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杨小平; 张伟; 陈宗圭; 王凤莲; 田金法; 邓元明; 郑厚植; 高旻; 段晓峰;
中国科学院半导体所超晶格微结构国家重点实验室;
中国科学院北京电子显微镜实验室;
砷化镓; 砷化铟; 半导体结构;
机译:短波红外(SWIR)通过INAS / GAAS量子点异质结构在GE(100)衬底上生长的INAS / GAAS量子点异质结构而不迁移增强的外延层
机译:相邻GaAs(100)衬底上自组装InAs量子点的异常粗化
机译:InAs量子点上自组织棒生长形成InAs / AlGaAs / GaAs纳米线结构及其传输特性
机译:In_(0.1)Ga_(0.9)As表面活性剂层和10°斜角(100)GaAs衬底上过量生长的InAs量子点的研究
机译:GaAs(100)上应变InAs岛量子盒的分子束外延生长:生长动力学,垂直自组织和激光特性
机译:硅衬底上直接生长的InAs / InGaAs / GaAs量子点太阳能电池
机译:在错误定向衬底上生长的自组织Inas / Gaas量子点的光致发光衰减时间测量。
机译:嵌入INAS量子点连接的GaAs基质深层缺陷的存在性监测方法
机译:在硅衬底上生长的GaAs薄膜以及在硅衬底上生长的GaAs薄膜的制备方法
机译:在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法
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