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中国电子学会第十二届电子元件学术年会
中国电子学会第十二届电子元件学术年会
召开年:
2002
召开地:
张家界
出版时间:
2002-10-01
主办单位:
中国电子学会
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1.
微机电系统中的微电机
施进浩
;
陈宝
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
随着微机电系统开发的深入,作为微机电系统中关键执行部件的微电动机的研制越来越受到关注.文章阐述了微电机的原理、分类及特点.
微机电系统;
微电机;
工作原理;
分类特点;
2.
电动汽车驱动技术概述
张思明
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
简述了电动汽车对驱动技术的要求,简要介绍了电力驱动与控制技术及其发展的方向,指出了电动汽车将成为新一代汽车的主流.
电动汽车;
电力驱动;
驱动技术;
控制技术;
3.
电子变压器发展中的一些问题
徐泽玮
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
作为电子元件的一大类:电子变压器和电感器已成为一个兴旺发达的产业.本文介绍了电子变压器品种、磁芯、性能、成本近年来的发展趋势,并对其中的一些问题进行了分析.
电子变压器;
磁芯;
电子元件;
4.
统计过程控制(SPC)
李萍
;
张晓明
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
本文介绍了经计过程控制(SPC)的来源、基本原理及应用,同时介绍了关键过程节点与关键工艺参数的概念,最后给出了常规控制图的分类及适用范围.
控制图;
过程节点;
工艺参数;
统计过程控制;
数理统计分析;
5.
关于加快我国新型电子元器件产业发展的思考和政策建议
赵贵武
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
本文主要论述了我国电子元器件产业发展现状、存在问题,近年来取得的成就以及经验教训,介绍了新型电子元器件和电子信息产业"十五"发展战略和重点,提出了加快发展我国新型电子元器件的政策和措施建议.
电子元器件;
电子工业;
市场预测;
产业政策;
6.
信息技术:走进大集成时代
周济
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
20世纪半导体元器件的集成化技术深刻地改变了信息技术乃至整个人类文明的进程.相比之下,半导体元件以外的各类信息元件(如无源电子元件、光电元件等)的集成化进程则步履维艰.进入21世纪以来,社会的发展对于信息技术提出的一个重要挑战就是任何使各类元件均将走上20世纪半导体元件走过的道路,全面实现集成化.尽管这一问题的解决难度非常大,其复杂性和艰巨性远远大于半导体元器件的集成,目前已出现了一些可喜的研究进展.本文从无源集成、无源-有源集成、以及光集成三个方面对这一新趋势进行评述.
电子元件;
光子晶体;
集成化技术;
信息技术;
无源集成;
无源-有源集成;
光集成;
7.
提升企业核心竞争力 积极迎接'入世'挑战
章士瀛
;
赵俊斌
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
中国加入WTO,以"南方宏明"为代表的电子元件企业必须适用"国际竞争国内化,国内竞争国际化"的新形势,提高市场意识、竞争意识和规则意识,积极创新,主动调整,抓住机遇,增强企业核心竞争能力,以求得生存和发展.
WTO;
电子元件;
核心竞争力;
电子企业;
8.
我国微特电机行业的发展及应对'入世'的对策与措施
张思明
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
从我国微特电机行业历史、行业特点、行业体制、生产状况、出口创汇五个方面阐述了它的发展与现状.分析了微特电机国际市场,提出微特电机行业应对"入世"的对策和措施.
微特电机;
WTO;
市场分析;
9.
铁电性BaTiO<,3>与铁磁性Ni-Cu-Zn铁氧体复合材料的磁性能和介电性能研究
齐西伟
;
周济
;
岳振星
;
桂治轮
;
李龙土
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
铁电/铁磁复合材料是一类在材料内部同时共存铁电相和铁磁相的重要功能材料,在外加磁场和电场的作用下,共磁化和极化状态易于调控.本文以铁电性的钛酸钡和铁磁性镍铜锌铁氧体纳米粉为原料,采用固相反应法,合成了一系列铁电/铁磁复合材料.研究表明:在一定温度下烧结所得的铁电/铁磁复合材料,由铁电相和铁磁相两相所组成,对外表现出铁电性和铁磁性.该复合材料同时具有电感和电容两种特性,而且频率稳定性好,有望替代现有的分离式无源滤波器,做到真正的集成而广泛应用在集成电路中.
