机译:用于制造SiC功率MOSFET的Ni-Salicide与自对剥离的比较,用于SiC功率MOSFET的欧姆触点
Fraunhofer IISB;
Fraunhofer IISB;
Fraunhofer IISB;
Chair of Electron Devices Friedrich-Alexander-Universität Erlangen;
Semiconductor Business Unit Zhuzhou CRRC Times Electric Co. Ltd;
Semiconductor Business Unit Zhuzhou CRRC Times Electric Co. Ltd;
Semiconductor Business Unit Zhuzhou CRRC Times Electric Co. Ltd;
Semiconductor Business Unit Zhuzhou CRRC Times Electric Co. Ltd;
Nickel Silicide; Ohmic Contact; Self-Alignment; Salicide; 4H-SiC; MOSFET;
机译:SiC MOSFET的低温金属化工艺在n型和p型离子注入4H-SiC上的欧姆接触
机译:p型SiC的Pt基欧姆接触与Ti-Al欧姆接触的比较
机译:市售的SiC MOSFET在300℃的空气中长时间等温老化的欧姆接触可靠性
机译:用于制造SiC功率MOSFET的Ni-Salicide与自对剥离的比较,用于SiC功率MOSFET的欧姆触点
机译:用于n型SiC的TiC欧姆接触的开发和表征。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:低击穿电压及其p型欧姆接触的UV SAM 4H-SiC APD的研究与制备