陶瓷电容器

摘要： 深度融合固封极柱是智能型ZW32柱上真空断路器的关键部件,其性能对断路器整机可靠性至关重要。文中从传感器选型、多物理场协同分析、试验等方面,开展深度融合固封极柱的设计与试验研究;最终完成以陶瓷电容、高压电阻、低功耗电流互感器为传感器件的样机研制;所进行的各项测试及实验表明该产品达到设计预期。

摘要： 多层薄片陶瓷电容(MLCC)具有较大的体积比容,由于其具有工作温度高、结构紧凑、频率特性好、工作稳定以及可靠性高等优点,因此被广泛用于各种电子产品,是目前发展速度最快的一类电容器。但是多层薄片陶瓷电容在制造过程中一直存在容量命中率较低的问题。该文从微观组织、金属以及电介质的厚度等方面进行研究,并对工艺因素进行分析,讨论了影响MLCC容量分布的主要原因和影响MLCC工艺过程控制的因素,为MLCC工艺控制和提高容量命中率奠定了基础。

摘要： 采用固相法制备了(Bi0.5Na0.5)0.65(Ba0.3Sr0.7)0.35[(Zn1/3/Nb2/3)xTi1-x]O3(BNBST-ZN100x,x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)陶瓷,研究了不同含量(Zn1/3/Nb2/3)4+复合离子对陶瓷相结构,显微形貌,介电及电储能特性的影响.结果表明:BNBST-ZN100x陶瓷为单一赝立方相,晶粒尺寸在1.1 μm左右,晶界清晰可见,致密性良好.随着x值增加,介电峰逐渐被压低并展宽,表明(Zn1/3/Nb2/3)4+复合离子有效改善了BNBST陶瓷介温稳定性.高温下Bi、Na离子挥发和氧空位的共同作用可能是BSBNT-ZN100x陶瓷的导电机理的原因,并且随着ZN的增加氧空位导电起主导作用.BNBST-ZN100x陶瓷的P-E回线随x值增加逐渐向细长型转变,x=0.08组成在110kV/cm电场下具有高的储能密度Wrec=1.3J/cm3和储能效率η=94％.此外,在30°C-150°C范围内、105次电循环条件下,x=0.08组成样品具有良好的温度稳定性及抗疲劳特性,可用于脉冲功率型陶瓷电容器制作候选材料.

摘要： 陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质的电容器总称,品种繁多,外形尺寸相差甚大。按使用电压可分为高压、中压、低压3种陶瓷电容器。按温度系数、介电常数不同又可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数、低介电常数5种陶瓷电容器。一般陶瓷电容器和其他电容器相比,具有使用温度较高、比容量大、耐潮湿性好、介质损耗较小、电容温度系数可在大范围内选择等优点。广泛用于电子电路中,用量十分可观。下面将介绍3种常见的陶瓷电容器及其特点。

摘要： 日本东洋纺公司,正在敦賀事业所建设陶瓷电容器用离型薄膜的涂层加工设备,预定2019年夏天1号机投产。最近,为了应对车载用陶瓷电容器需求的急增,以2021年春为目标增设2号机,寻求生产体制的强化。陶瓷电容器作为一边调整电流一边暂时积蓄电气的通用电子部件,搭载于各种电子回路。由于智能手机的高功能化和IoT及AI的普及·进展,市场扩大,2017年度约7000亿日元的市场规模,预测2023年度将达到1兆4000亿日元。

摘要： 十倍,二十倍,一百倍。和能源化工等基础原材料的涨价相比,电子元器件的涨价可谓疯狂。数据显示,截至2018年7月,MLCC(多层陶瓷电容器)价格的涨幅从几倍到几十倍不等,个别产品涨价达到200倍。

摘要： 日前,宇部材料公司（宇部マチリヲルヂ株式会社）宣布提髙超髙纯度碳酸钙产品的产能.该产品可用于车用积层陶瓷电容器（MLCC）感应电体添加剂的制备,随着汽车行业的发展,针对超髙纯度碳酸钙产品的需求量日益提升.针对于此,宇部材料将其位于日本千叶县的工厂的产能提升了1.5倍,达到750t/a,计划于2018年春天全面实现批量供货.

