SiC功率MOSFET及SiC n-IGBT研制进展

摘要

SiC MOSFET具有高开关速度、低损耗、耐高温、方便使用等优势,在所有SiC功率开关器件类型中被认为是替代硅IGBT的最佳选择.为建立性能优越、可靠性满足工程应用要求的SiC电力电子器件产品技术,长期以来南京电子器件研究所一直从事SiC功率MOSFET器件结构设计和关键工艺技术的开发,本文介绍了近年来取得了一些重要成果.根据电动汽车充电设备等应用需求研制了1200V SiC MOSFET器件，针对电力电子变压器等应用需求研制了6500V SiC MOSFET器件，通过仿真软件设计了高压SiC n-IGBT的元胞结构，基于高压SiC DMOSFET工艺建立了SiC n-I工GBT制造工艺流程。