ULSI

摘要： 本文主要针对ULSI清洗技术进行了探讨,首先谈到了这种硅衬底片清洗的重要性,然后详细介绍了世界上被广泛采用的清洗方法,主要包括湿法、干法以及新型的超声技术和激光技术等等.然后进行理论分析,讨论适用于大规模应用的清洗技术,并且指出了在未来的发展方向.

摘要： 集成电路(IC)的快速发展对ULSI布线系统提出了更高的要求.本文通过对ULSI互连布线系统的分析,在介绍了ULSI新型布线系统的同时,尝试预测互连技术的趋势走向,同时展望Low-K介质与Cu互连技术在新型布线系统中的应用前景.

摘要： 当今集成电路工业进入甚大规模(ULSI)时代,集成电路的设计验证方法向业界提出了巨大挑战.芯片验证技术往往落后于芯片设计和制造能力,成为整个集成电路设计学科发展的制约瓶颈.ESL设计是能够让芯片工程师以紧密耦合方式开发、优化和验证复杂系统架构和嵌入式软件的一套方法学.

摘要： 随着超大规模集成电路向高集成、高可靠性及低成本的方向发展,对集成电路制作过程中的全局平坦化提出了更高的要求.ULSI多层布线CMP中粗糙度对器件的性能有明显影响,因此本文主要研究多层互连钨插塞材料CMP过程中的表面粗糙度影响因素及控制技术,分析了抛光过程中影响粗糙度的主要因素,确定了获得较低表面粗糙度的抛光液配比及抛光工艺参数.%With the developing of ULSI to high density ofintegration, high reliability and low cost,the global planarization during IC fabrication are raised higher request. During CMP process, roughness of ULSI multilevel metallization layer influences the device performances directly. In this study, the key factors and controlling technology of influencing tungsten plug surface roughness during CMP process were studied, and the slurry optimal and polishing process parameters of gaining low surface roughness was gotten.

摘要： 本项目属于超大规模集成电路基础科学与技术研究领域，主要研究了适用于系统芯片（SoC）的纳米尺度CMOS集成电路以及大微电子集成系统（SoG）新器件结构和童艺技术。本项目以科技源头创新为宗旨，以形成具有我国自主知识产权的集成电路核心技术为最终目标，在国际上率先提出了多种新型的集成电路器件结构和相关的制作技术，并从理论和实验两方面验证了所提出的思想的可行性和实用性。主要内容有：提出并在工艺上首次实现了可分离平面双栅的自对准技术并在实验和理论上研究了其在高速低功耗集成电路上的应用潜力；

摘要： ULSI用氟化类金刚石薄膜的研究,Ni-Al薄膜的制备和电性能研究,CMOS工艺片上传输线研究,基于神经网络模型的传感器非线性校正,激光直写凹球面网栅的电控实现……

摘要： 随着芯片集成规模的不断扩大,芯片的散热分析及优化显得越来越重要,也越来越棘手.本文对于现下芯片热分析的各种方法及当前研究现状进行了简单介绍,并就等效网络法进行了详细的分析,建立了等效电网络法进行热分析的稳态模型,及具体的电路实现方法.

摘要： 随着IC片向高集成化、布线细微化、芯片大型化、薄型化方向的发展，先进封装技术需要将互连、动力、冷却和器件钝化保护等技术组合成一个整体以确保IC电路表现出最佳的性能和可靠性，对封装材料提出了越来越高的要求。中国科学院化学研究所在国家863计划支持下，成功研制ULSI电路封装用聚酰亚胺专用树脂和FC-GBA/CSP环氧底填料。

摘要： 自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel 4004、80286、80386、80486发展到Pentium和Pentium Ⅱ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位：主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz；CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上；半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到ULSI。封装的输入／输出（I／O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。

摘要： 基于DSP算法的正向设计方法学为系统芯片设计师提供重要的学术素养.本文结合图表概论正向设计方法学中的数学变换思想,一是DSP算法变换,二是相应的ULSI架构变换.研究结论是作为技术核心的DSP-ULSI最佳映射,贡献首先来自DSP算法变换,其次来自ULSI架构变换,此间始终构造把握评价函数.

