大功率LED

摘要： 近日,包头稀土研究院以稀土为原料、以压延法成功制备荧光玻璃,为荧光体制备出大功率白光LED样灯,开发出铝酸盐、硅酸盐、钨钼酸盐等多个材料体系的白光LED用荧光粉及蓝光激发的黄色、红色荧光玻璃。基础玻璃可见光波段透光率达80%~90%,具有高导热性、高显色性、高透光性等特点,解决了传统发光材料结热过高等问题,适用于大功率LED 照明,符合绿色健康照明发展趋势。

摘要： 传统OOK调制体系主要针对小功率、低电流、高速率的光通信系统,其调制电路普遍采用集成电路,无法满足大功率、高速率LED光通信的需求。文中设计一种改进OOK调制电路方案,通过设置高偏置电流使得LED输出平均功率,高激励调制电流与偏置电流组合可以改变消光比;同时利用反馈电路控制偏置电流和高激励调制电流的变化,使得通信光功率发生相应调制变化。与传统OOK调制方式对比,改进的OOK调制方式适合高电压、大电流、高功率光通信系统。通过实验设计LED驱动电路驱动12 W LED光通信,根据LED特性将工作电压设置为40 V,偏置电流可在100~1000 mA设置,调制电流在100~1000 mA设置,该驱动电路输出功率为40 W,电路调制速率达到25 Mb/s。设计的驱动电路提供不同器件选项,可用以灵活实现不同速率、不同功率的LED光通信系统。

摘要： 探究一种主从法控制的交错并联Buck电路来实现小功率电源的并联均流,主要用于驱动大功率LED,利用仿真软件来检验电路是否实现了均流控制。分析认为,与传统线性电源相比,通过主从法控制的交错并联Buck电路对多组电源并联具有均流控制效果。

摘要： 以双丝白炽灯作为铁路信号灯的发光光源时,能耗较大,而且容易发热和损坏,使用寿命较短;以小功率发光二极管作为发光光源,则会导致铁路信号灯缺乏具体的主副光源,而且不具备报警及双灯转换等功能。对此,应采用大功率LED铁路信号灯,以此保证铁路信号设备的安全稳定运行。文章针对大功率LED铁路信号灯展开分析,介绍了该类信号灯的使用优势,探讨了大功率LED铁路信号灯的关键技术和设计,希望能够为相关工作人员提供一定参考价值。

摘要： 每当夜幕降临,南昌赣江两岸,光影交错的LED灯光秀,似散落人间的满天星辰,如梦如幻,一眼千年。今日的南昌,已成为LED产业重镇:LED芯片产能已跃居全球前三,成为国内最大的大功率LED光源生产基地,手机闪光灯和移动照明出货量全球第一。硅衬底LED技术发明人、中国科学院院士、南昌大学副校长江风益,时常在深夜加班之际,抬头凝望窗外这满城“繁星”,心中涌起万千波澜,璀璨的背后是无数个孤独之夜的黑暗探索和数不清的失败尝试。

摘要： 色灯信号机是铁路信号设备的重要组成部分,在保证各类信号机指示功能完整性,正确性的基础上,尽可能降低设备能耗,减少机构耗材成为工作重点.针对信号机系统这一发展趋势,提出一种基于大功率LED灯珠的单灯位多显示信号机.考虑到铁路信号机灯光显示的特殊性,根据发光二极管配光曲线及斯派罗极值对小功率LED灯盘阵列进行设计选型,通过将原有铁路线路中TX12/25型信号灯泡和小功率LED灯盘进行光学测试对比,提出新型信号机构的设计理念.利用Tracepro光学仿真软件对大功率LED灯珠进行模拟测试,根据球带系数法对新式灯盘进行设计.研究结果表明,新型信号机能够在正确完整表达既有功能的情况下减少占地面积,节约建设成本.

摘要： 大功率LED作为集成封装光源时,为了增加出光效率,可以采用优化光学结构的方式.文章利用TracePro仿真软件,对大功率LED集成光源进行建模与一次光学设计,并以反光碗底部半径、深度和硅胶折射率为变量,研究封装结构对大功率LED出光效率及法向光强的影响.最后,通过对比试验,得出最优设计方案,对大功率LED的封装工艺具有实际意义.

