modeling quantum dots strain reducing layer;
机译:InAs / GaAs量子点尺寸研究:取决于应变减小层的位置
机译:GaAsSb / InAs / GaAs量子点异质结构的I型II型能带对准受点尺寸和减应力层组成的影响
机译:Ingaas应变减少层抑制Inas / gaas量子点垂直光致发光的偏振依赖性
机译:研究体积,盖层和纵横比对自组织InAs / GaAs量子点的应变分布和电子结构的依赖性
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
机译:InAs / GaAs量子点自组装过程中的润湿层演变及其温度依赖性
机译:Inas / Gaas量子点尺寸的研究:对应变降低层位置的依赖性