低温共烧陶瓷

摘要： 为解决电涡流传感器探头在高温(600°C)环境中测量失效的问题,设计了一种感应探头结构,主要由低温共烧陶瓷基底和Ag线圈组成。首先分析涡流检测的原理和普通探头在高温下失效的原因,根据要求选择低温共烧陶瓷作为基底材料,为在一定区域内提高电感值将线圈设计为多层立体螺旋结构。通过电磁仿真和机械-热仿真确定线圈的形状、材料等,结合MATLAB遗传算法优化线圈线径、间距、匝数等参数。然后根据线圈设计参数,通过打孔、填孔、丝网印刷和层压烧结等工艺制作感应探头结构。最后测量线圈的几何参数和电磁特性,实验显示线圈线径的误差小于5%,自谐振频率达到1.8 MHz,工作频率下的空载品质因数大于30,具有较高的线性测量范围和灵敏度。

摘要： 在微波电路系统中,电磁波由一种传输介质进入另一种传输介质所带来的不连续性等问题会极大地影响系统的传输性能,这一直是设计微波电路所要关注的重点问题.当电磁波频段进入毫米波和太赫兹频段之后,如何实现电磁波从金属矩形波导接口到介质基板的高效、低损耗传输,是实现毫米波太赫兹通信系统的关键所在.本文设计了一种基于低温共烧陶瓷的基片集成波导-矩形波导过渡结构,通过阶梯渐变结构来改善传输性能、拓展带宽,并在此基础上设计了用于馈电网络的一分二过渡结构,引入空腔结构来降低损耗并拓展带宽.这两种结构都具有结构简单、易于加工的特点,可在W波段或D波段实现良好的传输特性,具备一定的频带普适性.在频率较高的D波段加工制作了测试基板,测量了其传输特性以验证该结构的实用性,其测试结果表明:该基片集成波导过渡结构可在126—149 GHz或112—139 GHz的频带内实现良好的传输特性;一分二过渡结构可在132—155 GHz的频带内实现良好的传输特性.

摘要： 为快速推进低温共烧陶瓷(LTCC)材料的国产化进程,推动自研LTCC材料早日投入应用,以某型国产LTCC材料为基础设计了一款单通道T/R组件,组件内部埋置集成微流道用于功放芯片快速散热。在组件及微流道设计仿真、基板制造加工和膜层化镀改性方面进行了研究,对组件进行了装配和测试。结果显示,采用自研LTCC材料制作的单通道T/R组件工艺指标合格,装配适应性良好,微流道散热高效,主要电性能指标满足要求。该型国产LTCC材料实用性良好,具有明确的工程应用前景。

摘要： 提出了一种在模组底面同时设计弹性互连接口和芯片封装腔的集成架构,实现了芯片三维堆叠和电路面积的高效利用。重点介绍了三维模组的集成架构、弹性互连结构及装配工艺、宽带射频垂直互连的设计和研究。通过4~18 GHz三维射频前端模组的试制,验证了基于弹性互连三维集成架构的技术可行性,该射频前端模组具有高密度、高可靠、装配工序简单灵活的特点,可广泛应用于超宽带小型化射频系统。

摘要： 烧结是低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺中关键工序之一,对LTCC基板的各项性能指标具有重要的影响。本文以国产MG60生瓷带为研究对象,研究了不同烧结升温速率对LTCC基板介电性能、翘曲度、膜层附着力、抗折强度等性能指标的影响,分析了基板性能变化的原因。结果表明,当升温速率为8°C/min时,基板介电常数为5.788,介电损耗为8.21×10^(-4),基本无翘曲,烧结致密,附着力强,抗折强度达到175 MPa。

摘要： 将激光修调、化学镀、光刻等技术与常规低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-Fired Ceramic,LTCC)基板工艺技术相结合,对LTCC高精密封装基板的制作工艺进行开发和优化,并利用9K7材料进行了基板试制。结果显示,基板表面线条细度达到(50±5)μm,表面导体图形位置精度优于±10μm。基板表面Ni/Pd/Au镀层可焊性/耐焊性优良,2 mm×2 mm焊盘的锡铅焊接拉力强度达到2.8 kg以上,25μm金丝的键合强度达到10 g以上。基板表面阻焊开口尺寸达到(80±10)μm,具有良好的阻焊性能。对试制的LTCC高精密封装基板进行了装配和测试,在12 mm×13 mm的尺寸上实现4颗射频芯片的倒扣装配,功能模块在W波段具有良好的射频性能。LTCC高精密封装基板显现出高密度、高性能封装能力。