铁电/铁磁复合材料;
钛酸钡;
镍铜锌铁氧体;
介电性能;
磁性能;
10.
铁电冷阴极材料电子发射实验研究
陈忠道
;
张树人
;
蔡雪梅
;
郭曙光
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
铁电冷阴极材料是一种在脉冲电压激励下从铁电表面获得很强的脉冲电子发射的新型功能材料.如何提高该材料的发射电流密度、束发射度和束亮度,是其研究的一个热点.本实验采用硅橡胶,清漆做为底电极表面及栅电极边缘的绝缘保护层,避免了表面放电现象使得激励场强增大,从而极大地提高了铁电冷阴极材料的发射电流密度,最高达187A/cm<'2>,从归一化均方根发射度ε<,n>(m.rad)和归一化峰值亮度β<,n>(A/m<'2>.rad<'2>)理论计算值来看,也大大改善了材料的束发射度和束亮度.
铁电冷阴极材料;
绝缘保护;
发射电流密度;
束发射度;
束亮度;
11.
我国片式电感生产状况及存在问题探讨
范耀明
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
本文主要分析了我国目前片式电感器产品的生产现状,并根据各种类型片式电感器的特点及应用的领域,指出了我国在发展该类元件过程中存在的问题,希望通过制订相应的对策加快我国片式电感器的发展进程.
片式电感器;
生产工艺;
12.
微电子材料面临的挑战
岑玉华
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
本文从系统及半导体集成电路两个层面上,论述了微电子材料所面临的挑战.重点介绍了封装相关材料的现状及发展.结合一种新颖的封装(SLIM),较详细地介绍了涉及到的基底、介质、导体、倒装焊凸点材料、散热材料、集成无源元件材料等,给出不少可供选择的先进材料.指出尽管困难重重,但已有不少突破,本世纪第一个年代即可实现微电子材料革命性的发展.
单级集成模块;
微电子材料;
电子封装技术;
封装材料;
13.
LTCC型MCM的特点及应用
杨邦朝
;
张经国
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
低温共烧陶瓷(LTCC)型MCM可实现高密度电路互连、易于内埋置无源元件、具有优良的高频特性与可靠性.目前LTCC技术已日趋成熟,大量的应用实例表明LTCC技术是宇航、军事、汽车、民用领域中应用最广泛的多芯片组件技术之一.本文主要介绍了LTCC型MCM的特点及应用情况.
低温共烧陶瓷技术;
混合集成技术;
大规模集成电路;
多芯片组件技术;
14.
氧化铝陶瓷基板过孔的新型激光打孔工艺
郭栋
;
李龙土
;
桂治轮
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
陶瓷基板激光打孔一固缺点即孔周围会形成大量不规则堆溅物.本文提出一种直接在凝胶注模成型陶瓷素坯上激光打孔的新工艺.Nd:YAG激光在氧化铝上打孔的研究表明,该方法能大大减少堆溅物的形成从而得到分布致密、形状规则的微孔.
陶瓷基板;
凝胶注模成型;
重铸层;
激光打孔工艺;
微孔加工;
15.
金属壳高精密石英谐振器
宋广平
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
高精密石英谐振器是制作高稳定度晶体振荡器的核心部件,广泛应用于计量测试工作中,在标准仪器设备和计量标准中作为标准信号源和时间频率标准.针对高稳定度晶体振荡器使用的高精密石英谐振器,我们采用真空冷压焊封装技术,研究出了金属壳高精密石英谐振器,主要是为了替代在性能上有局限性的传统的玻璃壳高精密石英谐振器.通过性能指标的比对,金属壳高精密石英谐振器不仅可以部分替代玻璃壳高精密石英谐振器,而且在环境试验方面更有优热,它体积小,制作工艺稳定,可以广泛地用于高稳定度晶体振荡器,提高了其在标准仪器设备和计是标准中作为标准信号源和时间频率标准的适应性.
