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International symposium on compound semiconductors
International symposium on compound semiconductors
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1.
Luminescence of high density excitnos in GaN
机译:
GaN中高密度激素的发光
作者:
D.K.Nelson
;
M.A.Jacobson
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
2.
Novel surface cleaning of GaAs and formation of high quality SiN_x films by cat-CVD method
机译:
GaAs的新型表面清洁和CAT-CVD方法的高质量SIN_X薄膜形成
作者:
Akira Izumi
;
Atsushi Masuda
;
SHinya Okada
;
Hideki Matsumura
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
3.
Split-gate device simulation
机译:
拆分栅极设备仿真
作者:
V.Vyurkov
;
A.Likholyot
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
4.
InGaAs/GaAs quantum DOT lasers with ultrahigh characteristic temperature (T_0 chemical bounds 385K) grown by metal orgaic chemical vapor deposition
机译:
具有超高特性温度(T_0化学界385K)的IngaAs / GaAs量子点激光器由金属通道化学气相沉积生长
作者:
M.V.Maximov
;
I.V.Kochnev
;
Yu.M.Shernyakov
;
S.V.Zaitsev
;
N.Yu.Gordeev
;
A.F.Ysatsulnikov
;
A.V.Sakharov
;
I.L.Krestnikov
;
P.S.Kopev
;
Zh.I.Alferov
;
N.N.Ledentsov
;
D.Bimberg
;
A.O.Kosogov
;
P.Werner
;
U.Gosele
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
5.
Effective-mass theory of optical intersubband transitions in semiconductor quantum sells
机译:
半导体量子销售中光学梭粗转换的有效质量理论
作者:
E.E.Takhtamirov
;
V.a.Volkov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
6.
Recombination processes in In_(1-x)Ga_xP allys with the 'transition' range of compositions
机译:
INT_(1-X)间隙盟友的重组过程具有“过渡”的组合物
作者:
Yu.K.Rutogolov
;
Yu.I.Kunakin
;
V.V.Lebedev
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
7.
Far-infrared and capacitance spectroscopy of self-assembled InAs quantum dots
机译:
自组装INAS量子点的远红外和电容光谱
作者:
A.Lorke
;
M.Ficke
;
B.T.Miller
;
M.Haslinger
;
J.P.Kotthaus
;
G.Medeiros-ARibeiro
;
P.M.Petroff
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
8.
Optimization of initial layer for highly-mismatched heteroepitaxial growth: InSb on Si
机译:
高度失配杂交生长的初始层的优化:SI的INSB
作者:
T.Hariu
;
K.Sawamura
;
F.Ito 2
;
H.Ohba 3
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
9.
Excition localization: from monolayer islands to quantum drops
机译:
消除本地化:从单层岛屿到量子滴
作者:
L.E.Golub
;
A.A.Kiselev
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
10.
S-shaped current-voltage characteristics and bistability in the laser generation spectrum of multiple-barrier p-i-n resonant tunneling devices
机译:
多屏障P-I-N谐振隧道装置的激光生成光谱中的S形电流 - 电压特性和双稳态
作者:
A.T.Toropov
;
T.V.Shubina
;
A.V.Lebedev
;
B.Ya.Meltser
;
P.V.Nekludov
;
N.D.Ilinskaia
;
M.G.Tkatchman
;
P.S.Koev S.M.Cao
;
M.Willander
;
P.O.Holtz
;
J.P.Bergman
;
B.Monemar
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
11.
k-space indirect magnetoexcitons in double-quantum-well direct gap heterostructures
机译:
双量子阱直接间隙异质结构中的k空间间接磁性焦炭
作者:
A.A.Gorbatsevich
;
I.V.Tokatly
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
12.
200 GHz distributed InGaAs metal-semiconductor-metal photodetectors for the long-wavelength regime
机译:
200 GHz分布式Ingaas金属半导体 - 金属光电探测器,用于长波长制度
作者:
E.H.Bottcher
;
E.Droge
;
D.Bimberg
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
13.
Identification of Mn and Ni trace impurities in GaN crystals by electron paramagnetic resonance.