摘要： 印刷质量对LTCC基板的制作有重要影响。为了制定合理的印刷工艺参数,采用饱和D最优设计方法,研究了印刷线宽与主要印刷工艺参数(离网间距、刮刀压力、刮刀角度)之间的关系。对试验数据进行了多元非线性回归分析,建立了印刷线宽与各种印刷工艺参数之间的数学模型,求出了最优参数,并对印刷质量进行了预测。试验及预测结果表明:预测误差在合理范围之内,具有较高的预测精度。该预测结果为印刷工艺参数的选取提供了依据,对提高印刷质量有一定的意义。

摘要： 在布线层数较多的低温共烧陶瓷基板中,通常会存在单层瓷片的双面均需要印刷的情况。为了解决这种双面大面积印刷带来的变形、对位偏移、开裂等问题,采用层压后再二次印刷背面金属层的方法,研究了二次印刷、二次等静压工艺对成型后瓷体和金属层的影响,通过膜层厚度、收缩率、翘曲度、膜层附着力、可焊性等指标对此工艺进行了评价。结果显示,改进后的二次印刷成型工艺能有效提高此类具有单层双面布图的低温共烧陶瓷基板的成品率,制备的成品电路基板具有优异的可装配性和可靠性。

摘要： 基于LTCC技术,利用HFSS和ADS软件设计和实现了一款七阶Elliptic LPF,该滤波器具有1.35GHz的通带截止频率,3 dB的通带纹波,阻带引入了改善衰减特性的传输零点有四个,在1.59 GHz至3.22GHz的频带>42 dB抑制,在3.22 GHz至6.10 GHz的频带>32 dB远端抑制,可用作抗混叠滤波和音频信号处理领域。

摘要： 为了探究国产低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)材料的工程应用前景,促进LTCC材料国产化进程,文中从工程应用的角度出发,使用国产LTCC材料制作了微波基板并进行了相应的测试和研究。研究内容主要包括国产LTCC材料的匹配性能以及基于国产LTCC材料的微波基板的性能和可靠性。研究结果表明,国产LTCC材料的匹配性能满足要求,基于国产LTCC材料研制的微波基板的性能和可靠性与基于进口LTCC材料研制的微波基板相当,满足X波段T/R组件技术要求。

摘要： 本文主要介绍低温共烧陶瓷技术(LTCC)中的导体浆料的种类、作用、性能及适应低温共烧条件的解决方案.低温共烧陶瓷技术集中了厚膜技术和高温共烧陶瓷技术的优点,具有高电导金属化、低的介电损耗、可印刷电阻、烧结温度低、一次性烧成、叠层数目无限制、成本低等技术优点.

摘要： 通孔银浆料是低温共烧陶瓷(LTCC)基板配套的系列电子浆料中必不可少的一种材料,对银粉有很高的要求.用抗坏血酸还原体系制备银粉,研究硝酸银溶液浓度、pH值、还原剂浓度对银粉形貌及粒度分布的影响,采用扫描电子显微镜对制备的银粉进行表征分析,选取3种不同类型的银粉调制成通孔银浆进行匹配性试验.结果表明,均一性、分散性良好且平均粒径为2.0 μm的球形银粉具有较好的应用潜力.

摘要： 传统增益均衡器在低频段存在尺寸过大的问题,不能满足小型化的需求.本文采用LTCC(低温共烧陶瓷)工艺,设计了一种小型化的增益均衡器.利用LTCC的多层结构实现螺旋电感和双层平行板电容模型构造出谐振单元,结构紧凑,有效的减小了谐振电路的体积.本文设计出的均衡器体积为7mm×15.45mm×0.47mm,均衡量大于15dB,最小插损0.58dB,回波损耗优于15dB.该设计为低频段的均衡器小型化提供了一种新的实现方法.

