硅半导体

摘要： 氮化硼可以应用在制备半导体元器件方面,这是日本科学技术厅无机材料研究所利用生长大的单晶体立方氮化硼(C-BN)的最新技术成果,他们成功地制造了世界上第一个能在650°C温度下稳定工作的P-N结型二极管。在此之前,硅半导体广泛用作电子器件材料,但在200°C以上时失效。因此试图研究一种可用于极高温度环境,如外层空间和核反应堆的新型高温半导体材料。

摘要： 硅半导体量子计算研究是量子计算机研制中最重要的攻关方向之一,对国家产业、经济、国防等具有重要意义.国内外多家国际一流高校、科研机构、巨头公司,包括Intel、IBM、CEA-Leti、中国台积电等均已大规模开展硅量子计算研究,特别是近年来已开始借助工业产线来大力推进半导体量子芯片研究.主要从硅基自旋量子比特和量子比特的长程耦合方面回顾了近年来国内外硅基半导体量子计算取得的研究进展,然后从量子芯片的大规模集成扩展所面临的技术挑战方面总结了当前的技术现状,最后讨论了硅半导体量子计算的下一步研究重点.

摘要： 硅半导体量子计算研究是量子计算机研制中最重要的攻关方向之一,对国家产业、经济、国防等具有重要意义。国内外多家国际一流高校、科研机构、巨头公司,包括Intel、IBM、CEA-Leti、中国台积电等均已大规模开展硅量子计算研究,特别是近年来已开始借助工业产线来大力推进半导体量子芯片研究。主要从硅基自旋量子比特和量子比特的长程耦合方面回顾了近年来国内外硅基半导体量子计算取得的研究进展,然后从量子芯片的大规模集成扩展所面临的技术挑战方面总结了当前的技术现状,最后讨论了硅半导体量子计算的下一步研究重点。

摘要： 本文从硅半导体监测装置出发,解决了核电厂通风系统取样气体湿度大导致辐射监测通道故障频发的问题,介绍了探测器技术参数和主要性能,通过效率刻度和功能验证,计算得到效率系数Eft(10.255×10-3)满足要求,阈值报警功能和模拟量输出显示正常.

摘要： 豪威科技（Omni Vision）日前推出了革命性的近红外（NIR）技术-夜鹰Nyxel^TM。此项技术成功使用新型硅半导体架构和工艺解决了目前图像传感器近红外检测领域面临的挑战。相比豪威科技的传统近红外传感器，使用夜鹰Nyxel^TM技术的产品在850nm波长处的量子效率（QE）可增加高达3倍，在940nm处增加更是高达5倍。

摘要： 在我们生活的周围存在着无限的动能，压电材料有助于充分吸收、储存和使用各类机械动能，改变人与自然的互动方式。伴随着数字无线传输技术的 日益成熟，智能压电材料传感器应用愈加普及，特别是未来物联网的快速发展。基于硅半导体的压电材料通常为晶体状态，

摘要： 豪威科技推出了革命性的近红外（NIR）技术——夜鹰Nyxel^TM。此项技术成功使用新型硅半导体架构和工艺，解决了目前图像传感器近红外检测领域面临的挑战。相比豪威科技的传统近红外传感器，使用夜鹰Nyxel^TM技术的产品在850nm波长处的量子效率（QE）可增加高达3倍，

摘要： 利用SRIM模拟软件对硅太阳能电池板的减反射膜和N型磷掺杂硅半导体进行了氦粒子辐照模拟实验,实验可知10MeV高能氦粒子对减反射膜几乎不会产生大的损伤,对减反射膜辐照损伤是长期的累积效应.高能氦粒子的辐照损伤主要集中在N型磷掺杂硅半导体内部,这种内部损伤是个短期内快速累积效应.每个辐照氦粒子会在硅半导体材料内部把自身的能量释放出来,导致硅半导体材料内部发生离化现象,造成损伤,这种损伤包括原子离位、原子反冲、原子替换、空位的形成等,会产生平均空位率为394个空位,产生的粒子平均离位率为427个离位原子,会导致大量原子发生级联碰撞.

