砷化铟

摘要： 采用全反射X射线荧光光谱(total reflection X-ray fluorescence,TXRF)和X射线光电子能谱(X-ray photo-electron spectroscopy,XPS)检测方法研究InAs衬底化学机械抛光后经过不同湿法化学溶液联合作用后衬底表面的金属杂质残留浓度和氧化物组分的变化。湿法化学清洗后的InAs表面检测到金属杂质Si,K和Ca,它们的浓度随溶液组合的变化而变化。金属杂质残留浓度较高的InAs衬底表面同时也测得较多粒径为80 nm的颗粒。提出了一种行之有效的InAs衬底湿化学清洗方法,可制备出金属杂质残留少、颗粒少、氧化层薄InAs衬底表面,此表面有利于MOCVD方法生长高质量InAs/GaSb超晶格红外探测器外延。

摘要： 4月10日，英国自然网站在线发表了江汉大学曹元成教授团队与英国兰开斯特大学半导体中心首席研究员庄乾东博士团队合作研发的一种新型材料，呵大幅提高红外探测灵敏度。

摘要： 石墨烯具有电子迁移率高、透过率高(T≈97.7％)且费米能级可调的特性.砷化镓的电子迁移率比硅的大5到6倍.引入砷化铟量子点后,光电探测器具有低暗电流、高工作温度、高响应率和探测率的特点,因而可被用于制备响应快、量子效率高和光谱宽的光电探测器.对基于InAs/GaAs量子点-石墨烯复合结构的肖特基结的I-V特性和光电响应进行了研究.结果表明,在0V偏压下,该器件在400nm～950nm均有响应,峰值响应率可达0.18 A/W;在反向偏压下,器件的峰值响应率可达到0.45 A/W.通过对暗电流随温度变化的特性进行分析,得到了InAs/GaAs量子点-石墨烯肖特基结在室温附近以及80 K附近的势垒高度.

摘要： 在一个砷化铟晶体上，12个带正电的钢原子环绕着一个酞菁染料分子，这就是科学家最新研制的分子大小的晶体管。按照摩尔定律的硬限制，这很可能是一个晶体管所能达到的最小尺寸。

摘要： 正英国罗彻斯特大学的研究者们发现原子厚度半导体的缺陷可以产生发光的量子点。这种量子点是单一光子的来源,这种现象对于量子光子学和固体电子学的联合研究十分有益——就是所谓的集成光子学。在《Nature Nanotechnology》发表的一篇文章中,罗彻斯特大学的研究者发现可以将二硒化钨注入原子厚度的半导体内,作为固态量子点的生长平台。他们表示产生量子点的缺陷不会抑制半导体的电学或光学特性,并且可以外加电场或磁场来控制这些缺陷。在原子厚度的二硒化钨中生成量子点比在传统材料如砷化铟中生成量子点要容易许多,这是一个显著的优势。"我们采用墨晶,并一层一层的进行剥

摘要： 在一个砷化铟晶体上,12个带正电的铟原子环绕着一个酞菁染料分子,这就是科学家最新研制的分子大小的晶体管。按照摩尔定律的硬限制,这很可能是一个晶体管所能达到的最小尺寸。新型晶体管是由德国PDI固体电子学研究所、柏林自由大学、日本NTT基础研究实验室和美国海军研究实验室研究人员组成的国际团队开发的。这一发表在科学期刊《自然·物理》上的最新成果朝着量子计算迈出一大步。

摘要： 砷化铟晶体管的中心是酞菁染料分子,其周围环绕着12个带正电的铟原子。在一个砷化铟晶体上,12个带正电的铟原子环绕着一个酞菁染料分子,这就是科学家最新研制的分子大小的晶体管。按照摩尔定律的硬限制,这很可能是一个晶体管所能达到的最小尺寸。新型晶体管是由德国PDI固体电子学研究所、柏林自由大学、日本NTT基础研究实验室和美国海军研究实验室研究人员组成的国际团队开发的。

摘要： 据美国物理学家组织网报道，美国加利福尼亚大学伯克利分校研究人员开发出一种全新的二维半导体，这是一种由砷化铟制造的“量子膜”，具有带状结构，只需简单地减小尺寸就能从块状三维材料转变为二维材料。相关论文发表在近期出版的《纳米快报》上。

摘要： 据美国物理学家组织网报道，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的科学家成功地将厚度仅为l0nm的超薄半导体砷化铟层集成在一个硅衬底上，制造出一块纳米晶体管，其电学性能优异，在电流密度和跨导方面也表现突出，可与同样尺寸的硅晶体管相媲美。

摘要： 半导体量子点激光器展示出了低阈值、高调制速率和高温度稳定性等特性,有望成为下一代光通讯系统的重要光源.近年来,激发态激射量子点激光器因理论上更高的调制速率而备受关注.相同外延材料下制备的激发态激射量子点激光器,与基态激射激光器相比,也确实展现出了更高的调制速率.同时,更小的线宽增益因子也使激发态激射激光器更适合被应用于光通讯中.