摘要： Infineon公司的TLD5542-1是同步MOSFET H桥DC/DC控制器,内置了保护特性和SPI接口,能以最大的系统效率和最少的外接元件驱动大功率LED. TLD5542-1提供模拟和数字(PWM)调光,开关频率在200kHz和700kHz间可调.器件可与外接时钟源同步.内置的可编扩频开关频率调制和强迫连续电流稳流模式改善了整个EMC性能.电流模式稳流方案提供了由少数补偿元件所维持的稳定调整回路.

摘要： Infineon公司的ILD8150是80V DC/DC降压转换器,用于驱动大功率LED.对于接近SELV极限的应用,ILD8150提供了高安全电压富余度.降压LED驱动器特别设计用于通用照明应用的LED,采用高边集成开关其平均电流可高达1.5A.器件集成了80V低RON的高边MOSFET,混合调光率0.5%目标电流.

摘要： 随着更多的专业人像摄影师开始使用LED光源来进行创作,行业内涌现出众多的专业人像级LED灯光产品。市场上各类LED产品从外形设计、可变色温、功率、操控等已经处于多元化形态。今天我们将带来一款全新的影像专业级LED产品,那就是海力欧大功率LED双色摄影灯DL-400型。

摘要： 本文根据大功率LED的工作特性，对市场上常见的大功率LED驱动电源进行了分析，并提出了大功率白色LED在路灯照明应用中其驱动电源需要满足的多个设计要素。

摘要： 本文根据大功率LED的工作特性，对市场上常见的大功率LED驱动电源进行了分析，并提出了大功率白色LED在路灯照明应用中其驱动电源需要满足的多个设计要素。

摘要： 本文根据大功率LED的工作特性，对市场上常见的大功率LED驱动电源进行了分析，并提出了大功率白色LED在路灯照明应用中其驱动电源需要满足的多个设计要素。

摘要： 本文根据大功率LED的工作特性，对市场上常见的大功率LED驱动电源进行了分析，并提出了大功率白色LED在路灯照明应用中其驱动电源需要满足的多个设计要素。

摘要： 基于典型是LED封装结构，建立有限元摸型，以热应力理论为依据，利用ANSYS有限元分析软件进行热应力计算，得到1W大功率LED硅皎透镜稳态温度场分布和应力-应变云图。数值彷真结果表明当达到热稳态平衡时，在芯片上的温度达到最高，硅皎透镜顶部表面的温度最低；芯片附近存在较大的热应力，同时芯片与硅皎透镜之间边角处存在较大的应力。

摘要： 基于典型是LED封装结构，建立有限元摸型，以热应力理论为依据，利用ANSYS有限元分析软件进行热应力计算，得到1W大功率LED硅皎透镜稳态温度场分布和应力-应变云图。数值彷真结果表明当达到热稳态平衡时，在芯片上的温度达到最高，硅皎透镜顶部表面的温度最低；芯片附近存在较大的热应力，同时芯片与硅皎透镜之间边角处存在较大的应力。

摘要： 基于典型是LED封装结构，建立有限元摸型，以热应力理论为依据，利用ANSYS有限元分析软件进行热应力计算，得到1W大功率LED硅皎透镜稳态温度场分布和应力-应变云图。数值彷真结果表明当达到热稳态平衡时，在芯片上的温度达到最高，硅皎透镜顶部表面的温度最低；芯片附近存在较大的热应力，同时芯片与硅皎透镜之间边角处存在较大的应力。

摘要： 基于典型是LED封装结构，建立有限元摸型，以热应力理论为依据，利用ANSYS有限元分析软件进行热应力计算，得到1W大功率LED硅皎透镜稳态温度场分布和应力-应变云图。数值彷真结果表明当达到热稳态平衡时，在芯片上的温度达到最高，硅皎透镜顶部表面的温度最低；芯片附近存在较大的热应力，同时芯片与硅皎透镜之间边角处存在较大的应力。

摘要： 基于典型是LED封装结构，建立有限元摸型，以热应力理论为依据，利用ANSYS有限元分析软件进行热应力计算，得到1W大功率LED硅皎透镜稳态温度场分布和应力-应变云图。数值彷真结果表明当达到热稳态平衡时，在芯片上的温度达到最高，硅皎透镜顶部表面的温度最低；芯片附近存在较大的热应力，同时芯片与硅皎透镜之间边角处存在较大的应力。

摘要： 本文对一种平板式蒸汽腔(均温板)与微热管阵列组合式换热装置进行了传热特性的研究,并将其用于大功率LED的散热.这种组合式换热装置既具有均温板的超高临街热流密度与全向传热的特性,同时具备微热管阵列远距离热输运的优良特性,是解决诸多高热流及其它极端条件下的散热,尤其是被动散热问题的有效方式.

