包括第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层。其中，发光层位于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。第一电极电连接于第一型掺杂半导体层。第二电极电连接于第二型掺杂半导体层。类金刚石层覆盖于半导体层上，且暴露至少部分第一电极。此外，类金刚石层暴露于外界的表面例如为粗糙面。或者，类金刚石层可由具有粗糙表面的其它钝化层取代。

摘要： 一种高效率发光二极管驱动电路，其包含整流模块、功率转换模块及供电模块。功率转换模块与整流模块及负载连接，并包含控制器，负载包含多个发光二极管。其中，控制器的电源输入脚位经由供电模块连接至连接点，且连接点位于负载的上述多个发光二极管的其中二个之间。上述多个发光二极管的数量可为二个或大于二个。此驱动电路能有效地降低功耗及发热量，使此驱动电路的可靠性提升。

摘要： 一种发光器件，包括：反射层；第一电极，设置在所述反射层上；第二电极，面对所述第一电极；第一发射层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间；第二发射层，设置在所述第一发射层和所述第二电极之间；以及第一部分透射镜，设置在所述第一发射层和所述第二发射层之间，从而在所述反射层和所述第一部分透射镜之间形成一次或更高次谐振模式、以及在所述反射层和所述第二电极之间形成二次或更高次谐振模式。

摘要： 一种发光二极管，其主要由半导体层、第一电极、第二电极及类金刚石层所构成。半导体层包括第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层。其中，发光层位于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。第一电极电连接于第一型掺杂半导体层。第二电极电连接于第二型掺杂半导体层。类金刚石层覆盖于半导体层上，且暴露至少部分第一电极。此外，类金刚石层暴露于外界的表面例如为粗糙面。或者，类金刚石层可由具有粗糙表面的其它钝化层取代。

摘要： 本发明提供一种发光二极管发光效率和强度的调制方法，通过在N型区和/或P型区的材料具有压电性的发光二极管上施加应力使发光二极管发生形变,形变引起的压电场对发光二极管的发光效率和强度进行调制。相应的，本发明还提供一种发光二极管。本发明通过在PN结发光二极管中引入合适的应力，对发光二极管能带进行调制，增加二极管中用于电光转换的电流，同时在PN结附近引入能带弯曲。弯曲形成的电子和空穴势阱可以将载流子吸引并束缚到PN结附近，局域的电子和空穴浓度的增加和束缚会使电子和空穴复合效率增加，从而增加发光二极管的内量子效率。

摘要： 本发明公开了一种提高场发射发光材料发光效率的方法、发光玻璃元件及其制备方法，提高场发射发光材料发光效率的方法：是以化学式为aM

摘要： 本发明提供了一种簇发光聚合物发光效率提升方法及簇发光聚合物，涉及材料技术领域，一种簇发光聚合物发光效率提升方法，包括S1：将2,4‑二苯基‑6‑(3‑乙烯基苯基)‑1,3,5‑三嗪和卤苯乙烯溶于四氢呋喃，加入偶氮二异丁腈作为引发剂，进行反应；S2：将S1中所得产物于甲醇与二氯甲烷的混合溶液中沉析，过滤干燥得到聚合物。本发明在已有的全芳环结构簇发光聚合物基础上，通过引入卤素原子，可获得量子产率高达40％‑50％的簇发光聚合物。比之不含卤原子的全芳基簇发光聚合物提升70％‑90％，是一种提升全芳香结构簇发光聚合物发光效率的有效方法。

摘要： 本发明涉及一种能够改善发光质量和发光效率的半导体发光元件，包括衬底层；缓冲层，位于衬底层上；非故意掺杂氮化镓层，位于缓冲层上；超晶格层，位于非故意掺杂氮化镓层上；N型半导体层，位于超晶格层上；N型掺杂层，位于N型半导体层上；量子阱发光层，位于N型掺杂层上；电子阻挡层，位于量子阱发光层上；辅助功能层，位于电子阻挡层上；P型掺杂层，位于辅助功能层上；P型半导体层，位于P型掺杂层上。本发明通过在衬底层上生长三层缓冲层能够最大限度的阻挡缺陷，从而提高发光二极管的发光质量，且能够改善空穴迁移至量子阱发光层的空穴浓度，从改善发光二极管的发光效率。

摘要： 本发明提供一种发光二极管发光效率和强度的调制方法，通过在N型区和/或P型区的材料具有压电性的发光二极管上施加应力使发光二极管发生形变,形变引起的压电场对发光二极管的发光效率和强度进行调制。相应的，本发明还提供一种发光二极管。本发明通过在PN结发光二极管中引入合适的应力，对发光二极管能带进行调制，增加二极管中用于电光转换的电流，同时在PN结附近引入能带弯曲。弯曲形成的电子和空穴势阱可以将载流子吸引并束缚到PN结附近，局域的电子和空穴浓度的增加和束缚会使电子和空穴复合效率增加，从而增加发光二极管的内量子效率。

摘要： 本发明公开了一种提高场发射发光材料发光效率的方法、发光玻璃元件及其制备方法，提高场发射发光材料发光效率的方法：是以化学式为aM