机译:
电子顺磁共振识别GaN晶体中的Mn和Ni痕量杂质。
作者:
P.G.Baranov
;
I.V.Ilyin
;
E.N.Mokhov
;
A.D.Roenkov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
14.
Long-range stress field of misfit dislocations and possibility o f perfect epitaxy for semiconductor films.
机译:
用于半导体薄膜的远程应力领域的错位脱位和可能性O F.
作者:
E.M.Trukhanov
;
A.V.Kolesnikov
;
G.A.Lyubas
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
15.
STunable TE/TM polarization rotation in chemically ordered GaInP/AlGaInP waveguide structrues
机译:
化学订购的GAINP / ALALP波导结构中不稳定的TE / TM偏振旋转
作者:
R.Wirth
;
A.Moritz
;
C.Geng
;
F.Schlolz
;
A.Hangleiter
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
16.
The control of leading edge effects in the OMVPE growth of INGaAsP
机译:
在ImVPE的OMVPE生长中控制前缘效应
作者:
A.G.Thomposon
;
R.A.Stall
;
A.I.Gurary
;
I.Ferguson
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
17.
Integration of highly focusing AlGaAs microlensed LED and double heterojunction bipolar transistors
机译:
高度聚焦的AlgaAs微透镜LED的集成和双异质结双极晶体管
作者:
O-Seung Yang
;
Song-Cheol Hong
;
Young-Se Kwon
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
18.
Base transport in InGaP/GSaAs drift HBTs with a strained In_xGa_(1-x)As base
机译:
InGaP / GSAAS漂移Hbts的基础传输,带有紧张的IN_XGA_(1-x)为基础
作者:
Q.J.Hartmann
;
D.a.Ahmari
;
M.T.Fresina
;
J.E.Baker
;
G.E.Stillman
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
19.
High temperature magnetoresistance oscillations in a delta -l;ayer InAs< delta -Si>
机译:
Delta -L中的高温磁阻振荡; Ayer Inas
作者:
M.V.Yakunin
;
T.I.Baturina
;
I.a.Panaev
;
B.R.Semyagin
;
S.A.Studentikin
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
关键词:
754;
20.
In-situ characterization of lateral and vertical band structure profiles and hole storage effects in PHEMTs by the photoconduction technique
机译:
通过光电电机技术在原位表征横向和垂直带结构型材和孔储存效果
作者:
Fritz Schuermeyer
;
Charles Cerny
;
Michael Shur
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
21.
Exciton orientation-to-aligument convertion in type-II GaAs/AlAs superlattices
机译:
II型GaAs / Alas Supertrices中的激子定向对aligument曲线
作者:
R.I.Dzhioev
;
H.M.Gibbs
;
E.L.Ivchenko
;
G.Khitrova
;
V.L.Korenev
;
M.N.Tkachuk
;
B.P.Zakharchenya
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
22.
The DX-cenetre assisted quenching of persistent photoconductivity by high electric fields in GaAs delta-doped by Sn on vicinal substrate structures
机译:
在邻底结构上通过SN的GaAsδ-掺杂的高电场辅助淬火淬火淬火光电导性
作者:
V.A.Kulbachinskii
;
R.A.Lunin
;
V.G.Kytin
;
E.V.Bogdanov
;
A.S.Bugaev
;
A.P.Senickin
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
23.
Anisotropic mobility model for GaInAs covering full composition and strain range in the GaAs-InAs system
机译:
GAINAS覆盖GAAS-INAS系统的全组成和应变范围的各向异性移动模型
作者:
Ch.Kopf
;
H.Kosina
;
S.Selberherr
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
24.
ZnSe crystals grown by LEC method.
机译:
LEC方法种植的ZnSe晶体。
作者:
A.Hruban
;
W.Dalecki
;
K.Nowysz
;
S.Strzelecka
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
25.
Extremely low threshod alGaAs/InGaAs quantum DOT injection laser
机译:
极低的阈值Algaas / Ingaas量子点注射激光
作者:
V.M.Ustinov
;
A.E.Zhukov
;
a.Yu.Egorov
;
A.R.Kovsh
;
A.F.Tsatsunikov
;
M.V.Maksimov
;
S.V.Zaitsev
;
N.Yu.Gordeev
;
P.S.Kopev
;
Ah.I.Alferov
;
N.N.ledentsov
;
D.Bimberg
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
26.
