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吕振东; 徐仲英; 郑宝真; 许继宗; 王玉琦; 王建农; 葛惟锟;
半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所;
香港科技大学物理系;
砷化铟; 砷化镓; 量子点结构; 光致发光;
机译:短波红外(SWIR)通过INAS / GAAS量子点异质结构在GE(100)衬底上生长的INAS / GAAS量子点异质结构而不迁移增强的外延层
机译:从在取向错误的基板上生长的自组织InAs / GaAs量子点的光致发光衰减时间测量
机译:InAs量子点上自组织棒生长形成InAs / AlGaAs / GaAs纳米线结构及其传输特性
机译:在图案化GaAs(001)基板上的INA自组织量子点的分子束外延生长和光致发光研究
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
机译:温度对在图案化GaAs上生长的单个InAs量子点的光致发光特性的影响
机译:MOVPE制备自组织的InAs / GaAs单层和多层量子点结构:电子跃迁的磁光致发光研究
机译:在错误定向衬底上生长的自组织Inas / Gaas量子点的光致发光衰减时间测量。
机译:嵌入INAS量子点连接的GaAs基质深层缺陷的存在性监测方法
机译:具有梯度成分的GaAsSb层可降低InAs / GaAs量子点中的应力
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