光致发光光谱

摘要： 金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备InGaN/GaN多量子阱结构时,在GaN势垒层生长的N_(2)载气中引入适量H_(2),能够有效改善阱/垒界面质量从而提升发光效率。本工作利用光致发光(PL)光谱技术,对蓝光激光器结构中的InGaN/GaN多量子阱的发光性能进行了精细的光谱学测量与表征,研究了通H_(2)生长对量子阱界面的调控效应及其发光效率提升的物理机制。室温PL光谱结果显示,GaN势垒层生长载气中引入2.5%的H_(2)使InGaN/GaN多量子阱的发光效率提升了75%、发光峰的峰位蓝移了17 meV、半峰宽(FWHM)减小了10 meV。通过功率依赖的PL光谱特征分析,我们对InGaN/GaN量子阱中的量子限制Stark效应(QCSE)和能带填充(Band Filling)效应进行了清晰的辨析,发现了发光峰峰位和峰宽的光谱特征主要受QCSE效应影响,H_(2)的引入能够大幅度降低QCSE效应,并且确定了QCSE效应被完全屏蔽情况下的发光峰能量为2.75 eV。温度依赖的PL光谱数据揭示了通H_(2)生长量子阱结构中显著减弱的载流子局域化行为,显示界面质量提高有效降低了限制势垒的能量波动,从而导致更窄的发光峰半峰宽。PL光谱强度随温度的变化规律表明,通H_(2)生长并不改变量子阱界面处的非辐射复合中心的物理本质,却能够显著减少非辐射复合中心的密度,有助于提升量子阱的发光效率。通过时间分辨PL光谱分析,发现通H_(2)生长会导致量子阱结构中更短的载流子辐射复合寿命,但不影响非辐射复合寿命。载流子复合寿命的变化特征进一步确认了通H_(2)生长对量子阱结构中QCSE效应和非辐射复合中心的影响规律。综合所有PL光谱分析结果,我们发现通H_(2)生长能够提高InGaN/GaN多量子阱的界面质量、显著减弱应力效应(更弱的QCSE效应)、降低限制势垒的能量波动以及减少界面处非辐射复合中心的密度,从而显著提升量子阱的发光效率。该研究工作充分显示了PL光谱技术对半导体量子结构发光性能的精细表征能力,光谱分析结果能够为InGaN/GaN多量子阱生长提供有价值的参考。

摘要： 蓝珀主要产于多米尼加共和国、墨西哥与缅甸,其形成机制、组成成分及光谱特征与之特定的产出地理环境有密切的关联。因此,蓝珀的产地研究成为当前珠宝玉石、考古及生物矿物学研究领域的热点课题。前人主要应用红外光谱、X射线荧光光谱、质谱、同位素示踪等技术开展了较系统的蓝珀产地的溯源研究,但限于蓝珀材质的类同,不同产地蓝珀的光谱学等特征存在相似性。同时,因部分检测设备应用的普及性不高,因此给基于上述相应设备所关联的检测方法的应用带来了较大局限。本文应用光致发光(Photoluminescence, PL)与拉曼光谱结合微量元素分析对多米尼加共和国与墨西哥两个不同产地蓝珀的光谱与元素赋存特征予以研究。结果表明:(1)室温下,在以405nm为激发波长的PL光谱中,多米尼加蓝珀同时出现约450、475与502nm处峰位。相比之下,墨西哥蓝珀未见明显特征峰,以上两产地蓝珀的PL光谱差异性可作为其产地溯源鉴定的直接依据。(2)在以785nm为激发波长的拉曼光谱中,多米尼加蓝珀在约154、468、901、1177及1312cm^(-1)处的拉曼峰较墨西哥蓝珀在上述位置处的峰位更为明显。同时,多米尼加蓝珀对应的谱图中约1653cm^(-1)与1446cm^(-1)处峰强比值N(N=I_(1653)/I_(1446))明显高于墨西哥蓝珀的上述峰位比值;(3)两个产地蓝珀中均含有微量的S、Si、Fe与Cu,且含量大小均呈现S>Si>Fe>Cu特征。相比之下,多米尼加蓝珀中Cu元素一般高于墨西哥蓝珀,因此Cu赋存含量特征可作为多米尼加蓝珀溯源的佐证依据之一。