AFM study on MBE kink-flow growth of ordered INAs quantum dots on GaAs (001) vicinal surface misoriented towards the 010 direction
机译:
AFM研究了在GaAs(001)上有序INAS量子点的MBE扭转流量生长朝向010方向上的张视情况
作者:
V.P.Evtickhiev
;
A.K.Kryganovskii
;
A.B.Komissaarov
;
A.N.TSitkov
;
M.Ichida
;
A.Nakamura
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
27.
Strain-related excitionci in-lane optical anisotropy in (100) InGaAs/INAlAs/InP MQWs
机译:
(100)INGAAS / INALAS / INP MQWS中应变相关的Eccionnci内部光学各向异性
作者:
A.Dimoulas
;
R.Tober
;
H.D.Young
;
R.leavitt
;
A.Christou
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
28.
Space charge effects in carrier escape from single quantum well structures
机译:
载波中的空间电荷效应逃离单量子井结构
作者:
S.C.MFarlane
;
J.Barnes
;
K.w.J.Barnham
;
E.S.M.Tsui
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
29.
Recent developments in heterostructure transistors
机译:
异质结构晶体管的最新发展
作者:
H.Morkoc
;
S.N.Mohammad
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
30.
Experimental observation of acoustic plasma oscillations in p-GaAs associated with inter-valence-band photoeffect
机译:
与价互连光学相关的P-GaAs中声等离子体振荡的实验观察
作者:
B.H.Bairamov
;
V.K.Negoduyko
;
V.V.Toporov
;
B.P.Zakharchenya
;
A.V.Voitenko
;
G.Irmer
;
J.Monecke
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
31.
GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors with recessed cathodes and/or anodes
机译:
GaAs金属半导体 - 金属光电探测器,带凹陷阴极和/或阳极
作者:
Rong-heng Yuang
;
Lia-Lin Shieh
;
Jen-Inn Chyi
;
Jyh-Shin Chen
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
32.
Growth-induced self-organization of composition-modulated structures in InGaAsP alloys
机译:
生长诱导的IngaAsp合金组合调制结构的自组织
作者:
I.S.Tarasov
;
L.S.Vavilova
;
I.P.Ipatova
;
A.V.Lyutetskiy
;
A.V.Murashova
;
N.A.Pikhtin
;
V.A.Shchukin
;
Zh.I.Alferov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
33.
Reducing optical absorption in the tunnel diode in tandem solar cells
机译:
减少串联太阳能电池中隧道二极管中的光学吸收
作者:
R.Jaakkola
;
J.Lammasniemi
;
a.Kazantsev
;
M.Pessa
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
34.
Micromechanics of coherent multilayer structures
机译:
相干多层结构的微机械
作者:
A.N.Efimov
;
A.O.Lebedev
;
A.M.Tsaregorodtesev
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
35.
Diffusion noise of GaAs MESFETs and p-HEMWTs
机译:
GaAs Mesfet和P-Hemwts的扩散噪声
作者:
D.R.Scherrer
;
D.Caruth
;
M.Feng
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
36.
Subband electron mobility in selectively delta -doped gaAs/GaAlAs heterostructures with high carrier density
机译:
具有高载体密度的选择性Delta -doped GaAs / Gaalas异质结构的子带电子迁移率
作者:
V.A.Kulbachinskii
;
R.a.Lunin
;
V .G.Kytin
;
A.S.Bugaev
;
V.G.Mokerov
;
A.P.Senichkin
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
37.
Observation of the ZnSe/GaAs heterojunctions with the BeTe buffer by cross-sectional STM
机译:
通过横截面STM与纤维缓冲液观察ZnSe / GaAs杂交疾病
作者:
A.V.Ankudinov
;
N.m.Smidt
;
A.N.STitkov
;
J.-J.Lugauer
;
A.Waag
;
G.Landwehr
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
38.
High current drive InP/InGaAs/InP DHBT with a composite step-graded collector
机译:
具有复合阶梯式收集器的高电流驱动INP / INGAAS / INP DHBT
作者:
E.F.Chor
;
C.J.Peng
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
39.
