无源元件

摘要： On Semi公司的RSL10 SIP是蓝牙5系统级封装(SIP),在单封装内提供了板内天线,RSL10无线电SoC以及所有必须的所有无源元件,以最小化整个系统的尺寸.器件具有完整的解决方案,提供了在无线应用中集成业界最低功耗的蓝牙低功耗技术的最方便方法.器件完全满足FCC, CE, IC, MIC, KCC和其它规范标准如蓝牙5,QDID和Declaration ID. RSL10 SIP集成了Arm Cortex-M3 MCU.

摘要： 意法半导体(ST)推出了第二代SiC功率MosFET,具有单位面积极低的导通电阻(RDSon)和优良的开关性能,开关损耗在结温范围内几乎没有变化。ST提供广泛的第二代S MOSFET:额定击穿电压值从SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V,并延伸到1700V。在电动汽车牵引电机或充电站等汽车应用中,以及在太阳能发电机和电机驱动等工业应用中,使用SiC MOSFET可使设计者获得各种好处,包括:减小功率级的尺寸和重量;实现更高的功率密度;减小功率电路无源元件的尺寸和成本;实现更高的系统效率;减轻热设计限制,消除或减少散热器的尺寸和成本。

摘要： 便捷的小型力触觉交互反馈装置在面向不同领域的人机交互中有着重要的作用。东南大学机器人传感与控制技术研究所针对力触觉反馈装置的小型化,研制了小型可穿戴式力触觉反馈装置,在此基础上研制了基于有源和无源元件组合的力触觉反馈装置,成功将其应用于笔式人机交互设备及虚拟训练手控器中。

摘要： 在为给定应用选择最佳元件时,可以说电容器比其他类型的无源元件更受关注。但是,在有电容器的地方通常会有一个电感器,其原因是为了让电气系统正常工作,通常需要利用电容器的静电特性以及电感器的电磁特性。现在,铁氧体磁芯和金属复合电感器的最新进展,为设计人员提供了更多选择和更大功率,以便优化其电路的性能、可靠性和成本。

摘要： 2019年3月20-22日,2019慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心举行。作为亚洲重要的电子行业展会,慕尼黑上海电子展展览范围涵盖了半导体、传感器技术、微纳米系统、电源、无源元件、开关及连接器技术,以及全方位展示电子产业链的关键环节。

摘要： 3月14日，以“智向未来”为主题的2018慕尼黑（上海）电子展在上海新国际博览中心盛大开幕。同期展出的还有电子生产设备，展会总规模近80000m2，约有1400家中外展商参与今年的电子行业盛会。

摘要： 模拟芯片厂矽力董事长陈伟在公司近期所举行的发布会上指出，从市场当前情况来看，消费电子需求持续增长，工业用相对稳定；智能手机较为疲软，还需要时间复苏。而市场变数则来自于电阻、电容等零组件的缺货。

摘要： 在传导EMI频段,无源元件的寄生参数开始显现甚至起主要作用.为正确分析电路的EMI特性,本文根据电感、电容、变压器的物理特性建立了它们的传导EMI集总参数模型,并根据阻抗测试结果提取参数,最后用PSPICE仿真验证了模型的正确性.

摘要： 本文首先介绍了世界高技术产业的发展与无源元件的应用情况，然后介绍了钽电容器的发展现状，以及钽粉及钽材料产业面临“时艰”问题，最后分析了中国钽材料产业的发展。

摘要： 本文通过对半导体器件的芯片剪切强度试验方法设计原理的分析,认为芯片质量是设定芯片剪切强度判据的依据,并以此为根据给出了混合集成电路中无源元件的剪切强度判据.

摘要： 分立无源元件集成化是未来发展的必然趋势.本文论述了无源元件集成化的途径和方法,介绍了无源元件集成化开发现状,指出了今后的发展趋势.

