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InP基InAs量子点和GaInAsP浸润层竞争发光

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通过变温和变功率光致发光谱(PL)对InP(100)基InAs/GaInAsP量子点材料的光学性质进行了相关表征,确认了每个发光峰的来源并发现浸润层GaInAsP发光随着温度的变化表现出非常奇特的温度特性.为了找出相关原因,通过不同大小InAs量子点之间的实验数据对比、发现这种特性主要来源于浸润层和InAs量子点发光之间的竞争.

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来源
《全国第十四届红外加热暨红外医学发展研讨会》|2013年|255-258|共4页
会议地点无锡
作者
WANG Qi; 王玘; YUAN Xiao-Wen; 袁小文; LUO Xiang-Dong; 罗向东;
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作者单位

中国光学会;

中国电子学会;

中国机械工程学会;

中国电工技术学会;

云南省光学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类激光器;
关键词
激光器; 磷化铟基砷化铟量子点; 磷砷铟镓浸润层; 发光特性;
入库时间 2022-08-17 10:44:22

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