Optotelectronic 2-D MESFET
机译:
光电电子2-D MESFET
作者:
F.Schuermeyer
;
N.Bunger
;
W.C.BPeatman
;
M.S.Shur
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
40.
Trions in GaAs quantum wells
机译:
在Gaaas量子井的剧院
作者:
I.Bar-Joseph
;
G.Finkelstein
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
41.
Influence of refractive index contrast on photonic band gap in 3D periodic SiO_2 matrices filled with a semiconductor
机译:
折射率对比度对三维周期SiO_2矩阵光子带隙的影响填充半导体的矩阵
作者:
V.N.Astratov
;
Yu.A.Vlasov
;
V.N.Bogomolov
;
A.A.Kaplyanskii
;
O.Z.Karimov
;
D.a.Kurdjukov
;
A.V.Prokofiev
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
42.
High efficiency, multijunction GaInP/GaAs solar cells
机译:
高效率,多结GainP / GaAs太阳能电池
作者:
J.M.Olson
;
Sarah R.Kurtz
;
D.J.Friedman
;
Kris bertness
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
43.
Dynamics of base widening in GaAs heterojunction bipolar transistors
机译:
GaAs异质结双极晶体管基础扩大的动态
作者:
V.A.Posse
;
B.Jalali
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
44.
Infrared and far-infrared absorption and emission by hot carriers in GaAs/AlGaAs and Ge/GeSi multiple quantum wells
机译:
GaAs / Algaas和Ge / Gesi多量子阱的热载体红外和远红外吸收和发射
作者:
L.E.Vorobjev
;
L.E.Golub
;
D.V.Donetsky
;
E.A.Zibik
;
Yu.V.Kochegarov
;
D.A.Firsov
;
V.A.Shalygin
;
V.Ya.Aleshkin
;
O.A.Kuznetsov
;
L.K.Orlov
;
E.Towe
;
I.I.Saydashev
;
T.S.Cheng
;
C.T.Foxon
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
45.
Self-consistent field approach to the study of potential in quantum wires
机译:
量子电线潜力研究的自洽现场方法
作者:
L.Fedickin
;
M.Karlsteen
;
M.Willander
;
V.Ryzhii
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
46.
Visible photoluminescence of CdTe anodically etched layers
机译:
CDTE阳极蚀刻层的可见光致发光
作者:
A.a.Lebedev
;
Yu.V.Rud
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
47.
Optical characteristics of submicron structures grown on patterned GaAs(111)A substrates by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延在图案化GaAs(111)上生长的亚微米结构的光学特性
作者:
K.Fujita
;
H.Ohnishi
;
P.O.Vaccaro
;
T.Watanabe
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
48.
Spectral behaviour of AlGaAs/GaAs heterophotocells with extremely thin (2-8 nm) window layers
机译:
藻类/ GaAs的光谱行为,具有极薄(2-8 nm)窗口层
作者:
V.P.Khvostikov
;
A.M.Mintairov
;
P.G.Peevski
;
V.D.Rumyantsev
;
S.V.Sorokina
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
49.
Dispersion of bulk excition polaritons in a GaAs microcavity
机译:
批量消除极性恒缩在GaAs微腔中的分散
作者:
M.R.Valdimirova
;
A.V.Kavokin
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
50.
Identification of multivalent molybdenum impurities in SiC crystals
机译:
SiC晶体中多价钼杂质的鉴定
作者:
J.Baur
;
M.Kunzer
;
K.F.Dombrowski
;
U.kaufmann
;
J.Schneider
;
P.G.Baranov
;
E.N.Mokhov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
51.
Fabrication of monolithic voltage controlled oscillator using selective-area metalorganic chemical vapor deposition
机译:
使用选择性区域金属化学气相沉积的单片电压控制振荡器的制造
作者:
Jong-Wan Jung
;
Yong-Se Kwon
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
52.
Blue light emission from intra-cavity dobuled (In, GA)As/GaAs quantum well lasers on (112) GaAs substrates
机译:
来自腔内的蓝光发射(112)GaAs基材上的腔内(In,Ga)AS / GaAs量子阱激光器
作者:
E.Towe
;
P.A.Ramos
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
53.