石英谐振器;
冷压焊;
技术指标;
结构设计;
16.
La<,3>Ga<,5>SiO<,14>晶体生长研究
蒋春健
;
胡少勤
;
吴兆刚
;
李和新
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
本文报道了用直拉法生长新型压电材料La<,3>Ga<,5>SiO<,14>晶体进行的研究.采用化学计量比混合Ga<,2>O<,3>、La<,2>O<,3>及SiO<,2>粉末后直接熔融合成La<,3>Ga<,5>SiO<,14>多晶料;使用铂坩埚盛料,采用中频感应加热;用铂丝引出籽晶,研究适合La<,3>Ga<,5>SiO<,14>晶体生长的温场及其相应的拉速和转速,生长出了φ50×140mm的晶体,测试了部分压电性能.
La3Ga5SiO14晶体;
直拉法;
压电性能;
晶体生长;
压电晶体材料;
17.
日趋成熟的石英谐振器片式化技术
张建国
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
分析了石英谐振器片式化的迫切性及片式化的困难,着重综述了石英谐振器的片式化技术(解决方法)及片式化产品.
石英谐振器;
片式化;
石英晶片;
18.
压电陶瓷换能器和压电陶瓷材料
万学华
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
本文介绍了压电陶瓷换能器的工作原理,应用领域和发展趋势.还介绍了美国和日本适合做陶瓷换能器的压电陶瓷材料及材料参数.
压电陶瓷换能器;
工作原理;
压电陶瓷材料;
19.
介质谐振器材料的微波测量
倪尔瑚
;
姜兴
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
本文简述100MHz-40GHz频率下的介质谐振器材料介电参数测试方法.将其分为凹形谐振腔法、截止开腔/介质谐振法、截止闭腔/介质谐振法和腔外微扰法四类.给出腔外微扰法的基本原理、测量结果以及与其它方法的比较.
电介质测量;
微波测量;
微波材料;
介质谐振器;
介电参数;
测试方法;
20.
新版继电器三维CAD系统JDQCAD2.0
费鸿俊
;
韩祖行
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
随着计算机技术的飞速发展,使继电器产品的计算机辅助设计从二维向三维发展.本文论述了我们开发的在工程环境下应用的新版继电器三维CAD系统—JDQCAD2.0软件的特点与功能.
计算机辅助设计;
三维系统;
继电器;
21.
高频接触阻抗的测试与研究
李雪清
;
章继高
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
现有研究表明,尘土与腐蚀会对电信传输的质量造成影响,其在直流条件下造成的接触电阻的变化已经得到广泛的研究.随着数据传输速度的提度,触点的高频特性正逐渐成为人们关注的目标,与其有关的寄生参数,如接触电容、接触电感等对传输质量有可能造成的影响也得到初步的研究.本文致力于对接触点处的接触阻抗进行测试,说明了采用阻抗分析仪对接触特性进行分析的有关方法以及有关测试结果.测试结果表明,接触阻抗随触点的表面状况及信号频率而变化,而接触阻抗的测试为我们以后进一步研究传输过程中接触阻抗的介入可能产生的影响提供了必要的基础.
电接触;
接触阻抗;
可靠性;
阻抗分析仪;
表面污染;
22.
集成化——无源元件发展的必由之路
况延香
;
焦洪杰
;
朱颂春
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
分立无源元件集成化是未来发展的必然趋势.本文论述了无源元件集成化的途径和方法,介绍了无源元件集成化开发现状,指出了今后的发展趋势.
无源元件;
埋置无源元件;
集成化;
封装技术;
23.
第三代移动通信中的射频元器件
苏清新
;
刘继刚
;
柴玫
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
第三代(3G)移动通信对通信设备提出了新的要求.本文对3G移动通信中相关射频元器件的现状和研发进展进行简要分析和概括、同时报道了一些最近的研究成果.
射频元器件;
天线;
滤波器;
压控振荡器;
功率放大器;
移动通信;
24.
