结温

摘要： 概述了双极型功率器件的结构特点,给出了界面化热仿真器的器件温升理论方程,通过三维模型热仿真结果及试验实测结温数据对比分析,对仿真器的理论模型、仿真结果进行修正,最终验证了其仿真结果的准确性,该仿真器具有极好的工程应用价值。

摘要： 针对大功率IGBT模块在短路极端运行条件下的可靠性问题,将器件的功率端口不均流现象和由此产生的动态结温变化进行综合分析。首先,通过实验对英飞凌某型3300 V/1500 V IGBT模块在短路条件下的并联端口均流特性进行测试,进而得到不同功率端口的功率损耗。其次,采用有限元法构建IGBT模块的热模型,进一步研究功率端口不均流对IGBT芯片瞬态热特性的影响。研究结果表明,短路条件下的端口电流差异可达1500 A,其导致IGBT结温相差11°C左右,进而增加器件发生瞬时热失效的风险。研究结论可为功率半导体器件的优化设计提供指导。

摘要： 随着人们节能意识的不断提高,LED作为新一代环保照明设备,已广泛应用于日常生活,LED在发光过程中其内部结节温度(简称结温)直接影响了LED的发光性能和发光时长,所以如何有效优化LED设计结构参数,一直是人们研究的热点问题,本文将探讨智能蚂蚁算法在优化LED结构参数及降低结温的应用。

摘要： 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块以其驱动简单、功率等级高、功耗小、热稳定性好等优点,被广泛应用于光伏发电、航空航天、电动汽车、船舶等各类电力电子设备中。IGBT模块作为电力电子设备的核心部件,其可靠性一直都是制造商与用户重点关注的问题,而结温波动被认为是导致IGBT模块失效的主要原因。因此,如何估算或测量IGBT模块的结温是研究IGBT模块可靠性的重点。此处对常见的热敏感电参数(TSEP)进行分析,并通过IGBT模块双脉冲测试平台进行了实验对比,实验结果表明相比较于其他TSEP,关断时间对结温的灵敏度更高,线性度更好,为最佳TSEP。

摘要： 目标函数是智能算法优化逆变器性能的评估标准.针对逆变器的目标函数考虑不够全面,需要提高逆变器整体性能等问题,提出了一种可以反映逆变器多个性能指标(电压精度、电压的总谐波失真、逆变器的效率以及功率器件的结温性能等)的目标函数,通过智能算法有助于提高逆变器的整体性能.最后以通过粒子群优化算法优化的单相离网逆变器为例,验证了所提出的目标函数的有效性.

摘要： 高热流密度、微型化芯片的发展使传统金属材料的热扩散能力受限。本文设计加工了一款具有微针筋的均温板,应用于芯片封装壳体,实验研究了充液率、芯片尺寸、散热器运行参数(水流量、温度)对均温板壳体(VC IHS)传热性能的影响,并与同工况条件下芯片封装金属铜壳体(Cu IHS)的传热性能进行对比。结果表明:VC IHS的充液率、芯片尺寸和散热器的运行参数会影响VC IHS的传热性能,在高热流密度同工况条件下,VC IHS的最佳充液率为90%,热阻随着散热器运行参数(水流量、温度)和芯片尺寸的增加而降低;当热流密度为200 W/cm^(2)时,相比于Cu IHS,VC IHS的启动时间较短,均温性更佳,热阻和结温均小于Cu IHS,热阻减小20%。对于高热流密度、微型化芯片封装领域,均温板VC在高效散热、均温性方面更具应用前景,不同面积比下热阻比与热流密度的对应关系可为芯片封装VC IHS热设计提供参考。

摘要： 本文主要研究功率器件的内部实际结温和外壳顶温度的差异,给出了测量内部实际结温的方法。研究表明,不同的器件、不同的封装类型,不同的内部封装方法,都会直接影响到温度差异,环境温度越高,温度差值越小;封装材料越厚,温度差值越大。

