半导体磁阻式光电传感薄膜材料及光电传感元件<'*>

摘要

制成一种半导体锑化铟-铟共晶型薄膜材料,并用这种材料制成三端式磁阻元件.把这种磁阻元件置于恒定磁场中,在波长λ<,p>=660nm光脉冲照射下,其中间端点会输出随光脉冲的变化而变化的脉冲电信号.用此元件已制成了新型的磁阻式光电传感器.