自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究

孔令民; 蔡加法; 陈主荣; 吴正云; 牛智川

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自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究

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在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML,的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结果.

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来源
《量子电子学报》 |2003年第2期|208-212|共5页
作者
孔令民; 蔡加法; 陈主荣; 吴正云; 牛智川;
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作者单位

厦门大学物理系;

中国科学院半导体所半导体超晶格国家重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.23;O433.59;
关键词
InAs量子点; 浸润层; 时间分辨谱; 半导体超薄层生长技术; 砷化铟;

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