摘要： 爱迪生珍珠和珈百丽珍珠为近年来相继问世的优质淡水有核珍珠,分别酷似南洋珠和AKOYA珍珠,如何区分白色珍珠、金色珍珠、黑色珍珠及银灰色珍珠的类型和颜色成因,成为目前检测机构棘手的难题。对132颗不同类型的白色系、黄色系、黑色系、灰色系天然呈色珍珠与染色或辐照改色的各类珍珠进行了系统的PL光谱测试分析,结果表明不同类型的珍珠PL光谱有重要鉴别特征,尤其是PL光谱中荧光背景强度(F)与565 nm文石主峰强度(A)比值F/A,可有效区分不同类型白色珍珠以及黑色、金色银灰色珍珠的颜色成因。(1)白色南洋珠F/A值多集中于1附近,白色爱迪生珍珠与白色珈百丽珍珠具有类似的PL光谱与F/A值变化范围,但大部分样品出现631 nm发光峰,F/A值多集中于2;白色AKOYA珍珠的F/A值大于10。(2)金色南洋珠的F/A值多集中于1.6,变化范围较小,染金色南洋珠与染金色爱迪生珍珠F/A值基本都大于4。(3)深灰色体色Tahiti黑珍珠没有特征的发光峰,但随着颜色加深,逐渐出现617 nm处发光峰,黑色体色Tahiti黑珍珠具有稳定的有机卟啉相关的617和650 nm处发光峰;而绝大部分染色、辐照的黑色珍珠样品并未出现明显的荧光背景增强现象,但缺失617和650 nm处发光峰。(4)天然呈色银灰色AKOYA样品F/A值都小于3,而染色和辐照成因的银灰色AKOYA的F/A值都明显高(1.79~144),并且因改色方式不同,存在一定的变化范围。

摘要： ZnO是第三代半导体的代表之一,可作为紫外光致发光与多共振模式激光的载体,尤其以光学气化过饱和析出法(OVSP)制备的ZnO微米晶近年来在光催化、高效多彩光源、高效电致发光等方面显示出重要优势,但其制备成本较高、生产效率低下,阻碍了其大规模器件化的发展。针对上述问题,基于有限元分析的结果,设计并搭建了一套工作波长在1080nm,功率18%(@2500W)激光加热的微米晶生长装置。以ZnO为原料验证了所研制装置的可行性与实用性。结果表明,该装置制备产物与OVSP法制备产物在形貌、结构、发光性能上非常接近,生产效率得到极大提高(~500%)。利用研制的生长装置,成功制备出了具有完整六边形截面形貌的富受主型ZnO单晶微米棒,其直径约为3.8μm,长度达10~20μm。通过拉曼光谱发现,ZnO微米棒的拉曼峰清晰尖锐,位于437cm^(-1)处的拉曼峰对应E_(2)^(high)模式,所制备微米棒为结晶性较好的六方纤锌矿结构。通过对ZnO微米棒荧光光谱的分析,发现其与OVSP法所制备的ZnO微米管具有类似的紫外双峰结构,表明微米棒内存在大量与锌空位(V_(Zn))相关的受主缺陷。在80~280K范围内,随着温度升高,ZnO微米棒的荧光发光峰强度出现“热猝灭-负热猝灭-热猝灭”的反常行为。研究发现,在166~200K范围内出现的负热猝灭行为与导带底以下477meV处存在的中间态能级(陷阱中心)有关,在200~280K范围内出现的热猝灭现象与导带底以下600meV处非辐射复合中心有关。两者的出现与所制备的ZnO微米棒氧空位(V_(Zn))缺陷相关。所研制的激光生长装置具有较高的可行性与实用性,该制备方法为富受主型ZnO单晶微米棒的快速批量生长奠定了技术基础,同时对其在光电器件领域的应用也具有重要意义。