数字电子产品中的元器件与材料
章锦泰
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
介绍了数字化电子产品和对元器件发展的影响,介绍了适应数字化电子产品发展的几种新型电子元器件和材料,提出了电子元件行业加快结构调整的建议.
数字化电子产品;
电子元器件;
电子材料;
25.
机电组件技术的现状与发展
何松波
;
许军
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
微特电机、继电器、连接器、传输线等机电组件是构成军事电子装备的基本单元,在武器装备中的作用是不可的替代的,在信息化社会中应用前景十分广阔.本文概述其作用、现状、预测发展趋势,提出发展机电组件技术的策略建议.
机电组件;
微特电机;
继电器;
连接器;
传输线;
26.
MEMS光开关技术进展
杨拥军
;
梁春广
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
介绍了MEMS光开关的特点,分析了MEMS光开关的需求背景和应用范围、详细介绍了国内外MEMS光开关及其相关技术发展状况,指出了我国发展MEMS光开关技术的紧迫性和重要意义.
光开关;
光通信;
微电子机械系统;
27.
现代交换机用通讯继电器的现状及其发展
王力人
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
本文从我国的程控交换机市场说起,论述了近十年来使用在交换机中的有源器件PCB式通信继电器的演变及现状,并试图讨论为适应未来一二十年里程控交换机的前进步伐,我国的PCB式通信继电器将如何发展.
交换机;
通信继电器;
结构设计;
技术标准;
28.
LTCC基板在三维立体封装中的应用
刘杨
;
张广能
;
蒋景宏
;
马莒生
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
低温共烧技术是现代微波器件,RF电路及其他高频电路的重要选择方案之一,它的低介电常数满足了封装对高频、高速化的要求.而3维封装是国际上近几年正在迅速发展着的电子封装技术.实现3维封装,不仅组装密度更高,而且具备功能更多、传输速度更高、功耗更低、性能及可靠性更好等优点.本论文探讨低温共烧陶瓷基板在三维封装技术中的应用.研究了LTCC基板多层布线、通孔技术以及A<,g>烧结工艺,并利用LTCC基板试制三维立体封装模块——三轴加速度计.
三维封装;
低温共烧技术;
电子封装;
半导体集成电路;
陶瓷基板;
29.
电子图像旋转仪的FPGA实现
杨建杭
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
本文介绍了一种用FPGA技术实现的电子图像旋转仪的设计原理和方法从而简化了硬件设计的复杂性.应用结果表明该电子图像旋转仪具有体积小、重量轻可靠性高的特点.同时表明了FPGA技术在数字电路设计上具有广阔的应用前景.
图像旋转;
实时处理;
电子图像旋转仪;
设计原理;
可编程逻辑器件;
数字电路设计;
30.
引线框架材料对铜合金与锡铅焊料界面组织的影响
黄福祥
;
马莒生
;
朱继满
;
宁洪龙
;
铃木洋夫
;
耿志挺
;
陈国海
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
本文采用老化试验、扫描电镜(SEM)及能谱分析(EDX)等分析手段对引线框架铜合金与SnPb共晶焊料界面组织进行了分析研究,结果表明,引线框架材料对铜合金与SnPb共晶焊料界面组织有很大的影响,焊点在160℃高温老化300小时后,CuCrZr系合金和CuNiSi合金与SnPb的界面金属间化合物为Cu6Sn5,厚度已高达60~70μm左右;而C194合金与SnPb的界面金属间化合物为分布有Pb颗粒的Cu6Sn5,厚度已高达60~70μm,同时还发现有微小空洞存在,影响焊点的可靠性.与C194合金相比,CuCrZr系合金和CuNiSi合金具有更好的焊接可靠性.
引线框架材料;
铜合金;
SnPb焊料;
金属间化合物;
集成电路;
界面组织;
电子封装;
31.