摘要： 对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线电迁移寿命的影响和电迁徙与应力迁徙(SM)的关系;研究结果表明,蓄水池面积的大小和位置是影响电迁移寿命的主要因素。

摘要： 对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线电迁移寿命的影响和电迁徙与应力迁徙(SM)的关系;研究结果表明,蓄水池面积的大小和位置是影响电迁移寿命的主要因素。

摘要： 对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线电迁移寿命的影响和电迁徙与应力迁徙(SM)的关系;研究结果表明,蓄水池面积的大小和位置是影响电迁移寿命的主要因素。

摘要： 对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线电迁移寿命的影响和电迁徙与应力迁徙(SM)的关系;研究结果表明,蓄水池面积的大小和位置是影响电迁移寿命的主要因素。

摘要： 对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线电迁移寿命的影响和电迁徙与应力迁徙(SM)的关系;研究结果表明,蓄水池面积的大小和位置是影响电迁移寿命的主要因素。

摘要： 对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线电迁移寿命的影响和电迁徙与应力迁徙(SM)的关系;研究结果表明,蓄水池面积的大小和位置是影响电迁移寿命的主要因素。

摘要： 对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线电迁移寿命的影响和电迁徙与应力迁徙(SM)的关系;研究结果表明,蓄水池面积的大小和位置是影响电迁移寿命的主要因素。

摘要： 对中国电子气体的历史进行了回顾，通过对某些具有代表性的电子气体描述，可以清晰地看到我国电子气体同发达国家的差距，对中国电子气体未来的发展走向进行了剖析。

摘要： 对中国电子气体的历史进行了回顾，通过对某些具有代表性的电子气体描述，可以清晰地看到我国电子气体同发达国家的差距，对中国电子气体未来的发展走向进行了剖析。

摘要： 对中国电子气体的历史进行了回顾，通过对某些具有代表性的电子气体描述，可以清晰地看到我国电子气体同发达国家的差距，对中国电子气体未来的发展走向进行了剖析。

摘要： 本发明涉及化学镀制备超大规模集成电路亚45nm级铜互连扩散阻挡层的制备方法，属于化学镀领域。对于化学镀制备NiCoB扩散阻挡层薄膜的单晶硅基体采用钯原子活化法，用化学镀方法在单晶硅基体上沉积一层40nm厚的NiCoB薄膜作为扩散阻挡层，然后用化学镀方法沉积Cu膜，最后沉积一层NiCoB薄膜。本发明研究了NiCoB薄膜作为扩散阻挡层的阻挡性能，其具有失效温度高，结合力强，电阻率低，具有磁性等优点且本发明的NiCoB镀液稳定性好，镀速高。

摘要： 本发明提供用于ULSI半导体器件的具有自组装单分子层的铜线及其制造方法。铜线包括：层间电介质、自组装单分子层、在该单分子层上的催化颗粒、以及在具有催化颗粒的单分子层上的铜层。所述方法包括以下步骤：在具有金属线形成区域的半导体衬底上形成层间电介质；在金属线形成区域上形成自组装单分子层；在自组装单分子层上吸附催化颗粒；使用化学镀工艺在吸附具有催化颗粒的自组装单分子层上形成铜籽晶层；和在铜籽晶层上形成铜层以填充金属线形成区域。

摘要： 本发明涉及一种ULSI铜表面高精密加工过程中化学机械抛光液的制备方法，该方法根据ULSI铜能在氧化剂作用下和碱发生化学反应，抛光液选用碱性介质。该抛光液选用纳米SiO

摘要： 一种ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光的组合物，属于化学机械抛光水性组合物领域。本发明提供了适用于在至少小于1.0Psi(6.89kPa)的下压力下抛光半导体晶片上铜的水性组合物，该组合物含有磨料、氧化剂、pH调节剂、缓蚀剂和水，主要还含有适用于低下压力弱机械作用情况下的含硫腐蚀平衡剂。采用本发明提供的抛光组合物对超大规模集成电路多层铜布线中的铜进行低下压力抛光，具有高平滑化效率和高抛光速率，能最大限度的避免抛光缺陷的产生。