摘要： 采用LTCC/LTCF(低温共烧陶瓷/低温共烧铁氧体)多层布线技术是提高磁性产品一致性以及进行磁集成的主要途径之一,根据理论分析计算,使用商业软件HFSS建立LTCC/LTCF多层网络变压器结构模型,并进行优化和仿真工作,突破了多层立体“之”字形布线设计和多层有限元仿真技术,设计上找到高频阻抗匹配、高电感、低漏感、高压隔离间距等平衡点,完成了新型网络变压器设计与制作.测试结果可以看出网络变压器性能满足设计要求.

摘要： 本文围绕微波毫米波复合介质材料与电路系列基板、新型高Q微波陶瓷系列介质与元器件、宽频高密度无源集成封装用低温共烧陶瓷及其生瓷料带关键基础材料的研究开发成果,结合三大类微波新材料批量稳定制备与工艺参数的优化,综述了材料微观结构与微波性能之间的关系规律.为雷达、通信、卫星等高频微波毫米波设计师们提供有益帮助奠定基础.

摘要： 本文介绍了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的多层延迟线,工作频率在34.2GHz,相位延迟为16λg和32入g的带状线延迟线.由于LTCC技术的工艺特点,能够实现结构的小型化同时能够得到较小的插入损耗和驻波系数.文中的16λg和32λg的尺寸分别为8.6×8.1×2.538mm3和8.5×14.3×2.538mm3.最终仿真结果:16入g带内插损优于2.89dB,驻波小于1.236;32λg带内插损优于2.86dB,驻波小于1.353.

摘要： 本文讨论了基于硅铝合金的LTCC基板焊接工艺,主要计算了基板热应力,研究了焊接温度曲线等技术.最后通过优化焊接温度曲线,LTCC基板的焊接空洞率在5％左右,基板最大空洞不超过总面积的3％,满足军标要求.

摘要： 本文讨论了基于硅铝合金的LTCC基板焊接工艺,主要计算了基板热应力,研究了焊接温度曲线等技术.最后通过优化焊接温度曲线,LTCC基板的焊接空洞率在5％左右,基板最大空洞不超过总面积的3％,满足军标要求.

摘要： 本文讨论了基于硅铝合金的LTCC基板焊接工艺,主要计算了基板热应力,研究了焊接温度曲线等技术.最后通过优化焊接温度曲线,LTCC基板的焊接空洞率在5％左右,基板最大空洞不超过总面积的3％,满足军标要求.

摘要： 本文讨论了基于硅铝合金的LTCC基板焊接工艺,主要计算了基板热应力,研究了焊接温度曲线等技术.最后通过优化焊接温度曲线,LTCC基板的焊接空洞率在5％左右,基板最大空洞不超过总面积的3％,满足军标要求.

摘要： 一种低温共烧器件及低介共烧陶瓷膜片的制作方法，低介共烧陶瓷膜片的制作方法包括以下步骤：1)准备相对介电常数不高于5.8的低介陶瓷材料；2)在所述低介陶瓷材料中混入具有预定范围的高膨胀系数的低介介质；3)将混合粉进行预烧处理，得到低介共烧陶瓷材料，所述低介陶瓷材料的热膨胀系数与铁氧体材料、导电电极材料的差异处于预定范围内；4)将预烧后的混合粉进行制浆涂布，形成低介共烧陶瓷膜片。该方法能够提升不同材料间的共烧匹配性，大幅减少或防止共烧磁体缺陷，提升器件的可靠性能。

摘要： 本发明提供了用于低温共烧型陶瓷电容器的陶瓷材料及陶瓷电容器，所述陶瓷材料的结构为ABO3型钙钛矿结构，其中，A位元素包括Pb和微量元素，其中Pb在A位元素中占比＞0.80；B位元素包括至少三种金属元素，每种金属元素在B位元素中占比＜0.50。本发明技术方案的陶瓷材料的烧结温度不高于1073K，并能够符合电容器的特定电学指标要求。

摘要： 一种低温共烧器件及低介共烧陶瓷膜片的制作方法，低介共烧陶瓷膜片的制作方法包括以下步骤：1)准备相对介电常数不高于5.8的低介陶瓷材料；2)在所述低介陶瓷材料中混入具有预定范围的高膨胀系数的低介介质；3)将混合粉进行预烧处理，得到低介共烧陶瓷材料，所述低介陶瓷材料的热膨胀系数与铁氧体材料、导电电极材料的差异处于预定范围内；4)将预烧后的混合粉进行制浆涂布，形成低介共烧陶瓷膜片。该方法能够提升不同材料间的共烧匹配性，大幅减少或防止共烧磁体缺陷，提升器件的可靠性能。

