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MCM用氮化铝(AIN)共烧多层陶瓷基板的研究

摘要

多芯片组件(MCM)作为一种新技术正在迅速发展,随着组装密度的不断提高,IC集成度的提高,MCM的功率密度越来越大.为了改善器件的散热,提高可靠性,要求功率MCM所用的多层基板应具有高的异热性.本研究采用AIN流延生瓷片与钨(W)高温共烧的方法,成功的制备出了高热导率的AIN多层陶瓷基板,完全满足高功率MCM的使用要求.

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