'理想'绝缘金属基板在BGA封装中的应用
朱继满
;
刘豫东
;
宁洪龙
;
黄福祥
;
马莒生
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
Ω.cm,击穿电压大于600V,并且能够抵抗400℃热冲击.采用化学镀铜结合电镀铜工艺对基板进行金属化布线后,作者将其板应用于BGA封装中.">以铝的阳极氧化膜直接作绝缘层的"理想"金属基板用于微电子封装中具有高导热、低成本的优势.铝阳极氧化膜层具有很好的绝缘性能,但是铝的阳极氧化膜与铝基底的热膨胀系数相差太大,在热冲击过程中膜层容易受热开裂,破坏其绝缘性能.作者研究了阳极氧化过程中试样表面温度对阳极氧化膜层抗热冲击性能的影响,分析了影响机理.选择合适的前处理及阳极氧化工艺参数,可以制备具有优良性能的"理想"绝缘金属基板,其阳极氧化绝缘层的电阻率大于10<'13>Ω.cm,击穿电压大于600V,并且能够抵抗400℃热冲击.采用化学镀铜结合电镀铜工艺对基板进行金属化布线后,作者将其板应用于BGA封装中.
绝缘金属基板;
铝;
阳极氧化;
抗热冲击性能;
集成电路;
封装工艺;
32.
微电子机械系统及超微马达国内外研发动态与应用展望
张琛
;
陈佳品
;
李振波
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
本文概述了微电子机械系统的技术特点,分析了微电子机械系统的市场发展趋势.介绍了微电子机械系统的重要部件超微马达的类型及其优缺点.
微电子机械系统;
电磁微马达;
压电马达;
超声马达;
静电马达;
超微马达;
33.
电子元器件失效分析技术概述
费庆宇
;
蔡懿
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
本文叙述了常用电子元器件的主要失效部位、失效机理和失效分析方法,为失效分析人员选择适当的失效分析技术,开展失效分析工作提供了参考资料.
失效分析;
失效机理;
电子元器件;
34.
'绿色'电子元器件的生产
朱家淇
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
本文介绍了有关环境工程、绿色工程的概念,综合叙述并举例说明了绿色元器件生产管理和技术,提出并展望了元器件生产的"绿"化原则和前景.
环境工程;
绿色工程;
绿色元器件;
电子元器件;
35.
加入WTO对我国电子元件行业的影响
古群
;
温学礼
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
本文主要从中国电子元件的国际地位、存在的问题等方面入手,论述我国加入WTO后,对电子元件行业的影响及对策.
WTO;
电子元件;
电子工业;
36.
EMI对策元件和电路保护元件的发展与应用
王彦伶
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
随着电子产品行业的发展,人们对各类电子产品的电磁兼容性与可靠性、安全性提出了更高的要求.本文简要介绍了EMI对策电子元件和过电压、过电流、过热电路保护元件的一些新进展及其应用状况.
电路保护元件;
电子元件;
电磁兼容;
37.
WTO与中国的片式元件产业
周少荣
;
吴浩
;
陈锦清
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
本文主要阐述了我国片式电容、片式电感、片式电阻等片式元件的产业和技术现状以及发展趋势,分析了加入WTO后我国片式元件产业所具备的优势和面临的挑战,并从组建行业大公司战略、成本领先战备、市场多元化战略、技术跟随与赶超战略、人才战略等五个方面提出了对策.
WTO;
片式元件;
电子元器件;
电子工业;
38.
中国入世后在电接触领域面临的挑战
许良军
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
电接触可靠性是连接器技术的关键环节,而我国长期以来在电接触及连接器设计研究方面的投入明显不足,导致产品与与发达国家存较大的差距.本文对我国目前连接器产品存在的问题作了综述,探讨了影响因素及需要解决的问题.
连接器;
电接触;
可靠性;
电子元件;
39.
低温烧结Y型平面六角结构软磁铁氧体的电磁性能
白洋
;
周济
;
桂治轮
;
岳振星
;
李龙土
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
本文报道了采用BPb玻璃助烧低温烧结(870℃)Y型平面六角结构软磁铁氧体的烧结工艺、显微结构及起始磁导率和介电常数的频率特性.研究发现含Co、Zn、Cu的Y型铁氧体材料(Ba<,2>Co<,1.2-X>Zn<,X>Cu<0.8>Fe<,12>O<,22>)在甚高频段具有良好的磁性能;采用BPb玻璃为助烧剂可有效地实现此种材料的低温烧结,并大大改善其介电性能.