摘要： 半导体量子点激光器展示出了低阈值、高调制速率和高温度稳定性等特性,有望成为下一代光通讯系统的重要光源.近年来,激发态激射量子点激光器因理论上更高的调制速率而备受关注.相同外延材料下制备的激发态激射量子点激光器,与基态激射激光器相比,也确实展现出了更高的调制速率.同时,更小的线宽增益因子也使激发态激射激光器更适合被应用于光通讯中.

摘要： 半导体量子点激光器展示出了低阈值、高调制速率和高温度稳定性等特性,有望成为下一代光通讯系统的重要光源.近年来,激发态激射量子点激光器因理论上更高的调制速率而备受关注.相同外延材料下制备的激发态激射量子点激光器,与基态激射激光器相比,也确实展现出了更高的调制速率.同时,更小的线宽增益因子也使激发态激射激光器更适合被应用于光通讯中.

摘要： 半导体量子点激光器展示出了低阈值、高调制速率和高温度稳定性等特性,有望成为下一代光通讯系统的重要光源.近年来,激发态激射量子点激光器因理论上更高的调制速率而备受关注.相同外延材料下制备的激发态激射量子点激光器,与基态激射激光器相比,也确实展现出了更高的调制速率.同时,更小的线宽增益因子也使激发态激射激光器更适合被应用于光通讯中.

摘要： 实验研究采用MOCVD技术生长量子点.影响量子点MOCVD生长的因素有衬底、环境压强、生长温度、沉积速率、沉积厚度、材料Ⅴ/Ⅲ流量比、生长停顿,应力缓冲层等.主要通过实验研究了温度、沉积速率、沉积厚度及Ⅴ/Ⅲ流量比对量子点生长密度的影响.通过优化生长条件,当前最佳生长条件是采用量子点生长温度500°C,沉积速度0.074ML/s,沉积厚度1.7ML,Ⅴ/Ⅲ为10,获得了量子点密度为5×109/cm2分布较均匀的量子点.

摘要： 实验研究采用MOCVD技术生长量子点.影响量子点MOCVD生长的因素有衬底、环境压强、生长温度、沉积速率、沉积厚度、材料Ⅴ/Ⅲ流量比、生长停顿,应力缓冲层等.主要通过实验研究了温度、沉积速率、沉积厚度及Ⅴ/Ⅲ流量比对量子点生长密度的影响.通过优化生长条件,当前最佳生长条件是采用量子点生长温度500°C,沉积速度0.074ML/s,沉积厚度1.7ML,Ⅴ/Ⅲ为10,获得了量子点密度为5×109/cm2分布较均匀的量子点.

摘要： 实验研究采用MOCVD技术生长量子点.影响量子点MOCVD生长的因素有衬底、环境压强、生长温度、沉积速率、沉积厚度、材料Ⅴ/Ⅲ流量比、生长停顿,应力缓冲层等.主要通过实验研究了温度、沉积速率、沉积厚度及Ⅴ/Ⅲ流量比对量子点生长密度的影响.通过优化生长条件,当前最佳生长条件是采用量子点生长温度500°C,沉积速度0.074ML/s,沉积厚度1.7ML,Ⅴ/Ⅲ为10,获得了量子点密度为5×109/cm2分布较均匀的量子点.

摘要： 实验研究采用MOCVD技术生长量子点.影响量子点MOCVD生长的因素有衬底、环境压强、生长温度、沉积速率、沉积厚度、材料Ⅴ/Ⅲ流量比、生长停顿,应力缓冲层等.主要通过实验研究了温度、沉积速率、沉积厚度及Ⅴ/Ⅲ流量比对量子点生长密度的影响.通过优化生长条件,当前最佳生长条件是采用量子点生长温度500°C,沉积速度0.074ML/s,沉积厚度1.7ML,Ⅴ/Ⅲ为10,获得了量子点密度为5×109/cm2分布较均匀的量子点.

摘要： 实验研究采用MOCVD技术生长量子点.影响量子点MOCVD生长的因素有衬底、环境压强、生长温度、沉积速率、沉积厚度、材料Ⅴ/Ⅲ流量比、生长停顿,应力缓冲层等.主要通过实验研究了温度、沉积速率、沉积厚度及Ⅴ/Ⅲ流量比对量子点生长密度的影响.通过优化生长条件,当前最佳生长条件是采用量子点生长温度500°C,沉积速度0.074ML/s,沉积厚度1.7ML,Ⅴ/Ⅲ为10,获得了量子点密度为5×109/cm2分布较均匀的量子点.