摘要： 本发明公开了一种用于大功率LED的密封剂及大功率LED，其中，密封剂包括由高导热填料和基体组成的复合材料，所述高导热填料的热导率为30～5300W/mK，且为石墨烯、氮化硼片、碳纳米管、氮化硼纳米管和纳米银线中的一种或几种的组合，基体为硅胶或环氧树脂；所述高导热填料在所述复合材料中的质量百分比为1％～20％，所述基体在所述复合材料中的质量百分比为80％～99％。将上述密封剂填充到大功率LED的反射杯内外，完全覆盖大功率LED的LED芯片和一对焊线，得到改进的大功率LED。本发明的用于大功率LED的密封剂及大功率LED，LED的散热效果较好，工作稳定性好，且能确保LED的透光性满足应用要求。

摘要： 本发明提供了一种大功率LED底座的制备方法，包括以下步骤：S1、在氧化铝陶瓷基板的表面镀氧化亚铜层和铜层，得到表面覆铜陶瓷；S2、将表面覆铜陶瓷在惰性气氛中进行1064-1080°C下热处理，曝光显影蚀刻得到表面具有金属化线路的陶瓷电路板；S3、将铜基座表面进行氧化；S4、使陶瓷电路板与铜基座贴合，然后在惰性气氛中进行1064-1080°C下热处理，冷却后在金属化线路表面继续金属化，得到大功率LED底座。本发明还提供了采用该制备方法制备得到的大功率LED底座。本发明提供的制备方法制备得到的大功率LED底座，散热性能好，陶瓷电路板的金属层与氧化铝陶瓷基板具有良好的结合力，同时陶瓷电路板整体与铜基座也具有良好的结合力。

摘要： 本发明涉及一种本发明的大功率LED支架的制作方法，包括如下步骤：提供一陶瓷基板；在所述陶瓷基板的预设位置开设贯穿所述陶瓷基板的导通孔；在陶瓷基板上形成导电线路层以得到陶瓷线路基板；将陶瓷线路基板放置于注塑模具中，将液态热固性塑胶注入所述注塑模具的型腔中，进行加热固化成型，以使所述液态热固性塑胶以预定形状固化于所述陶瓷线路基板上形成热固性碗杯，通过上述方式，降低了热固性碗杯的制作成本，缩短了制作周期，所制备的热固性碗杯一致性好、表面光洁度高；热固性碗杯与陶瓷线路基板注塑为一体，增加了LED支架的整体性，有利于提高热固性碗杯和陶瓷线路基板的结合力度，有利于提高LED支架的使用寿命和安全性能。

摘要： 本发明公开了一种大功率LED封装用基板及其制备方法、大功率LED封装结构，所述基板包括金属基体、位于金属基体上的绝缘导热层、及位于绝缘导热层和/或金属基体上方且与金属基体电性连接的电极，所述绝缘导热层通过扫描式微弧氧化方法在金属基体上生长形成，所述电极包括第一电极及第二电极。本发明基于微弧氧化的基板可优化传统的封装结构，减少导热通道的热阻，能有效解决大功率LED的散热问题，可广泛用于大功率LED散热基板或衬底的制备。

摘要： 本发明公开了一种垂直大功率LED多位支架，包括支板及设置在支板上的多个LED支架，多个LED支架排布呈矩阵，LED支架包括两个引脚及基体，两个引脚均固定于基体，且自基体在X向上相背延伸；基体卡接于支板；在X向上相邻两个LED支架之间，临近的两个引脚沿Y方向排布在Y方向存在重叠；X向与Y向为两个相互垂直的方向。使得相邻两个LED支架之间临近的两个引脚的一部分在X向上位于同一位置处，从而可以缩小X向上相邻两个LED支架之间的距离，进行减小了整个垂直大功率LED多位支架在X向上的尺寸，减小占用空间，形成高密度支架，利于后续工艺的进行，降低生产成本。另外，本发明还提供了一种利用上述垂直大功率LED多位支架的垂直大功率LED的制备方法。