摘要： 荧光粉转换型白光LED(pc-LED)的热模型是LED散热设计的基础。常用的单热源单通道热模型不能表达pc-LED的实际散热过程,已有的双热源双通道热模型的参数测量需要T3ster和红外热像仪,并忽视了环氧胶在蓝光LED照射下的发热现象。为此,文章提出一种采用PT100芯片直接测pc-LED芯片结温和微型热电偶直接测荧光粉温度的方法,并依据实验结果改进了双热源双通道热模型,计算出各热阻值和热流值,揭示了pc-LED的散热规律。实验还发现纯环氧胶在蓝光LED辐照下有发热的现象。

摘要： 为了保证晶闸管的可靠稳定运行,提高水冷系统流量设计的精确度,提出了基于结温限值核算水冷系统流量的优化算法——结温算法。该算法通过预设晶闸管运行结温限值、进阀水温,结合晶闸管的热阻和散热器热阻,计算出阀冷却所需的水冷系统流量值。结果表明,通过结温算法进行水冷系统流量设计,在保证晶闸管运行结温的同时可提升水冷系统的可靠性与经济性,为水冷系统流量设计优化提供理论依据。

摘要： 针对目前对压接型绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)可靠性评估测试工作的不足,从器件应用角度提出了可用于柔直功率模块的老化循环试验方法。结合不同试验工况下的理想试验波形及热阻模型得到了适用于不同试验的结温波动公式。通过实验验测得到了压接型IGBT在老化试验下的结温波动波形,对所提方法进行了验证。

摘要： 本实验中通过SSP3516型大功率LED老化测试仪对LED灯珠进行加速老化;多路温度记录仪采集LED结温;积分球光谱仪测量各个老化时间点LED灯珠的光通量、光效、主波长等一系列参数。试验结果表明：当对LED灯珠进行电流加速老化试验时，考虑结温对电流加速的影响，可以更加精确的预测LED灯珠的寿命。

摘要： 对整流桥结温的实时测试方法进行了研究，利用整流桥在工作半波中导通时间很短、截止时间很长的特点，在其截止时间段内加入测试电流并测试相应的热敏电压，并以此确定在该工作状态下的结温。此外该测试方案还可以在一定温度范围内利用二极管的温敏特性测试整流桥工作的环境温度。

摘要： 本文针对80W 大功率LED在大空间自然对流条件下提出了热设计方案,并研究了LED输入功率、散热器倾斜角度对结温和光效的影响.研究结果表面:通过优化散热系统设计,可以使LED结温降至73.5 °C;LED输入功率和散热器倾斜角度对结温、照度有着重要影响.

摘要： LED灯具的工作结温是产品性能的重要指标，工作结温直接影响到LED灯具的使用寿命，但目前国内在这方面标准的制订则相对落后。文章介绍了亚明LED实验室采用的检测方法及检测过程，并应用于LED灯具的设计开发的情况。

摘要： LED热性能参数主要是指结温与热阻,本文采用电参数法测量LED的结温与热阻,并以此作为芯片不同尺寸设计、器件封装、老化条件制定的主要依据.

摘要： LED工作时不可避免地会伴随结温上升现象，PN结温度对LED的性能影响较大，会导致光效下降，寿命减少等问题．本丈论述了LED工作原理及PN结升温的原因，以及温度如何影响LED的参数，并论述如何利用电压与温度的关系测量LED工作时的PN结温．

摘要： LED结温直接影响到LED光电性能,如色温、波长、光效及寿命等.降低LED器件结温和热阻是提高大功率LED封装司靠性和散热性能的重要途径之一。本文在大量测量LED热阻和结温的实验基础上,总结了LED结温和热阻测试的影响因素。

摘要： 对采用银浆和130、250度高低温锡膏作为芯片键合材料的1W白光LED结温、热阻和光表进行了对比研究。研究结果表明：与采用银浆作为芯片键合材料的LED相比，采用锡膏作为芯片键合材料的1W白光LED的结温下降了10°C以上，热阻也相应下降了十几K/W；两种键合材料的1W白光LED初始光通量基本没有差别，在光衰试验中，初期均存在光通量提高现象。在环境温度5 8°C时，工作1400小时之后，光通量才开始小于初始光通量，在工作2000小时之内，两种键合材料的1W白光LED光表过程基本一致。