Heteroepitaxy of Si_(1-x)Ge_xlayers and Ge-Si_(1-x)Ge_x superlattices on Si(100) substrates by HeH_4-Si MBE: growth kinetics and structural studies.
机译:
Si_(1-x)Ge_xlayers的异形遗传性和Ge-Si_(1-x)Ge_x SupeS的Si(100)底板上的GE_X超晶格:生长动力学和结构研究。
作者:
L.K.Orlov
;
V.A.Tolomasov
;
A.V.Potapov
;
V.I.Vdovin
;
M.G.Milvidskii
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
54.
Optical control of internal electrical field in GaAs
机译:
GaAs内部电场的光学控制
作者:
J.Vaitkus
;
M.Sudzius
;
L.Bastiene
;
J.Storasta
;
K.Jarasiumas
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
55.
Asymmetric growth behavior of selectively grown InP epilayers on vicinal (100) InP by low pressure netalorganic chemical vapor depolsition
机译:
低压不良化学蒸汽蒸汽去除邻近邻近(100)INP在静脉内(100)INP上的不对称生长行为
作者:
STaewan Lee
;
Youngboo Moon
;
Euijoon Yoon
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
56.
Temperature dependence of pseudomorphic complementary HIGFET devices electrical characteristics
机译:
Pseudomorphic互补HIGFET器件电气特性的温度依赖性
作者:
Jean-Francois Thiery
;
Hussein fawaz
;
Nour Eddien Bourzgui
;
Linh T.Nuyen
;
Georges Salmer
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
57.
Potential utility of nanoscale semiconductor heterostructures from the persopective of telecommunication and information technology
机译:
纳米级半导体异质结构的潜在效用来自电信和信息技术的潜在
作者:
El-Hang Lee
;
Kyoungwan Park
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
58.
Epitaxial CdF_2 layers on silicon: structural studies and luminescence of rare-earth ions
机译:
硅的外延CDF_2层:稀土离子的结构研究和发光
作者:
A.Yu.Khilko
;
R.N.Kyutt
;
N.S.Sokolov
;
M.V.Zamoryanskaya
;
L.J.Schowalter
;
Yu.V.Shusterman
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
59.
Monte carlo simulation of impact ionization effects in MSM photodetectors and MESFET's.
机译:
Monte Carlo MSM光电探测器和MESFET中的冲击电离效应模拟。
作者:
G.M.Dunn
;
J.P.R.David
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
60.
Al/Si/Pd ohmic contact to n-GaP based on the solid phase regrowth principle
机译:
基于固相再生原理,Al / Si / Pd欧姆接触N-GAP
作者:
Moon-Ho Park
;
L.C.Wang
;
D.C.Dufner
;
I.H.Tan
;
F.Kish
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
61.
Diagnostics of semiconductor structures based on InP and its related compounds by vibtration spectroscopy
机译:
基于INP及其相关化合物的半导体结构诊断Vibtration光谱法
作者:
A.T.Gorelenok
;
A.V.Kamanin
;
I.A.Mokian
;
M.M.Shmidt
;
O.V.Titkova
;
I.Yu.Yakimenko
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
62.
Dominant recombination center is 6H-SiC
机译:
主导重组中心是6H-SIC
作者:
A.M.Strelchuk
;
V.VEvstropov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
63.
The growth of GaN on 3C SiC SOI compliant substrates
机译:
GaN在3C SiC SOI兼容基材上的增长
作者:
I.Ferguson
;
C.Tran
;
R.karlicek
;
R.Stall
;
J.Deverajan
;
A.Steckl
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
64.
Interrelation between XRD and TEM characterization of high quality (ZnMg)(SSe) based epilayers and heterostructures grown by MBE.
机译:
MBE生长的高质量(ZnMG)(SSE)的XRD和TEM表征之间的相互关联和MBE生长的异质结构。
作者:
S.V.Ivanov
;
R.N.Kyutt
;
G.N.Mosina
;
L.M.Sorokin
;
S.V.Sorokin
;
Yu.G.Musikhinp
;
P.S.Kopev
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
65.