摘要： 本文概述了现阶段MMIC器件的质量和可靠性发展的情况。从MMIC的工艺、结构、各种相关失效机理,以及典型案例多种角度对MMIC器件进行分析,明确了MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源元件和环境因素引入的损伤退化,从而指出目前MMIC所面临的挑战,为进一步研究MMIC器件的质量和可靠性问题奠定了基础。

摘要： 本文对无源元件集成化的优点及发展趋势进行了探讨,并在对比各种RC网络集成电路制造工艺的基础上,阐述了我公司研究的利用半导体薄膜工艺实现RC/RCD网络集成电路制造的工艺方法,并介绍了产品的主要性能及优点。

摘要： 随着电子产品中信号传输的高速数字化和高频化的急速发展，高密度电子组装离散无源元件已受到严峻的挑战。因此，在PCB中埋入无源元件是目前和今后必然发展趋势与要求，并会迅速成为常规PCB产品而量化生产。文中介绍了在PCB中埋入电阻和埋入电容等的原理、计算方法、各种工艺技术和制造过程。如薄膜材料工艺技术、厚膜材料工艺技术、喷墨打印工艺技术、电镀与溅射工艺技术和烧结工艺技术等，并对各种工艺技术进行了比较。

摘要： 随着电子产品向多功能化、信号传输向高频、高速化等方向发展,无源元件的应用量大增,为了提高无源元件的性能,减少分立式无源元件的使用数量,进一步缩小电路基板的面积,目前无源元件技术由传统的分立式无源元件,逐渐向内埋置式无源元件的模块化方向发展.本文重点介绍了MCM内埋置电容的材料、技术及其发展趋势.

摘要： 介绍了MCM中的高温共烧陶瓷与低温共烧陶瓷基板技术,以及共烧陶瓷基板技术的研究进展情况.讨论了多层共烧陶瓷基板的关键工艺,比较了HTCC和LTCC的工艺.并对多层共烧陶瓷基板的发展进行了展望.

摘要： 介绍了MCM中的高温共烧陶瓷与低温共烧陶瓷基板技术,以及共烧陶瓷基板技术的研究进展情况.讨论了多层共烧陶瓷基板的关键工艺,比较了HTCC和LTCC的工艺.并对多层共烧陶瓷基板的发展进行了展望.

摘要： 一种天线设备，包括多个偶极天线和端口。所述多个偶极天线中的每一个偶极天线连接到所述端口，其中，所述多个偶极天线布置在所述端口周围。所述多个偶极天线中的每一个偶极天线包括两个端部。所述多个偶极天线的所述端部布置成多对。每对包括所述多个偶极天线中的一个偶极天线的一个端部和所述多个偶极天线中的另一个偶极天线的一个端部。每对中的两个端部彼此相邻布置。一个或多个开关用于在(1)全向状态与(2)定向状态之间切换，其中，在所述全向状态下，所述多个偶极天线的所述端部不彼此连接，在所述定向状态下，一个或多个对中的每一个对中的两个端部彼此连接。

摘要： 本文公开了一种半导体组件，其包括：内插器，其包括电绝缘衬底、设置在衬底的上表面上的多个上接触焊盘、以及设置在衬底的下表面上的多个下接触焊盘；半导体封装，其包括嵌入在封装主体内的半导体管芯和从封装主体暴露的多个封装端子；包括第一端子和第二端子的第一无源电元件；在第一无源电元件的第一端子和下接触焊盘中的第一下接触焊盘之间的经由内插器的第一电连接部；在第一无源电元件的第二端子和封装端子中的第一封装端子之间的第二电连接部；以及在封装端子中的第二封装端子和下接触焊盘中的第二下接触焊盘之间的经由内插器的第三电连接部。

摘要： 本发明是关于一种集成电路和其无源元件及形成此无源元件的方法，该集成电路包括一有源元件，具有一金属闸电极沉积在一基板上；一由半导体材料所形成的无源元件，形成于邻近此有源元件处的基板上；一介电层位于该无源元件和基板间，用以隔离两者。该无源元件的方法，其至少包括以下步骤：形成一栅极介电层在一半导体基板上；形成一金属栅极电极在该栅极介电层上；沉积一介电层在该金属栅极电极之上；沉积一半导体层在该介电层之上；以及图案化该半导体层和该介电层用以形成一无源元件。本发明的无源元件制造方法不会占据额外的布局区域，并且可以解决不容易熔断的问题。