表面组装元件;
铁氧体;
低温烧结;
磁导率;
介电常数;
烧结工艺;
电磁性能;
40.
BaTiO<,3>基PTCR陶瓷材料理论研究进展
龚树萍
;
郝永德
;
曹明贺
;
周东祥
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
本文叙述了BaTiO<,3>基PTCR陶瓷材料理论研究的发展历程和目前的最新进展情况,对目前研究的三大热点问题:1、晶界缺陷结构2、微量3d受主元素对表面态的影响3、表面态密度的计算和测量进行了较深入的阐述.
晶界缺陷;
表面态;
表面态密度;
PTCR陶瓷材料;
41.
半导体磁阻式光电传感薄膜材料及光电传感元件<'*>
黄钊洪
;
代贵华
;
黄志文
;
邝志锋
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
制成一种半导体锑化铟-铟共晶型薄膜材料,并用这种材料制成三端式磁阻元件.把这种磁阻元件置于恒定磁场中,在波长λ<,p>=660nm光脉冲照射下,其中间端点会输出随光脉冲的变化而变化的脉冲电信号.用此元件已制成了新型的磁阻式光电传感器.
锑化铟;
磁阻元件;
光电传感器;
磁阻薄膜材料;
42.
叠层片式磁珠的分类及应用
祝忠勇
;
陈加旺
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
电子设备的干扰和对人体健康的危害已变得越来越严重,各种电磁屏蔽吸收技术被大量应用于电子线路,其中叠层式磁珠应用最广泛.本文分析了片式磁珠的工作原理,介绍了各种叠层片式磁珠的分类和应用.
片式磁珠;
电磁干扰;
抗干扰原理;
电磁屏蔽;
43.
新型无铅焊料合金的研究
陈国海
;
耿志挺
;
马莒生
;
张岳
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
目前广泛用于电子工业界的Sn-Pb焊料合金由于Pb的毒性而将被限制使用,无铅焊料合金的研制成为研究的热点.本文以Sn-Ag-Cu合金为母合金,同时添加In和Bi元素,得到了性能更好的无铅焊料合金,进行了一系列的性能测试,包括熔点、硬度、剪切强度以及可焊性.并且确定了综合性能较好的焊料的成分范围.此外,Sn-Zn-Ga系焊料合金也得到了较好的结果.
无铅焊料;
Sn-Ag-Cu-In-Bi;
剪切强度;
铺展率;
浸润角;
封接材料;
性能测试;
44.
MCM用氮化铝(AIN)共烧多层陶瓷基板的研究
崔嵩
;
黄岸兵
;
张浩
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
多芯片组件(MCM)作为一种新技术正在迅速发展,随着组装密度的不断提高,IC集成度的提高,MCM的功率密度越来越大.为了改善器件的散热,提高可靠性,要求功率MCM所用的多层基板应具有高的异热性.本研究采用AIN流延生瓷片与钨(W)高温共烧的方法,成功的制备出了高热导率的AIN多层陶瓷基板,完全满足高功率MCM的使用要求.
氮化铝;
多层基板;
多芯片组件;
多层布线技术;
陶瓷基板;
集成电路;
45.
级联单片钽酸锂晶体滤波器的研制
陈湘渝
;
刘良芳
;
陈建军
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
本文对钽酸锂、铌酸锂和石英晶体的材料特性进行了比较,并介绍了单片钽酸锂晶体滤波器的工作原理及其设计方法和本所研制的5MHz级联钽酸锂晶体滤波器.
晶体滤波器;
钽酸锂晶体;
工作原理;
设计方法;
46.
直热式高精密晶体谐振器
叶林
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
本文介绍一种新型晶体谐振器的研制和设计,该晶体谐振器称直热式晶体谐振器.通过对晶体热功耗的分析和计算,并针对其直热式特点,确定了晶片的切型、外形尺寸、加热电阻材料和支架材料,根据恒温晶体振荡器特性要求,经实验确定了两种加热结构形式,为直热式晶体谐振器的制造提供理论分析参考.