摘要： 能源问题是制约人类社会可持续发展的重要问题，就目前来看，我国能源形势异常严峻，经济发展与能源、环境的协调问题十分凸显，在这样的背景下，积极开发新型能源是十分必要也是十分重要的。硅半导体太阳能电池是一种典型的新型能源，本文从硅半导体太阳能电池概述入手，探讨了硅半导体的材料，展望了硅半导体太阳能电池未来的发展趋势。

摘要： 太阳能利用是解决当前能源和环境问题的有效途径之一,在各种能源转化形式中,电能具有使用清洁方便、易于储存及输送等优势,因此光电转换已成为一种主要的太阳能利用方式。但目前大多数太阳能电池都是针对可见光进行吸收,占太阳光52%的近红外光并没有得到高效利用。因此,增强在近红外区域的太阳光吸收和利用,成了一个关键科学问题。针对该问题,

摘要： 以硅PIN半导体器件为辐射探测器,研制了一种基于总线结构的区域γ辐射监测装置.该监测装置主要由探测器单元、现场处理和显示单元、设备配置部分构成.用来测量γ周围剂量当量率时,监测装置的基本误差＜15％,对65keV～661.6keV范围内γ射线的响应在137Cs响应的20％以内,对入射方向-90°～90°范围内的响应在0°响应的10％以内.监测装置取得了依据GJB151A、GJB152A所做的9项电磁兼容检验报告、依据GB4208所做的IP65外壳防护等级的测试报告及依据JJG393做的能响、角响应和校准因子的测试证书.

摘要： 以硅PIN半导体器件为辐射探测器,研制了一种基于总线结构的区域γ辐射监测装置.该监测装置主要由探测器单元、现场处理和显示单元、设备配置部分构成.用来测量γ周围剂量当量率时,监测装置的基本误差＜15％,对65keV～661.6keV范围内γ射线的响应在137Cs响应的20％以内,对入射方向-90°～90°范围内的响应在0°响应的10％以内.监测装置取得了依据GJB151A、GJB152A所做的9项电磁兼容检验报告、依据GB4208所做的IP65外壳防护等级的测试报告及依据JJG393做的能响、角响应和校准因子的测试证书.

摘要： 以硅PIN半导体器件为辐射探测器,研制了一种基于总线结构的区域γ辐射监测装置.该监测装置主要由探测器单元、现场处理和显示单元、设备配置部分构成.用来测量γ周围剂量当量率时,监测装置的基本误差＜15％,对65keV～661.6keV范围内γ射线的响应在137Cs响应的20％以内,对入射方向-90°～90°范围内的响应在0°响应的10％以内.监测装置取得了依据GJB151A、GJB152A所做的9项电磁兼容检验报告、依据GB4208所做的IP65外壳防护等级的测试报告及依据JJG393做的能响、角响应和校准因子的测试证书.

摘要： 以硅PIN半导体器件为辐射探测器,研制了一种基于总线结构的区域γ辐射监测装置.该监测装置主要由探测器单元、现场处理和显示单元、设备配置部分构成.用来测量γ周围剂量当量率时,监测装置的基本误差＜15％,对65keV～661.6keV范围内γ射线的响应在137Cs响应的20％以内,对入射方向-90°～90°范围内的响应在0°响应的10％以内.监测装置取得了依据GJB151A、GJB152A所做的9项电磁兼容检验报告、依据GB4208所做的IP65外壳防护等级的测试报告及依据JJG393做的能响、角响应和校准因子的测试证书.

摘要： 自二十世纪六十年代硅功率晶体管问世以来，供制造高反压功率晶体管和电力电子器件用的N-/N+、P-/P+、N-/P+型硅重掺杂扩散衬底片的生产和制造器件应用得到长足进展。尤其是有关硅中半导体扩散杂质源的研制开发、半导体杂质在硅扩散结区的浓度优化分布、半导体扩散工艺技术革新、硅衬底扩散片的结构创新和市场开拓等工作，为半个世纪来功率晶体管及电力电子器件的大量涌现和推广应用奠定了坚实基础。本文概述重掺杂硅衬底片的发展史，并对与重掺杂硅衬底扩散技术有关的专利技术作以介绍。

摘要： 自二十世纪六十年代硅功率晶体管问世以来，供制造高反压功率晶体管和电力电子器件用的N-/N+、P-/P+、N-/P+型硅重掺杂扩散衬底片的生产和制造器件应用得到长足进展。尤其是有关硅中半导体扩散杂质源的研制开发、半导体杂质在硅扩散结区的浓度优化分布、半导体扩散工艺技术革新、硅衬底扩散片的结构创新和市场开拓等工作，为半个世纪来功率晶体管及电力电子器件的大量涌现和推广应用奠定了坚实基础。本文概述重掺杂硅衬底片的发展史，并对与重掺杂硅衬底扩散技术有关的专利技术作以介绍。

