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MOCVD用于生长InAs/GaAs量子点研究

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实验研究采用MOCVD技术生长量子点.影响量子点MOCVD生长的因素有衬底、环境压强、生长温度、沉积速率、沉积厚度、材料Ⅴ/Ⅲ流量比、生长停顿,应力缓冲层等.主要通过实验研究了温度、沉积速率、沉积厚度及Ⅴ/Ⅲ流量比对量子点生长密度的影响.通过优化生长条件,当前最佳生长条件是采用量子点生长温度500℃,沉积速度0.074ML/s,沉积厚度1.7ML,Ⅴ/Ⅲ为10,获得了量子点密度为5×109/cm2分布较均匀的量子点.

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来源
《湖北省物理学会、武汉物理学会2015学术年会》|2015年|148-152|共5页
会议地点湖北黄冈
作者
郁春潮; 陈善俊; 张亮; 黄海;
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作者单位

湖北省物理学会;

武汉物理学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.054.44;
关键词
量子点; 生长工艺; 金属有机化合物化学气相淀积技术; 砷化铟; 砷化镓;
入库时间 2022-08-17 10:20:48

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