一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点材料及其生长方法

摘要

本发明提供了一种由砷化镓和锑化镓覆盖层调制的砷化铟量子点结构，包括依次在基底上分子束外延的砷化镓过渡层、砷化铟自组装量子点层、第一砷化镓覆盖层、锑化镓覆盖层、第二砷化镓覆盖层。该材料结构所获得量子点的室温光致发光达到1.3微米以上，半峰宽仅为20毫电子伏特，量子点具有良好的尺寸均匀性。此外，本发明也公开了一种外延生长1.3微米波长的均匀量子点材料结构的制造方法。