摘要： 本实用新型公开了一种大功率LED散热装置及大功率LED灯和大功率LED灯组，所述散热装置包括散热器，所述散热器设有密闭的气流通道，并设有进气口和排气口，进气口和排气口分别连通气流通道。还包括散热风扇，该散热风扇安装在所述进气口所在的一端处，以向气流通道内送风，或者，所述散热风扇安装在所述排气口所在的一端处，以向外排气。所述散热器的进气口和排气口所在的两端处分别安装有导流盖，所述散热风扇安装在进气口或排气口所在一端的导流盖中。本实用新型的散热装置不仅散热效果显著，还便于对散热器排出的热空气集中处理和排出到室外或实现余热回收，避免影响室内温度。此外，所述气流通道的设计，使空气与散热器热交换效率提高的同时，减少了漏气带来的压降效应。

摘要： 本实用新型公开了一种单芯片大功率LED芯片及大功率LED器件。所述单芯片大功率LED芯片，其特征在于所述LED芯片的有源区部分设置有多个能独立发光的元胞，多个元胞组合形成并联设置的多个元胞组，每一元胞组包括串联设置的多个元胞，所述LED芯片的无源区部分设置有负载匹配电路，所述负载匹配电路包括多个负载匹配线，每一负载匹配线与一个元胞组对应并与对应的元胞组电性连接。本实用新型实施例提供的一种单芯片大功率LED芯片可以进行精准的负载匹配线设计，平衡由于设计偏差以及工艺偏差带来的各组元胞之间的相同偏置电流下的电压差异，使器件工作时各个区域的散热更加均匀，从而提高器件的光学输出性能，增强整个器件的可靠性。

摘要： 本实用新型提供一种大功率LED灯散热器及大功率LED灯，其技术要点是，散热器包括环状的基板，基板顶面具有绕周间隔分布的第一翅片，基板内侧边缘一体成型有凸出的电源容置腔，电源容置腔为底部开口的帽状腔体，且电源容置腔的外壁设有第二翅片，散热器上还设有透气阀。基板和电源容置腔为一体成型结构，散热器只需采用一套模具一次成型即可，降低了成本，并提高了生产效率，一体结构使得防水效果更好，还降低了灯具的整体高度；另外，设置透气阀后，可使灯具内外部的热量及压力保持平衡，有利于热量的排除并保证了密封效果，且电源容置腔外壁与基板之间无缝衔接，电源周围不存在热量聚集不易流动的情况，使得整体散热效果较好。

摘要： 本实用新型公开了一种大功率LED封装用基板及大功率LED封装结构，所述基板包括金属基体、位于金属基体上的绝缘导热层、及位于绝缘导热层和/或金属基体上方且与金属基体电性连接的电极，所述绝缘导热层通过扫描式微弧氧化方法在金属基体上生长形成，所述电极包括第一电极及第二电极。本实用新型基于微弧氧化的基板可优化传统的封装结构，减少导热通道的热阻，能有效解决大功率LED的散热问题，可广泛用于大功率LED散热基板或衬底的制备。

摘要： 本实用新型公开了一种超大功率LED芯片以及超大功率LED器件。所述LED芯片的外延层包括复数个能独立发光的单胞，所述LED芯片的外延层包括复数个能独立发光的单胞，所述的复数个单胞相互串联和/或并联设置，所述的复数个单胞排布形成圆形或近似圆形的发光区。所述LED芯片上于除所述发光区之外的区域上还设置有若干个彼此电性隔离的芯片焊盘，由前述各单胞相互串联和/或并联形成的发光区工作电路与该等芯片焊盘电连接。所述芯片焊盘的尺寸在0.5mm×0.5mm以上。本实用新型实施例提供的超大功率LED芯片具有结构简单、发光面积大、功率密度高，封装工艺简单、封装成本低等特点。