晶体谐振器;
加热结构;
加热电压;
47.
初探原材料对压电陶瓷性能的影响
万学华
;
曹宏江
;
王兴超
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
介绍原材料的纯度、细度、杂质对压电陶瓷性能的影响,在大批量生产中出现的问题以及国内外对原材料改进采取的措施.
压电陶瓷;
电性能;
原材料选择;
48.
混合微电子技术的发展趋势
张经国
;
杨邦朝
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
多芯片组件具有组装密度高、信号延迟小和多功能等优点,是混合微电子技术发展到高级阶段的产物,目前正从2D-MCM走向3D-MCM.本文简要介绍了三维多芯片组件的优点和几种实现形式.
多芯片组件;
3D-MCM;
混合微电子技术;
混合集成电路;
49.
用于超声治疗的压电陶瓷材料的研究
曾德平
;
刘光聪
;
刘锦
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
本文研究了xPZ-yPT-zPMS三元系统陶瓷材料,讨论了Z为一定值时ε<,33><'T>/ε<,0>,K<,p>,Q<,m>与Zr/Ti比的关系,材料工作稳定性与组分的关系,从而优化配方,得到材料性能优良,工作稳定性好,适用于超声治疗的压电陶瓷资料.
超声治疗;
换能器;
压电陶瓷材料;
50.
固体继电器可靠性预计的新方法
王庚林
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
论文介绍了已被国军标GJB/Z 299B-98所采用的一种新的固体继电器可靠性预计方法的提出过程、构架,基本失效率和各调整系数的取值,进行了不同方法的预计结果分析,并提出一步修改建议.
固体继电器;
可靠性;
预计方法;
51.
金和超微细金刚砂——一种新型电接触沉积材料的研究
A.A.赫梅利
;
L.K.库什耐尔
;
张战峰
;
V.A.叶梅利杨诺夫
;
I.I.库兹曼尔
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
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2002年
摘要:
作为电触点镀层的新型复合材料金和超微细金刚砂已经研制出来.在样品中对镀薄金和掺超微细金刚砂的镀金层的接触电阻、显微硬度、耐磨性能和微型结构进行研究.结果发现薄膜金镀层中的金刚砂含量为百分之0.1~1.5时,减小了颗粒尺寸,提高了显微硬度,使表面平整均匀,电接触耐磨性能也增加2~3倍,接触电阻也大大地降低了.通过周期电流的程控方式进行电镀已获得了性能更为完善的薄膜复合材料.
沉积镀金;
超微金刚砂;
电接触沉积材料;
薄镀层材料;
52.
尘土对触点材料接触性能的影响
李雪清
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
尘土沉积及其造成的触点材料的污染势必对电接触性能有所影响,本文提出传输线模型中插入接触阻抗可能形成的等放电路模型,并采用接触阻抗分析对尘土沉积样片进行研究,说明在一定频率范围内,触点材料表面尘土沉积对电接触产生的影响.
尘土污染;
接触阻抗;
接触阻抗模型;
触点材料;
电接触;
可靠性;
53.
纳米电子器件及进展
张文旭
;
张万里
;
李言荣
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
本文对纳米电子器件原理、应用及发展情况做了简要的介绍,包括单电子器件、隧道共振电子器件、自旋电子器件、分子电子器件、纳米碳管器件以及纳机电系统.
纳米电子学;
纳米电子器件;
纳米技术;
54.
移动电话元器件的新进展
王德凡
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
本文对近几年兴起的2.5G和3G移动电话元器件的新进展作了介绍.除了介绍移动电话基本电路的元器件外,还概述了为实现新功能而发展的新型器件.
移动电话;
芯片;
滤波器;
显示屏;
摄像模块;
电子元器件;
移动通信;
55.
