半导体照明

摘要： 2022年1月25日,国际能源署(International Energy Agency,IEA)终端使用节能设备(4E-Energy Efficient End-use Equipment)半导体照明组(SSL Annex),组织召开了IC 2017“分布光度计实验室间比对项目”的网络分享研讨会。会议由项目负责人、国际照明委员会CIE前主席Yoshi Ohno博士主讲,旨在对IC 2017国际比对结果进行发布说明、分析和研讨。

摘要： 发展宽禁带半导体不能只拿来不创新,宽禁带半导体(又称第三代半导体)器件和材料产业已在国内外开始部署。近年来,迅速发展起来的(超)宽禁带半导体材料是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、智能电网等领域具有广阔的应用前景,有望成为支撑信息、能源、交通、国防等产业发展的重点新材料。中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃介绍,宽禁带半导体最明显的特征是它的半导体禁带宽度宽,在材料的性质方面更接近绝缘体。因此,以氮化镓和碳化硅为代表的这类宽禁带半导体材料拥有击穿电场强度高、工作温度高、器件导通电阻低、电子密度高等优势。目前,宽禁带半导体主要在3个领域有强大的市场竞争力。

摘要： 2022年3月3日,中国照明学会刘正雷理事长应邀到中关村半导体照明工程研发及产业联盟(以下简称联盟)学习交流。联盟理事长吴玲,半导体照明联合创新国家重点实验室主任、联盟名誉理事长李晋闽热情接待。联盟秘书长阮军详细介绍了联盟的发展历程和开展的重点工作。中国照明学会一行,旨在深入了解联盟在推动半导体照明科技进步和产业发展中所开展的业务活动和创新实践,学习联盟先进的工作经验,并就项目、论坛、标准等方面的合作展开探讨。

摘要： “双碳”战略背景下,实现照明系统的节能减排尤为重要。半导体照明作为节能环保、低碳消费的战略性新兴产业,是全球在照明领域碳减排的战略选择和经济选择。本文以半导体照明产业为切入点,论述了LED照明服务于“双碳”战略的现实意义,分析了该产业当前消费现状,以及节能发展需求,并具体从政策、平台、技术、标准等方面提出了可操作性的对策建议。

摘要： 第三代半导体产业是集成电路领域的重要组成部分,可广泛用于新能源汽车、智能电网、轨道交通、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域,具有广阔的应用前景,已经成为全球半导体产业新的战略竞争高地。为抢抓第三代半导体产业发展战略机遇,培育发展新兴产业,打造国内领先的第三代半导体产业高地,根据《山东省国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》、《山东省新一代信息技术产业专项规划(2018-2022年)》和《山东省“十四五”制造.强省建设规划》,山东省工信厅近日出台《山东省第三代半导体产业发展“十四五”规划》。

摘要： 本文通过研究我国和俄罗斯半导体照明行业标准制修订现状和标准体系建设情况,开展中俄半导体照明行业标准化工作的异同点分析,提出了双方开展标准互认和合作的相关建议,旨在进一步拓展中俄半导体照明行业合作领域,满足双方的标准化需求。

摘要： 【本刊讯】近日,中共中央宣传部举行“中国这十年”系列主题新闻发布会的第六场,介绍党的十八大以来“实施创新驱动发展战略建设科技强国”有关情况。科技部部长王志刚在会上表示,要加强资源配置,引导企业投入更多资金进行科技创新,把关系人民生命健康、关系人民生活的重大领域作为科研资源配置的重点。王志刚指出,人工智能、大数据、区块链、量子通信等新兴技术加快应用,培育了智能终端、远程医疗、在线教育等新产品、新业态。我国数字经济规模居世界第二,技术突破打通了我国新兴产业的一些堵点,太阳能光伏、风电、新型显示、半导体照明、先进储能等产业规模也居世界前列。王志刚表示,企业科技投入力度在不断加大。全国高新技术企业数量从十多年前的4.9万家,增加到2021年的33万家,研发投入占全国企业投入的70%,上交税额由2012年的0.8万亿元,增加到2021年的2.3万亿元。

摘要： 9月14日,国际照明委员会(CIE)光和辐射测量分部(Division 2)年会第一阶段会议(CIE D2 Annual Meeting Part 1),以线上视频会议的方式成功召开。40余位来自世界各国的CIE D2成员参加了会议。中国照明学会副理事长、CIE D2中国代表(Country Member)潘建根教授出席,我国出席会议的其他代表有:全国照明电器标准化技术委员会秘书长、北京电光源研究所技术负责人张伟博士,国际半导体照明联盟杨鹤副秘书长,杭州远方光电信息股份有限公司李倩副所长、杨雄博士、宋立博士、李燕博士和远方检测校准中心主任陈聪博士,台湾工业技术研究院陈政宪博士。