摘要： 热学特学生和寿命是LED的两大重要性能，受到人们的高度重视，且两者之间存在关联。然而，对这两大性能参数的检测却具有挑战性。本文根据国内外相关标准的要求和最新研究，综合分析了LED热特性参数和寿命指标的检测要求和方法，同时介绍了国内外的先进检测设备及特点。

摘要： 热学特学生和寿命是LED的两大重要性能，受到人们的高度重视，且两者之间存在关联。然而，对这两大性能参数的检测却具有挑战性。本文根据国内外相关标准的要求和最新研究，综合分析了LED热特性参数和寿命指标的检测要求和方法，同时介绍了国内外的先进检测设备及特点。

摘要： 本发明公开了一种四路独立电子负载控制并测量结温系统，包括试验电源、四路独立电子负载和老化板，器件安装在老化板上，所述试验电源经过四路独立电子负载调整后给器件加电流，每路独立电子负载分为两个部分：提供0‑20A加热电流IH的电子负载A板和提供10mA测试电流Im的电子负载B板，所述电子负载A板、电子负载B板、试验电源和老化板通过电子负载转接板连接，所述电子负载B板采用18位高精度高速AD芯片。本发明的四路独立电子负载互不影响，并且电子负载分成两块板，控制部分和调整保护部分分开避免干扰，可以准确检测出负载电压，精确调整负载电流，更多的保护电路，采用高精度高速AD芯片使数据的结果更准确可靠。

摘要： 本发明提供了一种结温检测系统、结温检测方法、结温检测装置和存储介质。结温检测系统用于变频器，变频器包括开关件，结温检测系统包括：云平台；检测终端，与变频器相连接，并与云平台之间进行数据交互，检测终端用于：获取变频器的运行参数；根据运行参数，确定开关件的结温值；将运行参数和结温值上传至云平台。本申请所提出的结温检测系统能够在脱离变频器的基础上检测出变频器内部开关件的结温值，解放了变频器的算力需求，免去为变频器设置复杂的控制板软件系统，降低了变频器在工作过程中的数据处理负担。从而解决相关技术中所存在的变频器自身计算性能要求较高、成本较高的技术问题。

摘要： 一种结温调节电路及其结温调节方法，结温调节电路包括主三端子晶体管和电流控制电路，电流控制电路用于在所述主三端子晶体管导通时，基于所述主三端子晶体管上的负载电流，获得所述负载电流与预设的参考电流的电流差；当所述电流差小于预设的第一阈值电流时，减小输入至所述主三端子晶体管的控制极的开通关断信号的电流，当所述电流差大于预设的第二阈值电流时，增大输入至所述主三端子晶体管的控制极的开通关断信号的电流；所述第二阈值电流大于等于所述第一阈值电流。本公开中，电流控制电路不仅能调节三端子晶体管开通损耗，平滑结温波动，还能降低开通过程中的电压电流震荡，显著延长了三端子晶体管的期望寿命，进而提高系统的可靠性。

摘要： 本发明公开一种SiC MOSFET器件的结温校准曲线生成方法及其结温评估方法和系统，首先获取SiC MOSFET器件在不同结温下的跨导算术平方根；然后对跨导算术平方根和温度的关系进行线性拟合得到跨导算术平方根与温度的线性关系式，由该关系式建立结温校准曲线；最后根据测试待评估器件的跨导算术平方根并通过查询校准曲线或由线性关系式进行计算得到器件结温。该方法克服了功率半导体器件的传统结温测量方法流程繁琐、精度低、难以在线应用等弊端，SiC MOSFET器件的跨导算术平方根与结温呈线性关系，进行结温评估时精度较高，可在线应用，能够实现器件结温的准确评估；同时，该方法可以测量出单个开关周期引起的器件结温波动；通过对器件结温的准确评估，可有效提高器件的运行可靠性与研究开发的经济性。

摘要： 一种便于结温检测的功率半导体器件及其结温检测方法，所述功率半导体器件为IGBT器件或MOSFET器件，所述半导体器件包括至少两个单胞单元，其中至少一个单胞单元为结温监测单元，其他单胞单元与IGBT器件或MOSFET器件的结构完全相同；所述结温监测单元与IGBT器件或MOSFET器件的结构区别在于在P+接触区的表面金属化形成阳极，在N+源区表面金属化形成阴极。将结温监测单元直接制造集成在功率半导体芯片中，能够实时直接测量获得功率半导体器件结温数值，获得实时准确数值。