摘要： 本发明揭示一种内含无源元件的外露式有源元件基座模块，包括：一有源元件基座；一有源元件，于上述有源元件基座上；一连接线，与上述有源元件基座以间隔方式设置于其周围，且与上述有源元件电连接；一连接垫，与上述连接线以间隔方式设置于其周围；一无源元件，电连接上述连接线与上述连接垫之间；一隔绝材料，包覆上述有源元件、上述连接线、与上述无源元件上，并暴露上述有源元件基座与至少部分上述连接垫。

摘要： 一种带有衬底(1，31)的电子元件，衬底的表面(4，34)配备有带无源元件(5，35)的薄膜结构，其电阻器(6，36)制作在电阻器材料层(7，37)中，且电容器的下电极(9，39)制作在表面上的电极层(10，40)中，由绝缘材料层(12，41)组成的介电层(11，41)制作在下电极上，而上电极(13，43)制作在介电层上的电极层(14，44)中。电容器(8，38)的一个电极(9，43)制作在制成双层(19～21，49～51)的电极层(10，44)中，双层中还用于制作电阻器(6，36)的电阻器材料层(7，37)构成第一分层(19，49)，其上制作一个构成第二分层(21，51)的导电材料层(20，55)。由于采用双层，电容器具有较低的串联电阻。

摘要： 提供了一种无源元件封装件和包括该无源元件封装件的半导体模块。所述无源元件封装件包括：第一基板；第一无源元件，设置在第一基板上；第二基板，设置在第一无源元件上；第二无源元件，设置在第二基板上；密封件，密封第一无源元件和第二无源元件。无源元件封装件可以减小包括无源元件封装件的半导体模块的尺寸。

摘要： 本发明揭示一种内含无源元件的外露式有源元件基座模块，包括：一有源元件基座；一有源元件，于上述有源元件基座上；一连接线，与上述有源元件基座以间隔方式设置于其周围，且与上述有源元件电连接；一连接垫，与上述连接线以间隔方式设置于其周围；一无源元件，电连接上述连接线与上述连接垫之间；一隔绝材料，包覆上述有源元件、上述连接线、与上述无源元件上，并暴露上述有源元件基座与至少部分上述连接垫。

摘要： 一种带有衬底(1，31)的电子元件，衬底的表面(4，34)配备有带无源元件(5，35)的薄膜结构，其电阻器(6，36)制作在电阻器材料层(7，37)中，且电容器的下电极(9，39)制作在表面上的电极层(10，40)中，由绝缘材料层(12，41)组成的介电层(11，41)制作在下电极上，而上电极(13，43)制作在介电层上的电极层(14，44)中。电容器(8，38)的一个电极(9，43)制作在制成双层(19～21，49～51)的电极层(10，44)中，双层中还用于制作电阻器(6，36)的电阻器材料层(7，37)构成第一分层(19，49)，其上制作一个构成第二分层(21，51)的导电材料层(20，55)。由于采用双层，电容器具有较低的串联电阻。

摘要： 本发明提供一种埋置无源元件印制电路板的制作方法，先制作出两块具有双面线路的电路板，并将其与另外两块棕化后的基板进行层压并在层压板的两外侧贴上元器件，随后再将得到的层压板与一块制作有内层线路的基板和另外一块没有线路的基板再次压合并制作两侧的外层线路，最终得到埋置无源元件的印制电路板。通过本方法实现了电路板中填胶饱满度的增加，同时也降低了电路板的孔洞率，进而提升了电路板的良品率；除此之外，还简化了工艺流程，降低了生产成本，大幅度提高了生产效率，实现了生产利润的最大化。

摘要： 一种天线设备，包括多个偶极子天线和一个端口。所述多个偶极子天线中的每个偶极子天线连接到所述端口。所述偶极子天线围绕所述端口布置。所述多个偶极子天线中的每个偶极子天线包括两个端部。所述设备还包括多个无源元件。所述偶极子天线的所述端部和所述无源元件围绕所述端口相邻布置，使得所述多个无源元件中的每个无源元件位于所述多个偶极子天线中两个不同的天线的端部之间。所述天线设备还包括一个或多个开关，所述一个或多个开关用于在全向状态与定向状态之间切换，在所述全向状态下，所述偶极子天线的所述端部未连接到所述多个无源元件，在所述定向状态下，所述多个无源元件中的一个无源元件的至少一个端部连接到所述多个天线中的一个天线的至少一个端部。