摘要： 科技如何支撑高质量发展?在6月6日上午中共中央宣传部举行的“中国这十年”主题发布会上,科技部部长王志刚表示,科技要在产业、企业、区域、重大工程、人才队伍建设等方面着力发挥作用。要发挥科技的渗透性、扩散性、颠覆性作用,为高质量发展提供更多的源头供给、科技支撑和新的成长空间。科技有“无中生有”的作用,新的技术出来就会带动新的产业。一是科技引领新兴产业发展。人工智能、大数据、区块链、量子通信等新兴技术加快应用,培育了智能终端、远程医疗、在线教育等新产品、新业态。我国数字经济规模居世界第二,技术突破打通了我国新兴产业的一些堵点,太阳能光伏、风电、新型显示、半导体照明、先进储能等产业规模也居世界前列。

摘要： 4月9日,由成都电子信息产业生态圈联盟和中电会展与信息传播有限公司主办,成都电子信息产业功能区、成都新经济活力区、成都科学城、金牛高新技术产业园区、成都芯谷和新津区牧山数字新城六个功能区协办,成都电子信息产业生态圈深圳推介会暨中国(西部)电子信息博览会发布会在深圳会展中心成功举办。成都市经信局通用电子产业处处长黄剑、新津区副区长叶尚敏以及成都高新区电子局副局长周志、金牛高新技术产业园区管委会主任王琦漪、郫都区现代工业港管委会主任景硕等领导出席会议,成都电子信息产业生态圈联盟理事长肖斌、中国半导体照明/LED产业与应用联盟秘书长关白玉、深圳汽车电子行业协会副秘书长吴翊等六家行业组织负责人,以及创维、康佳、天马、麒麟、飞腾、永达、优必选等40余家深圳企业参会。

摘要： 详细介绍了人民大会堂万人顶满天星改造项目的背景、过程以及最终结果.通过对该案例的详述、分析与理解,进一步阐述了半导体照明创新设计的途径就在于"整合知识",即综合光学、电学、热学、材料、结构、工艺、人文、环境、艺术等各个学科的相关知识,在各个学科"之间"耕耘、搜索、探究.通过案例中的知识与经验总结,最终目的是为我国的半导体照明产业的发展提供方法论层面的引导.

摘要： 2009年国台办牵头设立两岸产业协调小组,将半导体照明作为产业合作的试点之一.在此框架下,国家电光源质量监督检验中心(北京)与工业技术研究院在半导体照明领域开展了积极而富有成效的技术交流与合作.2010年在钓鱼台签署了“两岸半导体照明技术合作意向”,并于同年双方开展了荧光灯具、LED路灯比对测试,取得了满意结果.在此基础上,2011年在CNAS与TAF的指导下,组织两岸10家实验室开展了LED路灯比对测试.除检测技术的交流合作外,在半导体照明技术规范及标准合作上也开展了积极的合作.双方共同起草了“两岸LED路灯照明产品试点示范技术规范”,已用于两岸半导体照明示范工程中.随着合作的深入,双方于2011年7月签署了“LED路灯规格标准化研究合作意向书”,并于12月成立了两岸半导体照明标准化工作小组,共同研究制定两岸半导体照明技术及标准,推动两岸半导体照明产业共同发展.

摘要： 关于半导体产业的估测，不论是外延晶片等的上游技术还是中下游的封装、工艺技术，都比估测的技术发展前沿快得多。虽然在过去几年里，由于多大型芯片制造商停止采用领先制造工艺，而导致了半导体上游产业难以重现以前的光辉岁月，但是这并不影响LED照明在逐步的迈入通用照明市场，随着上游芯片的价格降低、封装工艺的改进以降低成本、荧光粉技术的改进、散热技术的突破等问题的逐渐改进和完善。所以世界LED照明市场的分额会越来越大，其竞争应该随着大、中型企业的完善和部分小企业的突然崛起，众多无规模、无技术的企业纷纷告别LED照明市场而形成市场规范。

摘要： 文章针对道路照明设计及各类电光源技术性能、照明质量、特点等的描述,回顾和展望照明技术的发展历程,指出了道路照明作为城市灯光体系的一部分,展示出与城市文化和人居环境的和谐性.在高新技术迅速发展的年代里(半导体照明技术、太阳能风能新能源技术及智能化网络化控制技术等领域),通过现代照明技术和成果的推广应用,确保道路交通的舒畅和安全,道路照明的发展方向已融入了“节能、环保”的时代精神.