摘要： 自二十世纪六十年代硅功率晶体管问世以来，供制造高反压功率晶体管和电力电子器件用的N-/N+、P-/P+、N-/P+型硅重掺杂扩散衬底片的生产和制造器件应用得到长足进展。尤其是有关硅中半导体扩散杂质源的研制开发、半导体杂质在硅扩散结区的浓度优化分布、半导体扩散工艺技术革新、硅衬底扩散片的结构创新和市场开拓等工作，为半个世纪来功率晶体管及电力电子器件的大量涌现和推广应用奠定了坚实基础。本文概述重掺杂硅衬底片的发展史，并对与重掺杂硅衬底扩散技术有关的专利技术作以介绍。

摘要： 自二十世纪六十年代硅功率晶体管问世以来，供制造高反压功率晶体管和电力电子器件用的N-/N+、P-/P+、N-/P+型硅重掺杂扩散衬底片的生产和制造器件应用得到长足进展。尤其是有关硅中半导体扩散杂质源的研制开发、半导体杂质在硅扩散结区的浓度优化分布、半导体扩散工艺技术革新、硅衬底扩散片的结构创新和市场开拓等工作，为半个世纪来功率晶体管及电力电子器件的大量涌现和推广应用奠定了坚实基础。本文概述重掺杂硅衬底片的发展史，并对与重掺杂硅衬底扩散技术有关的专利技术作以介绍。

摘要： 横向功率器件是智能功率集成电路的核心器件,而漂移区杂质分布是影响器件击穿性能的重要因素.本文基于二维泊松方程的解,建立了漂移区全耗尽和不全耗尽情况下任意纵向变掺杂体硅横向功率器件二维电场分布模型,进而导出了纵向和横向击穿电压表达式.借助此模型,研究了漂移区纵向杂质分布分别为均匀、线性递减、线性递增和高斯四种典型分布的体硅功率器件的耐压机理和工作特性.解析结果和半导体器件仿真器MEDICI的数值结果吻合较好,验证了模型的准确性.

摘要： 横向功率器件是智能功率集成电路的核心器件,而漂移区杂质分布是影响器件击穿性能的重要因素.本文基于二维泊松方程的解,建立了漂移区全耗尽和不全耗尽情况下任意纵向变掺杂体硅横向功率器件二维电场分布模型,进而导出了纵向和横向击穿电压表达式.借助此模型,研究了漂移区纵向杂质分布分别为均匀、线性递减、线性递增和高斯四种典型分布的体硅功率器件的耐压机理和工作特性.解析结果和半导体器件仿真器MEDICI的数值结果吻合较好,验证了模型的准确性.

摘要： 本发明提供了降低硅氧烷橡胶硫化产品的表面粘度的方法，该方法包括给可硫化的硅氧烷橡胶组合物的硫化产品的表面涂覆可固化的硅氧烷树脂层，在该组合物中键合到硅原子上的氢原子相对于键合到硅原子上的链烯基的摩尔比为1.0或更大，并且在硫化，所述的硫化产品显示出由JIS K6253规定的A型硬度不大于20，在固化后，所述的硅氧烷树脂层显示出由JIS K6253规定的D型硬度为30或更大；然后固化该硅氧烷树脂而形成厚度不超过0.5mm的固化的树脂层，它能够防止污垢粘合到表面。

摘要： 一种用于密封光学半导体元件的可固化有机硅组合物，其包含：(A)有机聚硅氧烷，所述有机聚硅氧烷在一个分子中具有至少两个硅键合的乙烯基，对于其中的其他硅键合的有机基团具有C

摘要： 本发明提供了降低硅氧烷橡胶硫化产品的表面粘度的方法，该方法包括给可硫化的硅氧烷橡胶组合物的硫化产品的表面涂覆可固化的硅氧烷树脂层，在该组合物中键合到硅原子上的氢原子相对于键合到硅原子上的链烯基的摩尔比为1.0或更大，并且在硫化，所述的硫化产品显示出由JIS K6253规定的A型硬度不大于20，在固化后，所述的硅氧烷树脂层显示出由JIS K6253规定的D型硬度为30或更大；然后固化该硅氧烷树脂而形成厚度不超过0.5mm的固化的树脂层，它能够防止污垢粘合到表面。