摘要： 本发明公开了一种四路独立电子负载控制并测量结温系统，包括试验电源、四路独立电子负载和老化板，器件安装在老化板上，所述试验电源经过四路独立电子负载调整后给器件加电流，每路独立电子负载分为两个部分：提供0‑20A加热电流IH的电子负载A板和提供10mA测试电流Im的电子负载B板，所述电子负载A板、电子负载B板、试验电源和老化板通过电子负载转接板连接，所述电子负载B板采用18位高精度高速AD芯片。本发明的四路独立电子负载互不影响，并且电子负载分成两块板，控制部分和调整保护部分分开避免干扰，可以准确检测出负载电压，精确调整负载电流，更多的保护电路，采用高精度高速AD芯片使数据的结果更准确可靠。

摘要： 本发明公开了一种低结温光伏接线盒及用于低结温光伏接线盒的芯片组件，低结温光伏接线盒包括芯片模块、包覆在芯片模块外的外壳，芯片模块包括芯片组件，该芯片组件具有带有线路的线路面、与该线路面相对的散热面，散热面与外壳直接相接触。用于低结温光伏接线盒的芯片组件包括铝基板、连接在所述铝基板上的多个二极管和多个接线柱，铝基板的连接有二极管和接线柱的一面为线路面，铝基板的与线路面相对的另一面为散热面。现有接线盒都是盒体+散热铜片拼接形式，而本发明的外壳与芯片组件的散热面直接接触，形成一个整体，使整体散热能力更强；去掉了空气(中空接线盒)或硅胶(灌胶接线盒)导热层，降低了热阻，使散热能力比现有技术提高几倍。

摘要： 基于饱和导通压降测量IGBT结温的温度定标平台及实现IGBT结温测量的方法，涉及半导体测试领域。本发明是为了解决现有的IGBT结温测量电路的安装平台对芯片封装和安装空间有一定要求，并对测量环境要求较高，无法实现大电流工况下的结温在线监测的问题。本发明IGBT驱动设备连接到IGBT温度定标电路的驱动端，大电流稳压电源串联大功率电阻连接IGBT温度定标电路集电极和发射极两端，PXI测试机箱上的数字万用表模块连接到温度定标电路的测试端，温度定标平台均位于恒温箱中，恒温箱用于实现对IGBT温度定标电路的温度定标。该平台用于测量给定IGBT结温与饱和导通压降的关系。

摘要： 本发明公开了一种LED结温或LED阵列平均结温的测量方法，首先要对LED结温建立公式，小电流所产生的LED光源的自加热过程对结温影响较小，恒温器与LED光源之间的热阻较小，使用恒温器温度代替LED结温。测量不同恒温器温度下的质心波长，建立质心波长与结温的关系式。再根据公式及测量的工作条件下LED光源的质心波长，便可方便的求出工作条件下LED的结温。本发明单次标定，多次测量。操作简单，与峰值波长法，蓝白比法步骤相似。仅需常规的光电测试装置。质心波长测量的可重复性高，用于表征结温误差小。不接触LED引脚。可以用于单颗LED结温测量，也可以用于多颗LED组成的阵列的平均结温测量，使用范围广。

摘要： 本实用新型公开了一种低结温光伏接线盒及用于低结温光伏接线盒的芯片组件，低结温光伏接线盒包括芯片模块、包覆在芯片模块外的外壳，芯片模块包括芯片组件，该芯片组件具有带有线路的线路面、与该线路面相对的散热面，散热面与外壳直接相接触。用于低结温光伏接线盒的芯片组件包括铝基板、连接在所述铝基板上的多个二极管和多个接线柱，铝基板的连接有二极管和接线柱的一面为线路面，铝基板的与线路面相对的另一面为散热面。现有接线盒都是盒体+散热铜片拼接形式，而本实用新型的外壳与芯片组件的散热面直接接触，形成一个整体，使整体散热能力更强；去掉了空气(中空接线盒)或硅胶(灌胶接线盒)导热层，降低了热阻，使散热能力比现有技术提高几倍。