摘要： 本文将主要介绍交流LED稀土发光材料在解决边BIN芯片落BIN方面的研究。目的是探索不同波段芯片与交流LED稀土发光材料之间的配合关系，并在实验基础上形成发光粉解决方案，特别针对445-447.5nm和460-462.5nm波段的边“BIN"芯片，解决边“BIN"芯片落“BIN"及性能差异的问题。

摘要： 半导体照明是目前被各国公认的、最有发展前景的高效照明产业，包括发光二极管(LED)和有机发光二极管(OLED)。文章首先介绍了LED照明产业的现状及中国LED照明产业发展的优势与劣势条件，然后分析了大功率LED路灯现场实验案例，并提出了LED大功率路灯推广应用存在的问题。最后得出研究结论：我国的经济发展环境非常有利于LED照明产业的发展；现阶段的大功率LED路灯，作为新兴光源，部分产品已可以应用到实际中，体现出诸多优势，成为新一代光源的发展趋势，但仍需解决其性能不稳定，节能、寿命与理论相差太大，产品质量良莠不齐，没有统一标准，互换性差，价格高，维护成本高等问题。

摘要： 对我国医疗照明产业概况进行了介绍，探讨了如何创新医疗照明的LED绿色光源，并结合医疗照明分类对目前医疗系统光源应用现状进行了阐述，同时从技术和市场的角度分析了推进LED在医疗照明中的应用的必要性，并分析总结了如何推进LED医用照明产业的发展。

摘要： 对于磁场耦合无线电能传输(WPT)系统,由于松耦合变压器漏感较大,补偿技术是实现其能量高效传输的关键.在半导体(LED)照明应用中,WPT LED驱动电路应直接输出LED所需的驱动电流,还应避免无功功率环流,减小器件应力,实现功率器件软开关.针对现有补偿网络的输出电流增益依赖变压器参数,而松耦合变压器存在设计受限的缺点,本文采用二端口网络理论,提出一族恒流源补偿网络,通过调节补偿参数灵活调节输出电流增益,增加变压器设计自由度.最后采用同一电路结构和变压器,分别实现了0.5A、1A和1.5A输出的WPT LED驱动电路,实验结果验证了理论分析的正确性.此外,还对所提出的可调增益补偿网络的特性进行了详细分析.

摘要： 对于磁场耦合无线电能传输(WPT)系统,由于松耦合变压器漏感较大,补偿技术是实现其能量高效传输的关键.在半导体(LED)照明应用中,WPT LED驱动电路应直接输出LED所需的驱动电流,还应避免无功功率环流,减小器件应力,实现功率器件软开关.针对现有补偿网络的输出电流增益依赖变压器参数,而松耦合变压器存在设计受限的缺点,本文采用二端口网络理论,提出一族恒流源补偿网络,通过调节补偿参数灵活调节输出电流增益,增加变压器设计自由度.最后采用同一电路结构和变压器,分别实现了0.5A、1A和1.5A输出的WPT LED驱动电路,实验结果验证了理论分析的正确性.此外,还对所提出的可调增益补偿网络的特性进行了详细分析.

摘要： 对于磁场耦合无线电能传输(WPT)系统,由于松耦合变压器漏感较大,补偿技术是实现其能量高效传输的关键.在半导体(LED)照明应用中,WPT LED驱动电路应直接输出LED所需的驱动电流,还应避免无功功率环流,减小器件应力,实现功率器件软开关.针对现有补偿网络的输出电流增益依赖变压器参数,而松耦合变压器存在设计受限的缺点,本文采用二端口网络理论,提出一族恒流源补偿网络,通过调节补偿参数灵活调节输出电流增益,增加变压器设计自由度.最后采用同一电路结构和变压器,分别实现了0.5A、1A和1.5A输出的WPT LED驱动电路,实验结果验证了理论分析的正确性.此外,还对所提出的可调增益补偿网络的特性进行了详细分析.

摘要： 本发明提供发出彩度高的光的半导体发光装置，和含有该半导体发光装置的展示物照射用照明装置、肉照射用照明装置、蔬菜照射用照明装置、鲜鱼照射用照明装置、一般用照明装置以及半导体发光系统。半导体发光装置（1）具备作为半导体发光元件的LED芯片（10）和以LED芯片（10）作为激发源而发光的荧光体（20），荧光体至少包含绿色荧光体和红色荧光体，从该半导体发光装置（1）发出的、以光通量标准化得到的光的光谱中660nm波长的光的强度值是以光通量标准化得到的显色性评价用基准光的光谱中660nm波长的光的强度的值的170%～300%。

摘要： 本发明提供一种半导体器件用部材，其耐热性、耐光性、成膜性、密合性优异，即使长期使用也能够不产生裂纹、剥离、着色地密封半导体器件，并能够保持荧光体。为此，对于半导体器件用部材，设定其用规定的热减重测定方法测定的热减重为50重量％以下，且利用规定的密合性评价方法测定的剥离率为30％以下。