摘要： 采用传统固相法合成了 Sr4 RTiNb9 O30(R= La、Pr、Nd)陶瓷,通过 X射线衍射仪分析其物相结构,表明 Sr4 RTiNb9 O30(R= La、Pr、Nd)陶瓷均为纯相,是空间群为 pnma 的正交结构；通过扫描电子显微镜观察陶瓷样品表面形貌,发现陶瓷样品颗粒均匀且致密性良好；通过精密阻抗分析仪测试其常温和高温介电性能,结果表明：室温时,介电常数和介电损耗均随频率增大而减小；常温至300°C,3种陶瓷的介电常数和介电损耗均保持稳定,1MHz下电容变化率为±10%；铁电性能测试显示 Sr4 PrTiNb9 O30具有微弱的铁电性。%Sr4 RTiNb9 O30 (R= La,Pr,Nd)ceramics were prepared by the traditional solid state method. The X-ray diffraction result showed that the ceramics are pure phase withpnma orthorhombic structure. The ceramics have homogeneous and compact fine grains by scanning electron microscope.The room and high temperature dielectrics properties testing by precision impedance analyzer showed that the room die-lectric constant and loss of the three ceramics decrease with increasing frequencies,while the dielectric constant and loss keep stableand permittivity change about ± 10% at 1MHz from room temperature to 300°C.The ferroelectric testing system indicated that Sr4 PrTiNb9 O30 has weak ferroelectricity.

摘要： 采用传统固相法合成了Sr4RTiNb9O（30）（R=La、Pr、Nd）陶瓷,通过X射线衍射仪分析其物相结构,表明Sr4RTiNb9O（30）（R=La、Pr、Nd）陶瓷均为纯相,是空间群为pnma的正交结构;通过扫描电子显微镜观察陶瓷样品表面形貌,发现陶瓷样品颗粒均匀且致密性良好;通过精密阻抗分析仪测试其常温和高温介电性能,结果表明：室温时,介电常数和介电损耗均随频率增大而减小;常温至300°C,3种陶瓷的介电常数和介电损耗均保持稳定,1MHz下电容变化率为±10%;铁电性能测试显示Sr4PrTiNb9O（30）具有微弱的铁电性。

摘要： 本文研究综合添加不同含量ZnO-B2O3玻璃及稀土元素CeO2对细晶BaTiO3系统电性能及可靠性的影响.当添加5wt%的ZnO-B2O3玻璃和0.5wt%的稀土元素CeO2时,多层陶瓷电容器可900°C烧结,具有较好的性能参数,主要电性能参数为ε25°C≥3000,ΔC/C25°C≤±15%(-55～125°C),tanδ≤1.5%(25°C).经历了300次热循环无明显参数漂移,具有高可靠性.

摘要： 设计了一种结构紧凑的陶瓷电容器型脉冲调制器,对其电路进行了理论计算,分析了主要参数对调制器输出波形的影响,并用Pspice软件建立电路模型进行验证,模拟结果与理论计算结果相符较好.该调制器能够产生上升前沿小于10 ns、脉宽30～40 ns、幅度为100～200 kV的可调高电压脉冲.该调制器用陶瓷电容器作为储能器件,用SF_6作为绝缘介质,是一种无液体的脉冲调制器,具有结构紧凑、体积小、重量轻等特点.

摘要： 首先采用固相法合成CaCu3Ti4O12(CCTO)粉体，与SiC粉体均匀混合后，采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器。采用DSC-TG技术分析了SiC/CCTO复合粉体的热行为，采用XRD、SEM等手段对样品进行表征，研究了SiC/CCTO复合陶瓷电容器的介电性能，并对其介电机理进行了探讨。结果发现，在950°C和30Mpa的热压条件下制备出的SiC/CCTO复合陶瓷电容器具有最高的介电常数εr≈3×108(1kHz)，分析认为其介电机理属于阻挡层机制，载流子在SiC与CCTO界面处聚积，形成空间电荷极化。

摘要： 本文首先分析了电解电容器在高频整流滤波电路中存在的问题，其最主要的原因时由于电解电容器的比较高的ESR，当纹波电流流过这个ESR时将产生比较大的纹波电压，使滤波效果变差;分析了采用电解电容器与小容量陶瓷电容器并联缓解电解电容器高频特性不佳的效果;分析了陶瓷电容器的低ESR特性给高频整流滤波所带来的性能改善。最后给出大容量陶瓷电容器对高频整流滤波的改善效果。

摘要： 片式多层陶瓷电容器(MLCC)因具有众多优点而得到了广泛的应用,成为目前应用较多的电容器之一。本文介绍了片式多层陶瓷电容器的材料、结构特点,并结合失效案例就片式多层陶瓷电容器常见的失效模式和机理进行了分析。

摘要： 以硝酸钇、硝酸镁、正硅酸乙酯为前驱体,利用溶胶-凝胶法制备出平均粒径40.2nm的Y3MgxSiO6.5+x(x＝0.5,1.0,1.5,2.0,2.5,3.0)粉体,将其添加到水热BaTiO3基料中制备出多层陶瓷电容器超细瓷料,研究了Mg离子对纳米掺杂BaTiO3陶瓷微结构和电性能的影响.研究发现,纳米掺杂剂中Mg能有效地抑制晶粒长大,从而获得晶粒均匀(0.47μm)且致密高(5.92g/cm3)的陶瓷,此细晶效应源于晶界区MgO第二相的钉扎作用.Mg有助于形成壳-芯结构晶粒,得到ε-T双峰曲线,提升居里点Tc,并显著改善介电温度特性(Mg＞2.0mo1%,满足X8R)并提高室温介电常数(ε≈3000).受主离子Mg能显著增强BaTiO3基瓷料的抗还原性,提高tanδ-T稳定性,减小介电损耗(tanδ＜1.0%),增大绝缘电阻(1012Ω).

