生长在GaAs衬底上的InAs量子点及其制备方法

摘要

本发明公开了一种生长在GaAs衬底上的InAs量子点，由下至上依次包括GaAs衬底、InAs量子点层、GaAs盖层和In纳米结构层。本发明的另一目的在于提供上述生长在GaAs衬底上的InAs量子的制备方法：(1)对GaAs衬底进行清洗；(2)对GaAs衬底进行除气和脱氧预处理；(3)在GaAs衬底上生长InAs量子点层：(4)在InAs量子点层上覆盖GaAs盖层；(5)在GaAs盖层表面沉积In纳米结构层。本发明制备的生长在GaAs衬底上的InAs量子点，极大提高了InAs量子点的光致发光强度，且制备方法简单、成本较低，是一种制备强光致发光强度的高密度InAs量子点的有效方法。