摘要： 本发明的目的是提供具有尤其是通孔和沟槽内侧壁的可达范围充分，与表面部的膜厚也均匀，并且杂质浓度少的种子层的ULSI微细配线构件。另外本发明的目的是还提供利用该种子层并通过接下来的电镀铜来形成没有空隙发生的微细配线的ULSI微细配线构件、其形成方法和形成有该ULSI微细配线的半导体晶片。本发明的ULSI微细配线构件具有基材和在基材上形成的ULSI微细配线，该ULSI微细配线具有在基材上形成的阻挡层和在该阻挡层上形成的钌电镀层。本发明提供将该钌层作为种子层形成了铜电镀层的ULSI微细配线构件及其形成方法。

摘要： 本发明涉及一种ULSI铜材料抛光后表面清洗方法，具体步骤如下：制备清洗液，按重量％计：非离子型表面活性剂1-4％、FA/OII型螯合剂0.5-3％、FA/OII型阻蚀剂0.1-5％、余量去离子水；混合搅拌均匀后制备成pH值为7.4-8.2水溶性表面清洗液；使用步骤(1)制备的清洗液对碱性化学机械抛光后的铜材料在2000Pa-3000Pa的低压力、1000-5000ml/min的流量条件下进行抛光清洗，抛光清洗时间至少为0.5-2分钟，以使铜材料表面洁净。采用该清洗方法有益效果是：清洁分布不均的抛光液被迅速冲走，可获得洁净、完美的抛光表面。该方法操作简单，不需添加其它设备，成本低、效率高、无污染，可明显改善器件性能，提高成品率。

摘要： 本发明涉及化学镀制备超大规模集成电路亚45nm级铜互连扩散阻挡层的制备方法，属于化学镀领域。对于化学镀制备NiCoB扩散阻挡层薄膜的单晶硅基体采用钯原子活化法，用化学镀方法在单晶硅基体上沉积一层40nm厚的NiCoB薄膜作为扩散阻挡层，然后用化学镀方法沉积Cu膜，最后沉积一层NiCoB薄膜。本发明研究了NiCoB薄膜作为扩散阻挡层的阻挡性能，其具有失效温度高，结合力强，电阻率低，具有磁性等优点且本发明的NiCoB镀液稳定性好，镀速高。

摘要： 一种ULSI多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光的组合物，属于化学机械抛光水性组合物领域。本发明提供了适用于在至少小于1.0Psi(6.89kPa)的下压力下抛光半导体晶片上铜的水性组合物，该组合物含有磨料、氧化剂、pH调节剂、缓蚀剂和水，主要还含有适用于低下压力弱机械作用情况下的含硫腐蚀平衡剂。采用本发明提供的抛光组合物对超大规模集成电路多层铜布线中的铜进行低下压力抛光，具有高平滑化效率和高抛光速率，能最大限度的避免抛光缺陷的产生。

摘要： 本发明涉及一种ULSI铜材料抛光后表面清洗方法，具体步骤如下：制备清洗液，按重量％计：非离子型表面活性剂1-4％、FA/OII型螯合剂0.5-3％、FA/OII型阻蚀剂0.1-5％、余量去离子水；混合搅拌均匀后制备成pH值为7.4-8.2水溶性表面清洗液；使用步骤(1)制备的清洗液对碱性化学机械抛光后的铜材料在2000Pa-3000Pa的低压力、1000-5000ml/min的流量条件下进行抛光清洗，抛光清洗时间至少为0.5-2分钟，以使铜材料表面洁净。采用该清洗方法有益效果是：清洁分布不均的抛光液被迅速冲走，可获得洁净、完美的抛光表面。该方法操作简单，不需添加其它设备，成本低、效率高、无污染，可明显改善器件性能，提高成品率。

摘要： 本发明公开了一种纳米级超大规模集成电路(ULSI)Cu布线HfSiN扩散阻挡层材料及其制备工艺。本发明的材料是在Si基底上有一层由Hf靶或Si靶或HfSi合金靶溅射沉积的非晶态HfSiN薄膜，且非晶态HfSiN薄膜总厚度≤45nm，其工艺是利用射频磁控溅射工艺在高真空下，N