意法半导体第二代SiC功率MOSFET实现更高转换效率

摘要

意法半导体(ST)推出了第二代SiC功率MosFET,具有单位面积极低的导通电阻(RDSon)和优良的开关性能,开关损耗在结温范围内几乎没有变化。ST提供广泛的第二代S MOSFET:额定击穿电压值从SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V,并延伸到1700V。在电动汽车牵引电机或充电站等汽车应用中,以及在太阳能发电机和电机驱动等工业应用中,使用SiC MOSFET可使设计者获得各种好处,包括:减小功率级的尺寸和重量;实现更高的功率密度;减小功率电路无源元件的尺寸和成本;实现更高的系统效率;减轻热设计限制,消除或减少散热器的尺寸和成本。