摘要： 本文报道640×512规模InAs/GaSbⅡ类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的研究结果.探测器采用N-P-N叠层双色器件结构,通过调节器件工作电压实现器件在4.5μm和5.8μm两个截止波段的切换,从而实现双波段的顺序成像探测.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为7ML InAs/7ML GaSb和10ML InAs/10ML GaSb.采用等离子体干法刻蚀技术制备焦平面器件,焦平面阵列像元中心距为30μm.在77K时测试,两个波段的器件分别呈现出良好的P-N结伏安特性,双波段器件结阻抗分别达到109Ω(N-on-P)和1011Ω(P-on-N),当偏压加到-0.07V时实现器件两个工作波段的切换,器件双波段的100％响应截止波长分别为4.5μm和5.8μm,其中N-on-P器件峰值探测率达到7.73×1010cmHz1/2W-1,响应率为2.35×107V/W;P-on-N器件峰值探测率达到7.81×1010cmHz1/2W-1,响应率为2.34×107V/W,两个波段焦平面性能一致性较好.红外焦平面偏压调节成像测试得到清晰的双波段热成像.通过特定波长的滤光片在双波段的成像特征可看出器件具备双波段信息分辨能力.

摘要： 本发明一种利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：在该衬底上异质外延生长铟铝砷层；步骤3：在该铟铝砷上外延生长砷化铟叠层；步骤4：在该砷化铟叠层上外延生长砷化镓薄盖层；步骤5：退火，砷化铟叠层脱缚，完成砷化铟纳米环的生长。

摘要： 一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用。本发明能应用于超辐射发光管等需要宽光谱特性的半导体光电子器件有源区结构的设计和外延生长。

摘要： 一种在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长一缓冲层、一下波导层、一双量子阱结构、一上波导层和一盖层，完成在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的制作。其是通过在较低温度下生长合适的InAs量子阱厚度，起到了在大应变条件下减小缺陷，增加跃迁波长到2.3μm的作用。

摘要： 本发明属于红外探测器技术领域，提供一种用于红外探测的砷化铟纳米结构。其中，衬底和设置在所述衬底上的砷化铟纳米结构，所述砷化铟纳米结构至少包括一片状结构的砷化铟。本发明提供的砷化铟纳米结构具备较高的吸收率，进一步本发明提供的三叶草砷化铟纳米结构提高了宽光谱特性，且不具有偏振，在三叶草基础上进一步提供雪花结构，进一步提高吸收率。

摘要： 本发明一种利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：在该衬底上异质外延生长铟铝砷层；步骤3：在该铟铝砷上外延生长砷化铟叠层；步骤4：在该砷化铟叠层上外延生长砷化镓薄盖层；步骤5：退火，砷化铟叠层脱缚，完成砷化铟纳米环的生长。

摘要： 一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用。本发明能应用于超辐射发光管等需要宽光谱特性的半导体光电子器件有源区结构的设计和外延生长。

摘要： 一种在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长一缓冲层、一下波导层、一双量子阱结构、一上波导层和一盖层，完成在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的制作。其是通过在较低温度下生长合适的InAs量子阱厚度，起到了在大应变条件下减小缺陷，增加跃迁波长到2.3μm的作用。

摘要： 本发明属于红外探测器技术领域，提供一种用于红外探测的砷化铟纳米结构。其中，衬底和设置在所述衬底上的砷化铟纳米结构，所述砷化铟纳米结构至少包括一片状结构的砷化铟。本发明提供的砷化铟纳米结构具备较高的吸收率，进一步本发明提供的三叶草砷化铟纳米结构提高了宽光谱特性，且不具有偏振，在三叶草基础上进一步提供雪花结构，进一步提高吸收率。

摘要： 本公开提供一种控制砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的方法，包括：S1，将砷化铟晶体采用多线切割进行多片分离，得到砷化铟单晶片；S2，对砷化铟单晶片进行研磨；S3，采用化学机械抛光对S2所得的砷化铟单晶片进行平坦化处理；S4，采用湿法化学腐蚀对S3所得的砷化铟单晶片进行氧化、清洗；S5，将S4所得的砷化铟单晶片甩干，得到薄氧化层界面的砷化铟衬底。本公开的方法能够得到薄的III族铟和V族砷氧化物层，在砷化铟衬底外延时易于使该氧化物层脱附，且外延的缺陷密度低。

摘要： 本发明提供了一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点结构，包括依次在基底上分子束外延的砷化镓过渡层、砷化铟自组装量子点层、第一砷化镓覆盖层、锑化镓覆盖层、第二砷化镓覆盖层。该材料结构所获得量子点的室温光致发光达到1.3微米以上，半峰宽仅为20毫电子伏特，量子点具有良好的尺寸均匀性。此外，本发明也公开了一种外延生长1.3微米波长的均匀量子点材料结构的制造方法。