The semiconductor heterostructures: history and future trends
机译:
半导体异质结构:历史和未来趋势
作者:
Zh I.alferov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
66.
Spectroscopy studies of P-type GaAs/AlGaAs MQWs heavily doped with carbon
机译:
P型GaAs / Algaas MQWS的光谱学研究严重掺杂碳
作者:
V.N.Astratov
;
O.Z.Karimov
;
Yu.a.Vlasov
;
E.Mao
;
S.Dickey
;
B.W.Kim
;
A.Majerfeld
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
67.
Direct observation of non-threshold process of Auger recombination in type-I A_3B_5 quantum wells
机译:
直接观察ID-I A_3B_5量子阱中螺旋钻重组的非阈值过程
作者:
V.P.Evtikhiev
;
I.V.Kudryashov
;
V.E.Tokranov
;
D.V.Prilutsky
;
G.G.Zegrya
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
68.
Dynamics of 2D-3D transition during InAs on GaAs heteroepitaxial growth: rheed study
机译:
在GaAs异轴增长中INAS中2D-3D转变的动态:RHEED研究
作者:
G.E.Cirlin
;
N.P.Korneeva
;
V.N.Demidov
;
V.N.Petrov
;
N.K.Polyakov
;
V.G.Dubrovskii
;
G.M.Guryanov
;
N.N.Ledentsov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
69.
Comparison of power gain for stimulated raman scattering in zinc-blende GaP and chalcopyrite CuAlS_2
机译:
锌 - 融合间隙刺激拉曼散射功率增益比较和硫代铜矿Cuals_2
作者:
B.H.Bairamov
;
A.Aydinli
;
I.V.Bodnar
;
Yu. V.Rud
;
V.K.Nogodyuko
;
V.V.Toporov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
70.
GSrowth of GaN layers on GaAs and GaP (111) and (001) substrates by molecular beam epitaxy
机译:
通过分子束外延在GaAs和Gab(111)和(001)基板上的Ga层GaSrowth
作者:
T.S.Cheng
;
C.T.Foxon
;
G.B.Ren
;
N.J.jeffs
;
J.S.Orton
;
Sgt
;
V.Novikov
;
Y.Xin
;
P.D.Brown
;
C.J.Humphreys
;
M.H.alliell
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
71.
Regular 3-dimensional ensembles of InSb quantum dots-realization and conductivity regimes
机译:
Insb量子点实现和电导率方案的常规三维合奏
作者:
S.G.Romanov
;
D.V.Shamshur
;
A.V.Chernjaev
;
I.A.Larkin
;
D.K.Maude
;
J.C.Portal
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
72.
Self-assembled InAs quantum dots and their applications to nanostructure devices grown on GaAs
机译:
自组装在GaAs上生长的纳米结构装置的纳米量子点及其应用
作者:
Kanji Yoh
;
Toshiya Saitoh
;
Takaya Nakano
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
73.
In-plane polarization properties of GaAsP/AlAs strained quantum wells on GaAs(113)A and (114)A substrates
机译:
GaAsp / Alas紧张量子孔的面内极化特性在GaAs(113)A和(114)基板上
作者:
Naozumi Hiroyasu
;
Hiroyuki Yaguchi
;
Kentaro Onabe
;
Yasuhiro SHiraki
;
Ryoichi Ito
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
74.
Comparative study of the junction characteristics and performance of SiC p~+/n and schottky power rectifiers
机译:
SiC P〜+ / N和肖特基电力整流器的结特性和性能的比较研究
作者:
J.Scofield
;
M.Dunn
;
J.Wiemeri
;
K.Reinhardt
;
YU.K.yeo
;
R.L.hengehold
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
75.
The optical behaviour of the absorption edge of thin GaAs crystals with the 'super-quantum' thickness
机译:
具有“超级量子”厚度的薄GaAs晶体的吸收边缘的光学行为
作者:
G.N.Aliev
;
N.V.Lukyanova
;
R.P.Seisyan
;
M.R.Vladimirova
;
V.N.Bessolov
;
H.Gibbs
;
G.Khitrova
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
76.