摘要： 本发明提供了用于低温共烧型陶瓷电容器的陶瓷材料及陶瓷电容器，所述陶瓷材料的结构为ABO3型钙钛矿结构，其中，A位元素包括Pb和微量元素，其中Pb在A位元素中占比＞0.80；B位元素包括至少三种金属元素，每种金属元素在B位元素中占比＜0.50。本发明技术方案的陶瓷材料的烧结温度不高于1073K，并能够符合电容器的特定电学指标要求。

摘要： 本发明涉及一种硼铝硅酸盐矿物材料、低温共烧陶瓷复合材料、低温共烧陶瓷、复合基板及其制备方法。一种硼铝硅酸盐矿物材料，用于低温共烧陶瓷，硼铝硅酸盐矿物材料以下述氧化物基准的质量百分含量表示，包括如下组分：0.41％～1.15％的Na2O，14.15％～23.67％的K2O，1.17％～4.10％的CaO，0～2.56％的Al2O3，13.19％～20.00％的B2O3及53.47％～67.17％的SiO2。上述硼铝硅酸盐矿物材料化学性质稳定，由其制成的低温共烧陶瓷不仅具有优良的介电性能，还具有低的烧结温度、低的热膨胀系数、良好的机械性能和LTCC工艺匹配性，可广泛用于LTCC封装基板领域。

摘要： 本发明提供了一种发光低温共烧陶瓷粉和其制备方法、及由其制备的发光低温共烧陶瓷，所述发光低温共烧陶瓷粉由含有15～20mol％的CaCO

摘要： 本发明涉及一种硼铝硅酸盐矿物材料、低温共烧陶瓷复合材料、低温共烧陶瓷、复合基板及其制备方法。一种硼铝硅酸盐矿物材料，用于低温共烧陶瓷，硼铝硅酸盐矿物材料以下述氧化物基准的质量百分含量表示，包括如下组分：0.41％～1.15％的Na2O，14.15％～23.67％的K2O，1.17％～4.10％的CaO，0～2.56％的Al2O3，13.19％～20.00％的B2O3及53.47％～67.17％的SiO2。上述硼铝硅酸盐矿物材料化学性质稳定，由其制成的低温共烧陶瓷不仅具有优良的介电性能，还具有低的烧结温度、低的热膨胀系数、良好的机械性能和LTCC工艺匹配性，可广泛用于LTCC封装基板领域。

摘要： 本发明提供了一种发光低温共烧陶瓷粉和其制备方法、及由其制备的发光低温共烧陶瓷，所述发光低温共烧陶瓷粉由含有15～20mol％的CaCO

摘要： 本发明提供一种易与金属浆料匹配共烧的低温共烧陶瓷生料带、基板及制备方法，制备方法包括：将第一玻璃粉和第二玻璃粉混合得到玻璃混合粉体，并基于玻璃混合粉体制备玻璃混合浆料；基于陶瓷粉体制备陶瓷浆料；基于玻璃混合浆料形成下材料层，基于陶瓷浆料在下材料层的表面形成中间材料层，基于玻璃混合浆料在中间材料层的表面形成上材料层，以制备出低温共烧陶瓷生料带。将生料带叠压多层，850～900°C下烧结，制得基板。本发明中的低温共烧陶瓷生料带由下至上依次包括：下材料层、中间材料层和上材料层。本发明所制备的低介电常数、低温共烧陶瓷生料带可实现与金属浆料同步烧结，匹配性较好，烧结后的基板的抗弯强度大于400MPa。

摘要： 本申请公开了一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，涉及电子元器件制作工艺领域，将待处理巴块切割成多个目标巴块后，放置于第一模具和第二模具拼接叠加所构成的完整模槽中，进行烧结。一方面，完整模槽的狭小空间将限制待处理巴块烧结过程中的翘曲空间，保证目标巴块烧结后的平整度。另一方面，在烧结前对待处理巴块进行切割，形成多个小型目标巴块后进行烧结，更加有利于保证目标巴块烧结后的平整度。此外，完整模槽表面与待处理巴块之间除了隔离层之外还设置有牺牲层，牺牲层气化隔开待处理巴块和隔离层，避免待处理巴块表面沾上过多隔离层残料，便于后续清洗。