表面贴装元件与相关工艺的一些进展
陈福厚
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
表面贴装元件是新型元件的重要成员,它的发展经历了三个阶段.本文简要叙述了近年来表面贴装电子元件与相关工艺的一些进展及今后的发展方向.
片式元件;
叠层工艺;
纳米粉料;
表面贴装元件;
56.
连接器产业与市场的现状和发展趋势
张战峰
;
林安义
;
王桂芬
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
电子连接器是系统与电子设备中电气连接不可缺少的基础元件,是用途最广的电子元器件之一.本文介绍了世界及我国连接器市场的现状、特点,着重分析了我国连接器市场的现状及未来发展方向.
连接器;
电子元器件;
市场分析;
57.
光纤器件及其在光纤通信中的作用
谢同林
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
文章从光纤器件是光纤通信网络建设的基石、它的发展导致了光纤通信技术和产业的迅猛发展、它的进一步突破将会掀起光纤通信发展的新高潮等几方面说明光纤器件在光纤通信中的作用及其技术和产业发展的必然性;然后综述了光纤器件的产业现状和技术走向.
光纤器件;
光器件;
无源器件;
有源器件;
光纤通信;
58.
一种新型的BBUL封装技术
赵钰
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
无凸点叠层封装(BBUL)技术是Intel公司研制出的一种新型封装技术,用以满足未来微处理器封装技术的要求.这种BBUL封装技术具有巨大的优越性,它免除了大多数高性能的倒装芯片所用的大量焊料凸点和互连,使环路电感量小、热机械应力小,不但减小芯片连接的寄生效应,而且提高了微处理器芯片的效率.此外,该封装的体积比传统封装更小、更轻,使多芯片之间的互连更为紧密.特别适合于高引出端的电子类及光电子产品,如逻辑单元、存储器、射频器件以及微型机电一体化系统.本文主要从其发展背景、工艺及特性方面,来阐述这种新型的BBUL封装技术,最后提出一些建议.
微处理器;
封装技术;
无凸点叠层封装;
工艺特性;
59.
不锈钢/氧化铝活性封接工艺研究
宁洪龙
;
马莒生
;
耿志挺
;
黄福祥
;
韩忠德
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
在845-859℃、6分钟的真空条件下,采用 TiAgCu焊料封接不锈钢与热等静压99﹪氧化铝.研究了TiAgCu焊料与不锈钢的反应界面,同时对影响封接结合强度与气密性的因素进行了分析,得出了控制焊接质量的处理方法.
不锈钢;
氧化铝;
活性封接;
封接工艺;
60.
UBM的Ti金属化层研究
刘豫东
;
朱继满
;
李倩倩
;
马莒生
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
本文介绍了倒装焊凸点常用的UBM选取原则,结合实际情况选取了Ti作为黏附阻挡层.比较了磁控溅射和离子束辅助溅射两种工艺方法对Ti层与管芯结合质量的影响.采用纳米硬度计的划痕功能测试了Ti膜的结构强度,结果显示两种工艺对Ti膜的抗划性能影响不大.推荐生产中采用成本相对较低的磁控溅射法.
Ti层;
磁控溅射;
离子束辅助溅射;
倒装焊技术;
凸点材料;
61.
混合集成电路铜功率外壳气密性失效分析
耿志挺
;
马莒生
;
郑锋
;
宁洪龙
《中国电子学会第十二届电子元件学术年会》
|
2002年
摘要:
玻璃封接金属管壳是集成电路封装的一种主要类型,本文研究了PM型混合电路铜功率外壳气密性失效问题,该管壳是将玻璃与可伐合金封接而成的绝缘子钎装在铜管座上制成的,产品高温老化后,气密性可由10<'-8>PaM<'3>/sec降到10<'-5>PaM<'3>/sec,降低了三个数量级,结合对失效产品的解剖,以及与国外不漏气的同类型功率管的对比分析,考察了影响玻璃封接金属管壳气密性的因素及生产工艺对封接质量影响机理,从而提出改进建议,并指出了提高产品质量的有效途径.
玻璃封接;
绝缘子;
气密性;
可伐合金;
混合集成电路;
失效分析;
意见反馈
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