摘要： 本发明提供一种能够通过溅射法制作+c极性的外延膜的成膜方法、成膜装置。本发明的一个实施方式为一种成膜方法，针对被加热器加热至规定温度的外延生长用基板通过溅射法来使具有纤锌矿型结构的半导体膜外延生长，该成膜方法具有以下的工序。首先，以上述基板与加热器分离规定距离地进行配置的方式，将上述基板配置于具有加热器的基板保持部。接着，一边调整上述基板保持部的阻抗一边在上述基板上形成具有纤锌矿型结构的半导体膜的外延膜。

摘要： 本发明提供发出彩度高的光的半导体发光装置，和含有该半导体发光装置的展示物照射用照明装置、肉照射用照明装置、蔬菜照射用照明装置、鲜鱼照射用照明装置、一般用照明装置以及半导体发光系统。半导体发光装置（1）具备作为半导体发光元件的LED芯片（10）和以LED芯片（10）作为激发源而发光的荧光体（20），荧光体至少包含绿色荧光体和红色荧光体，从该半导体发光装置（1）发出的、以光通量标准化得到的光的光谱中660nm波长的光的强度值是以光通量标准化得到的显色性评价用基准光的光谱中660nm波长的光的强度的值的170%～300%。

摘要： 本发明提供一种半导体器件用部材，其耐热性、耐光性、成膜性、密合性优异，即使长期使用也能够不产生裂纹、剥离、着色地密封半导体器件，并能够保持荧光体。为此，对于半导体器件用部材，设定其用规定的热减重测定方法测定的热减重为50重量％以下，且利用规定的密合性评价方法测定的剥离率为30％以下。

摘要： 本发明提供一种能够通过溅射法制作+c极性的外延膜的成膜方法、成膜装置。本发明的一个实施方式为一种成膜方法，针对被加热器加热至规定温度的外延生长用基板通过溅射法来使具有纤锌矿型结构的半导体膜外延生长，该成膜方法具有以下的工序。首先，以上述基板与加热器分离规定距离地进行配置的方式，将上述基板配置于具有加热器的基板保持部。接着，一边调整上述基板保持部的阻抗一边在上述基板上形成具有纤锌矿型结构的半导体膜的外延膜。

摘要： 本发明的照明装置，是至少具有第一和第二氮化物系半导体发光元件的照明装置，第一和第二氮化物系半导体发光元件分别具有半导体芯片(45)，该半导体芯片含有由Al

摘要： 本发明涉及可兼容可控硅调光器和电压输入型调光器的半导体照明驱动电路，其包括用于将来自交流电源的交流电转换成直流电的整流滤波电路、用于对所述直流电进行降压处理的PFC电路、用于根据经过降压处理的直流电或电压输入型调光器的输出电压产生PWM控制信号的控制电路和用于根据所述PWM控制信号为半导体照明装置提供电能的转换电路。本发明的半导体照明驱动电路可以兼容可控硅调光器和电压输入型调光器，在各种调光模式下均可很稳定的运行，通用性强。该半导体照明驱动电路可独立运行，方便与其他电路模块一起组成性价比较高的产品。此外，本发明电路由于具备功率因素校正电路，可显著减少电路的电磁干扰，使电路运行更稳定、可靠。

摘要： 本发明涉及可兼容可控硅调光器和电压输入型调光器的半导体照明驱动电路，其包括用于将来自交流电源的交流电转换成直流电的整流滤波电路、用于对所述直流电进行降压处理的PFC电路、用于根据经过降压处理的直流电或电压输入型调光器的输出电压产生PWM控制信号的控制电路和用于根据所述PWM控制信号为半导体照明装置提供电能的转换电路。本发明的半导体照明驱动电路可以兼容可控硅调光器和电压输入型调光器，在各种调光模式下均可很稳定的运行，通用性强。该半导体照明驱动电路可独立运行，方便与其他电路模块一起组成性价比较高的产品。此外，本发明电路由于具备功率因素校正电路，可显著减少电路的电磁干扰，使电路运行更稳定、可靠。

摘要： 本实用新型涉及可兼容可控硅调光器和电压输入型调光器的半导体照明驱动电路，其包括用于将来自交流电源的交流电转换成直流电的整流滤波电路、用于对所述直流电进行降压处理的PFC电路、用于根据经过降压处理的直流电或电压输入型调光器的输出电压产生PWM控制信号的控制电路和用于根据该PWM控制信号为半导体照明装置提供电能的转换电路。本实用新型的半导体照明驱动电路可以兼容可控硅调光器和电压输入型调光器，在各种调光模式下均可很稳定的运行，通用性强。该半导体照明驱动电路可独立运行，方便与其他电路模块一起组成性价比较高的产品。