ULSI半导体器件的具有自组装单分子层的铜线及形成方法

摘要

本发明提供用于ULSI半导体器件的具有自组装单分子层的铜线及其制造方法。铜线包括：层间电介质、自组装单分子层、在该单分子层上的催化颗粒、以及在具有催化颗粒的单分子层上的铜层。所述方法包括以下步骤：在具有金属线形成区域的半导体衬底上形成层间电介质；在金属线形成区域上形成自组装单分子层；在自组装单分子层上吸附催化颗粒；使用化学镀工艺在吸附具有催化颗粒的自组装单分子层上形成铜籽晶层；和在铜籽晶层上形成铜层以填充金属线形成区域。