摘要： 本发明提供一种包括具有第一晶向的衬底及在衬底上的绝缘层的半导体装置。在绝缘层上形成多个硅层。第一硅层包括具有第一晶向的硅而第二硅层包括具有第二晶向的硅。此外，本发明又提供一种方法以形成设有包括其上具有硅层的衬底及插置在衬底与硅层间的第一绝缘层的绝缘体上硅结构的半导体装置。通过移除硅层及第一绝缘层的一部分以曝露出衬底层的一部分而在绝缘体上硅结构的第一区域形成开孔。在此开孔中生长选择性外延硅。在生长于开孔中的硅中形成第二绝缘层以在开孔中生长的硅与衬底之间设置绝缘层。

摘要： 一种用于密封光学半导体元件的可固化有机硅组合物，其包含：(A)有机聚硅氧烷，所述有机聚硅氧烷在一个分子中具有至少两个硅键合的乙烯基，对于其中的其他硅键合的有机基团具有C

摘要： 本申请提供了一种硅基半导体器件的切割后钝化方法和硅基半导体器件，涉及半导体器件技术领域。该硅基半导体器件的切割后钝化方法，包括以下步骤：利用切割工艺对所述硅基半导体器件的预设区域进行切割以形成与所述预设区域相关的第一表面；对所述第一表面进行光滑处理以调整所述第一表面的表面形貌，使得所述第一表面上非边缘区域的凸起和凹陷高度差小于20nm；对所述光滑处理后的所述第一表面进行钝化处理以在所述第一表面上形成第一钝化层。本申请能减少或避免硅基半导体器件因切割而导致的效率降低问题，有助于获得更高效率的硅基半导体器件。

摘要： 本发明涉及用于生产单晶硅半导体晶片的方法、用于进行该方法的设备以及包含氧和至少一种n型掺杂剂的单晶硅半导体晶片。所述方法包括在石英坩埚中提供包含n型掺杂剂的硅熔体，其中所述熔体具有初始高度hM；通过向具有初始高度hm的所述熔体的上部体积选择性地供应热来从侧面加热所述熔体，其中所述高度hm小于所述高度hM；通过CZ法以拉制速度V从所述熔体拉制硅单晶；从所述生长的单晶和所述熔体之间的相界区域的上方加热所述熔体；从所述熔体的表面区域的上方加热所述熔体；使所述熔体经受磁场；用p型掺杂剂反掺杂所述熔体；和从所述单晶分离所述单晶硅半导体晶片。

摘要： 本发明涉及具有前侧、后侧、中部和周边的由单晶硅半导体晶片，并涉及所述半导体晶片的制备，所述半导体晶片包括：从所述中部延伸至所述周边的空穴占优势的中性区域；从所述前侧延伸进入所述半导体晶片的内部中至不小于20μm的深度的洁净区，其中借助于铂扩散和DLTS确定的所述洁净区中的空穴密度不超过1×1013个空穴/cm3；不小于4.5×1017个原子/cm3且不超过5.5×1017个原子/cm3的氧浓度；所述半导体晶片的所述内部中的区域，该区域与所述洁净区邻接并且具有可借助于热处理形成为具有不小于6.0×109/cm3的峰值密度的BMD的核，其中所述热处理包括在4小时的时段内将所述半导体晶片加热至800°C的温度，以及在16小时的时段内将其加热至1000°C的温度。

摘要： 本发明涉及用于生产单晶硅半导体晶片的方法、用于进行该方法的设备以及包含氧和至少一种n型掺杂剂的单晶硅半导体晶片。所述方法包括在石英坩埚中提供包含n型掺杂剂的硅熔体，其中所述熔体具有初始高度hM；通过向具有初始高度hm的所述熔体的上部体积选择性地供应热来从侧面加热所述熔体，其中所述高度hm小于所述高度hM；通过CZ法以拉制速度V从所述熔体拉制硅单晶；从所述生长的单晶和所述熔体之间的相界区域的上方加热所述熔体；从所述熔体的表面区域的上方加热所述熔体；使所述熔体经受磁场；用p型掺杂剂反掺杂所述熔体；和从所述单晶分离所述单晶硅半导体晶片。

摘要： 一种制备锗硅半导体材料层的方法、锗硅半导体材料层，所述方法包括：提供半导体衬底；形成多层超晶格层，所述多层超晶格层覆盖所述半导体衬底；其中，每层超晶格层包含单层超晶格SixGe1‑x材料层以及单层超晶格Ge材料层，其中，所述多层超晶格中的超晶格SixGe1‑x材料层以及超晶格Ge材料层交替形成；0＜x≤0.2。本发明可以降低了锗硅半导体材料层中的位错密度。