摘要： 本文通过滤波电容纹波的计算和对旁路电容器的分析发现,陶瓷电容有极低的ESR和ESL,能提供较高的性价比,完全可以用于电力电子线路中.新型陶瓷电容在许多开关电源中可以获取和钽电容同等的指标,并达到同样的设计目的.

摘要： 20世纪80年代中前期中国电容器产业的片式化率几乎为零,仅有极少量多层陶瓷电容器(MLC)的半成品芯片以手工方式贴装于厚薄膜混合集成电路基板.传统引线电容器的产销量以电解电容器、陶瓷电容器、有机薄膜电容器三分天下.其中铝电解电容器和单层圆片形陶瓷电容器占绝对优势,钽电解电容器和MLC寥寥无几.20年后的今天,国内有机薄膜电容器在片式化进程的滞后和传统陶瓷电容器一并成为夕阳产业.国内铝电解电容器受制于阴极导电聚合物PPY/PTN技术瓶颈,片式化率明显落后.而片式多层陶瓷电容器(MLCC)产销量达到1500-3000亿只/年,一枝独秀. 早在20世纪80年代,第一个完全采用SMT技术的终端产品即为彩电调谐器,日本进口MLCC牢牢占据了这一先端市场,在其国产化配套进程中国内MLCC行业几乎全军覆没.而时至今日,随着国际性IT、A&V与通信终端产品制造纷纷落户中国境内,全面促进了包括MLCC在内的新型片式元器件等上游产业的国际化趋势.同时,中国本土化MLCC制造供应商也在严酷的国际化竞争中得到全方位提升.本文报告中国电容器制造业走向片式化与国际化的二十年回顾。

摘要： 采用纳米掺杂工艺制备多层陶瓷电容器超细瓷料,研究Y离子对纳米掺杂BaTiO3陶瓷介电性能和微观结构的影响.Y能产生细晶效应,促使壳-芯结构形成,从而显著改善介电温度特性并提高室温介电常数.增强瓷料的抗还原性,减小介电损耗、提高绝缘电阻.

摘要： 本文联系MLCC市场的新特点,结合最近召开的MLCC第十七届年会的情况,综合评价了国内MLCC行业的现状,分析提出了周期性波动的原因和对策.

摘要： 本发明的玻璃陶瓷烧结体玻璃陶瓷烧结体，包含：以通式ABO

摘要： 本发明提供一种在150°C下比电阻大、且具有一致的电容特性的电介质陶瓷，以及使用该电介质陶瓷的层叠陶瓷电子部件。陶瓷层（3）的特征在于，含有具有Ba、Ca、Ti、Zr的钙钛矿型化合物，并且含有Si，选择性地含有Mn，具备晶粒，在将Ti、Zr的合计含量设为1摩尔份时，Mn的含量为0.015摩尔份以下，Si的含量为0.005摩尔份以上且小于0.03摩尔份，Ca/（Ba+Ca）的摩尔比x为0.05＜x＜0.20，Zr/（Ti+Zr）的摩尔比y为0.03＜y＜0.18，晶粒的平均粒径小于130nm。

摘要： 层叠陶瓷电容器的方向识别方法包括：将多个层叠陶瓷电容器(1)在磁发生装置(31)及磁通密度测量仪(32)各自的前面排列成一列地传送的工序；在多个层叠陶瓷电容器(1)分别通过磁通密度测量仪(32)的前面时，利用磁通密度测量仪(32)来测量磁通密度的工序；以及基于在测量上述磁通密度的工序中所测量得到的磁通密度来识别层叠陶瓷电容器(1)的层叠方向的工序。

摘要： 提供了一种多层陶瓷电容器，该多层陶瓷电容器包括：陶瓷本体，该陶瓷本体具有层压于所述陶瓷本体中的多个电介质层；工作层，该工作层包括多个内电极，各个所述电介质层插入所述内电极之间；上覆盖层；下覆盖层；外电极；以及多个假电极；其中，当所述陶瓷本体的总厚度的1/2定义为A，所述下覆盖层的厚度定义为B，所述工作层的总厚度的1/2定义为C，所述上覆盖层的厚度定义为D时，所述工作层的中心部与所述陶瓷本体的中心部之间偏离的比值（B+C）/A满足1.063≤（B+C）/A≤1.745。