Electron microscopy and optical characterization of lattice of photonic crystals.
机译:
光子晶体晶格的电子显微镜和光学特征。
作者:
Yu.G.Musikhin
;
V.N.Astratov
;
N.a.Bert
;
V.N.Bogomolov
;
A.A.Kaplynskii
;
O.Z.Karimov
;
Yu.a.Vlasov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
77.
Determination of valence-band offset of p-Al_xGa_(1-x)As/p-Al_xGa_(1-x)As-heterojunctions from C-V-measurements
机译:
从C-V测量中测定P-AL_XGA_(1-X)AS / P-AL_XGA_(1-x)的价带偏移的价偏移
作者:
M.A.Melnik
;
A.N.Pikhtin
;
A.V.Solomonov
;
V.I.Zubkov
;
F.Bugge
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
78.
Optical properties of InAlAs/InP type II heterostructures grown on (111)B InP substrates
机译:
在(111)B INP基板上生长的INALAS / INP型异质结构的光学性质
作者:
Y.Kawamura
;
A.Kamada
;
K.Yoshimatsu
;
H.Kobayashi
;
H.Iwamura
;
N.Inoue
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
79.
Current-carrying magnetic states engineering by nonmonotonic potential profile
机译:
非单调潜在型材的电流携带磁力状态工程
作者:
D.A.Romanov
;
S.A.Studentikin
;
V.A.Tkachenko
;
O.A.Tkachenko
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
80.
Calculation of the intervalence band absorption coefficient for the long wavelength lasers on the base of InAs.
机译:
计算ina碱基长波长激光的间歇带吸收系数的计算。
作者:
V.B.Khafin
;
z.N.Sokolova
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
81.
Optical study of cubic GaN layers grown on (001) GaAs
机译:
在(001)GaAs上生长的立方GaN层的光学研究
作者:
V.Yu.Davydov
;
A.M.Gurevich
;
I.N.Goncharuk
;
B.Y.Averhobukh
;
N.N.Zinovev
;
T.S.Cheng
;
C.T.Foxon
;
J.W.Orton
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
82.
Nekw effects due to local illumination of semiconductor heterostructures with two-dimensional electron gas
机译:
由于二维电子气体的局部异质结构局部照射导致的NEKW效应
作者:
O.a.Ryabushik
;
V.A.Sablikov
;
A.O.Volkov
;
V.G.Mokerov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
83.
Spectroscopic study of surface distribution of monolayer island fluctuations of heteroboundaries in the type-II GaAs/AlAs superlattices
机译:
II型GaAs / ALAS超晶片中异常岛波动表面分布的光谱研究
作者:
M.V.Belousov
;
I.Ya Gerlovin
;
H.M.Gibbs
;
I.V.Ignatev
;
A.V.Kavokin
;
G.Khitrova
;
I.E.Kozin
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
84.
Influence of the arsenic molecular form on the stoichiometry of the growth surface during MBE of GaAs
机译:
砷分子形式对GaAs MBE生长表面化学计量的影响
作者:
V.V.Preobrazhensikii
;
R.I.Nizamov
;
M.A.Putyato
;
B.R.Putyato
;
B.R.Semyagin
;
D.I.Lubyshev
;
O. P.Chelyakov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
85.
Weak localization and negative magnetoresistance in wurtzite-type crystals
机译:
紫立岩型晶体中的弱定位和负磁阻
作者:
F.G.Pikus
;
G.E.Pikus
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
86.
Microwave modulated relfectance as a method of novel modulation spectroscopy of semiconductor heterostructures
机译:
微波调制的互联作为半导体异质结构的新型调制光谱法
作者:
O.A.Ryabushkin
;
V.A.Sablikov
;
M.P.Meleshkevich
;
A.N.Pershikov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
87.
III/V-materials for tandem-concentrator solar cell application
机译:
III / V材料用于串联 - 聚光器太阳能电池应用
作者:
O.V.Sulima
;
A.w.Bett
;
F.Dimroth
;
S.Keser
;
G.Stollwerck
;
W.Wettling
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
88.
