首页> 中文期刊> 《光子学报》 >GaAs层引入InAs/Inp量子点有序生长机制的研究

GaAs层引入InAs/Inp量子点有序生长机制的研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文对张应变 Ga As层引入使 In As/ Inp量子点有序化排列的机制进行了分析 .为提高 In As/ Inp自组装量子点特性提供了理论依据 .

著录项

来源
《光子学报》 |2000年第11期|1021-1023|共3页
作者
殷景志; 王新强; 杜国同; 杨树人;
展开▼
作者单位

吉林大学电子工程系;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
自组装量子点; 有序生长; 张应变砷化铟层;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. InAs/GaAs/InP及InAs/InP自组装量子点室温PL谱的研究 [J] . 张冶金 ,王新强 ,陈维友 . 吉林大学学报（理学版） . 2001,第001期
2. InP衬底GaAs张应变层上InAs量子点的原子力显微镜分析 [J] . 金智 ,李明涛 ,王新强 . 光电子．激光 . 2000,第1期
3. 利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点 [J] . 张春玲 ,赵凤瑷 ,徐波 . 半导体学报：英文版 . 2004,第12期
4. 低温GaAs外延层上生长InAs量子点的研究 [J] . 王晓东 ,汪辉 ,王海龙 . 红外与毫米波学报 . 2000,第003期
5. InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究 [J] . 吕振东 ,徐仲英 ,郑宝真 . 半导体学报：英文版 . 1997,第8期
6. GaAsSb/InAs/GaAsⅡ类量子点结构MBE生长研究 [C] . 张中恺 ,吕尊仁 ,许锋 . 第十二届全国分子束外延学术会议 . 2017
7. 结合分子束外延和脉冲激光多光束干涉技术的空间有序InAs/GaAs(001)量子点生长的研究 [A] . 张伟 . 2016

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号