摘要： 本发明提供一种半导体陶瓷，施主元素相对于Ti元素100摩尔，在0.8～2.0摩尔的范围中固溶在晶粒中，受主元素以比所述施主元素更少的量固溶在晶粒中，受主元素以相对于Ti元素100摩尔，在0.3～1.0摩尔的范围中存在于晶界中，晶粒的平均粒径为1.0μm以下。使用该半导体陶瓷，取得层叠型半导体陶瓷电容器。这时，在进行还原煅烧的一次煅烧处理中，把冷却开始时的氧分压设定为煅烧过程的氧分压的1.0×10

摘要： 本发明提供一种可显著提高生产率、同时内部电极与外部电极的密接性极为良好、可靠性高、而且成品率极为良好，进而电气特性等的质量高且稳定的积层陶瓷电容器的中间体的制造方法、积层陶瓷电容器的中间体的制造中所使用的包含卤系化合物的处理水溶液、积层陶瓷电容器的中间体、以及积层陶瓷电容器的制造方法和积层陶瓷电容器；本发明在制造积层陶瓷电容器的中间体(1)时，将陶瓷层(2)与内部电极(3)交替地层叠多层，将该积层体进行压接、切断而获得积层陶瓷电容器的中间体(4)后，进行该中间体(4)的烧结，接着，使该烧结后的积层陶瓷电容器的中间体(40)的至少端部接触包含卤系化合物的处理水溶液，由此，将陶瓷层(2)的端部进行蚀刻，使埋没在该陶瓷层(2)中的内部电极(3)的端面或端部从该陶瓷层的端面(2)朝向外部露出；此时，使用包含卤系化合物的处理水溶液；另外，在所获得的积层陶瓷电容器的中间体(1)的两端部或侧面的多个部位处，以与内部电极电连接的方式设置外部电极(5)，从而获得积层陶瓷电容器(10)。

摘要： 层叠陶瓷电容器的方向识别方法包括：将多个层叠陶瓷电容器(1)在磁发生装置(31)及磁通密度测量仪(32)各自的前面排列成一列地传送的工序；在多个层叠陶瓷电容器(1)分别通过磁通密度测量仪(32)的前面时，利用磁通密度测量仪(32)来测量磁通密度的工序；以及基于在测量上述磁通密度的工序中所测量得到的磁通密度来识别层叠陶瓷电容器(1)的层叠方向的工序。

摘要： 本发明提供鸣响更难以发生的层叠陶瓷电容器。在包含电介质的陶瓷素体(2)内，配置有多个内部电极(3、4)。将层叠有多个内部电极(3、4)的方向作为层叠方向、将与陶瓷素体(2)的层叠方向正交的第1方向作为长度方向、将与层叠方向和第1方向正交的方向作为宽度方向。陶瓷素体(2)具有：层叠有多个内部电极(3、4)层叠的有效部、位于有效部的层叠方向的一侧的第1外层部(2g)、位于另一侧的第2外层部(2h)、和在层叠有有效部及第1、第2外层部(2g、2h)的部分的上述宽度方向一侧和另一侧设置的第1、第2宽度方向间隙部(2i、2j)。将第1、第2宽度方向间隙部(2i、2j)的宽度方向尺寸设为A、且将沿有效部的层叠方向的尺寸即厚度设为B时，A/B为0.04以下。

摘要： 本发明提供了一种多层陶瓷电容器，该多层陶瓷电容器包括：陶瓷本体，该陶瓷本体具有层压于所述陶瓷本体中的多个电介质层；工作层，该工作层包括多个内电极，各个所述电介质层插入所述内电极之间；上覆盖层；下覆盖层；外电极；以及多个假电极；其中，当所述陶瓷本体的总厚度的1/2定义为A，所述下覆盖层的厚度定义为B，所述工作层的总厚度的1/2定义为C，所述上覆盖层的厚度定义为D时，所述工作层的中心部与所述陶瓷本体的中心部之间偏离的比值（B+C）/A满足1.063≤（B+C）/A≤1.745。

摘要： 本发明提供一种散热能力优良的叠层陶瓷电容器。将散热导体部(17)设置在隔着陶瓷层(12)交替并且在横向相对地配置了多个第1导体层(13)和多个第2导体层(14)的长方体形状的叠层片(11)的顶面(11b)上，并将该散热导体部(17)连接在各第2导体层(14)的上缘，所以，当在起内部电极作用的各第1导体层(13)和各第2导体层(14)上产生热量时，各第2导体层(14)的热量，从各第2导体层(14)直接传送到散热导体部(17)，并从该散热导体部(17)向外部散出。