Optical studies of monocrystalline beta -FeSi_2
机译:
单晶β-Fesi_2的光学研究
作者:
E.K.Arushanov
;
R.Carles
;
C.h.Kloc
;
Egt
;
Bucher
;
J.Leotin
;
D.V.Smirnov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
89.
The introduction of dislocations in epilayers of III-V quaternary alloys
机译:
III-V季合金外膜脱臼的引入
作者:
T.G.Yugova
;
V.I.Vdovin
;
M.G.Milvidskii
;
M.G.Mezhennyi
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
90.
Light-emitting diodes based on GaN
机译:
基于GaN的发光二极管
作者:
A.G.Drizhuk
;
M.V.Zaitsev
;
V.G.Sidorov
;
D.V.Sidorov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
91.
Magnetoluminesence of Ge/Ge_(1-x)Si_x multiple quantum well structures.
机译:
GE / GE_(1-X)SI_x多量子阱结构的磁力发光。
作者:
N.G.Kalugin
;
a.V.Chernenko
;
Z.F.Krasilnik
;
OA.Kuznetsov
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
92.
High-resolution raman study of (001) n-GaP/n-GaP and n-GaP/n-Si
机译:
高分辨率拉曼研究(001)N-GAP / N-GAP和N-GAP / N-SI
作者:
B.H.Bairamov
;
E.Kernohan
;
R.T.Phillips
;
A.Aydinli
;
G.Ulu
;
N.Nazarov
;
V.K.Negoduyko
;
V.V.Toporov
;
Yu.V.Zhilyaev
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
93.
Deep level trap characterization of InGaP/GaAs heterointerface grown by LP-MOVPE
机译:
LP-MOVPE生长的InGaP / GaAs异化面的深层疏水阀表征
作者:
T.Kikkawa
;
K.Imanishi
;
K.Fukuzawa
;
T.Nishioka
;
M.Yokoyama
;
H.Tanaka
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
94.
Migration enhanced epitaxial growth and magnetoluminescence spectroscopy of quantum wire
机译:
迁移增强量子丝的外延生长和磁渗光谱
作者:
Y.M.Kim
;
W.S.Kim
;
Y.S.Kim
;
H.S.Ko
;
D.H.Kim
;
J.H.ae
;
T.Schmiedel
;
J.Kim
;
J.Y.Cha
;
J.W.lee
;
H.S.park
;
Seong Ju Park
;
J.C.Woo
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
95.
All-optical modulation near 1.55 mu m using In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs coupled quantum wells
机译:
使用IN_(1-X-Y)GA_XAL_YAS耦合量子阱附近1.55μm附近1.55μm的全光调制
作者:
R.W.Martin
;
F.McGow
;
M.Hopkinson
;
J.P.R.David
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
96.
Theory of gain spectra for quantum cascade lasers and temperature dependence of their characteristics at low and moderate carrier concentrations
机译:
量子级联激光器的增益光谱理论及其特性在低和中等载体浓度下的温度依赖性
作者:
Vera B.Gofinkel
;
Serge Luryi
;
Boris Gelmont
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
97.
Optical pertubation spectroscopy of modulation-doped InP/InGaAs heterostructures
机译:
调节掺杂INP / Ingaas异质结构的光学静脉化光谱
作者:
I.A.Buyanova
;
W.M.Chen a.V.Buyanov
;
B.Monemar
;
W.G.Bi
;
C.W.Tu
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
98.
Spectroscopic study on the effect of post-growth annealing of CdTe/C.dS thin fim photovoltaic devices
机译:
CDTE / C.DS薄FIM光伏器件后生长退火效果的光谱研究
作者:
J.M.Eggleston
;
D.P.Halliday
;
K.Durose
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
99.
Spectrum independent highly efficient graded-band-gap solar cell based on wire-doping design
机译:
基于线掺杂设计的频谱独立高效分级带隙太阳能电池
作者:
Y.T.Rebane
;
A.P.Dmitriev
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
100.
III-V interband and intraband far-infrared detectors
机译:
III-V InterBand和IntraBand远红外探测器
作者:
Manijeh Razeghi
;
Christopher jelen
;
Steve Slivken
;
Jim Hoff
;
Institute of Physics
会议名称:
《International symposium on compound semiconductors》
|
1997年
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