摘要： 运用显微镜、紫外-可见光光谱仪、傅里叶红外光谱仪、光致发光光谱仪和钻石观测仪(Diamond view^(TM))在常温下对一颗绿蓝色钻石样品进行一系列检测,分析其形成原因以及颜色成因。傅里叶红外光谱显示该样品具有1175 cm^(-1)、1010 cm^(-1)等特征吸收峰,属于IaB型钻石;光致发光光谱显示其具有415 nm(N3)、438 nm、452 nm、648 nm、741 nm等特征发光峰,钻石观测仪(Diamond view^(TM))显示样品具有天然钻石生长特征,综合分析该样品是一颗天然成因的钻石;紫外-可见光光谱具有明显的741 nm(GR1)吸收峰和一系列与辐照相关的吸收峰(394 nm、667 nm),证明样品是经过了辐照处理。但没有发现样品具有明显的与辐照退火相关的缺陷,因此该样品是否经过后期的复合处理仍需进一步检测。

摘要： 碲镉汞材料的电学、光学性能直接影响红外探测器的性能,掺杂是一种有效提高材料性能的手段,因此碲镉汞材料的相关掺杂研究至关重要。利用步进式扫描傅里叶红外调制光致发光(Fourier Transform Infrared Modulated Photoluminescence,FTIR-PL)测试仪对不同退火条件下的掺In碲镉汞材料进行了变温测试,降低了实验过程中的信噪比,获得了较好的光谱图。在此基础上结合霍尔测试结果,分析了由温度变化导致的能级位置变化以及不同退火条件处理后碲镉汞材料的发光峰强度和位置的变化。

摘要： 借助激光诱导的光致发光光谱尤其是低温光致发光谱研究钻石缺陷中心比较有效,它不仅可以清楚地证明Ia型钻石(金刚石)中存在的氮,同时也可以揭示钻石(金刚石)晶格中分布的缺陷中心。近年来,合成钻石的生长技术发展迅速,特别是化学气相沉积(CVD)技术已经能够制备出大尺寸的钻石,通过进一步的改进处理可以优化合成钻石的光学性能。珠宝行业中出现了大量未明确标注的人造钻石和改性钻石,给我们日常的钻石鉴定和分级业务带来了很大的冲击和挑战。

摘要： 为快速鉴定高温高压(HPHT)合成钻石,前人已开展了系统的发光特征和谱学特征研究,但对比性分析较少,且对电学性质和磁学性质关注不多.本文结合常规宝石学观察、高精度谱学测试以及导电性和磁性测试,对49粒无色、黄色样品进行了深入研究和对比分析.结果表明:①铁、钴、镍等金属元素的触媒残余是HPHT合成钻石的磁性来源,测试样品均能被磁强达到12000 Gs的磁棒吸引.②无色HPHT合成钻石为Ⅱa+Ⅱb型钻石,硼元素的存在导致其具有良好的导电能力,且随着硼含量的增多,导电能力逐渐增强;黄色样品为Ⅰb+ⅠaA型钻石,约三分之一的孤氮转化为A集合体,揭示合成钻石在生长完成后经过了高温退火处理.③硼元素的普遍存在,以及氮元素主要以孤氮原子和A集合体的方式存在,导致了HPHT合成钻石的特征红外光谱;HPHT合成钻石中常含有氮、镍、硅等杂质元素引起的晶格缺陷,导致了特征的光致发光光谱.④无色HPHT合成钻石具有强蓝绿色荧光和磷光,黄色HPHT合成钻石具有绿色荧光,可见明显的立方体-八面体分区现象.本研究表明:谱学特征和发光特征仍然是筛查鉴定HPHT合成钻石的重要依据.现生长技术下合成的HPHT合成钻石在导电性和磁性两方面也与天然钻石存在明显差异,可以作为快速鉴定合成钻石的辅助性依据.

摘要： 本文以Akoya灰珍珠及辐照Akoya灰珍珠、染色淡水灰珍珠为主要研究对象.采用常规显微观察,结合紫外荧光分析、X射线荧光光谱仪分析、紫外-可见吸收光谱分析、光致发光光谱和显微激光拉曼光谱分析对研究对象进行了研究.显微观察发现Akoya灰珍珠和辐照Akoya灰珍珠具有典型的海水珍珠的螺旋状生长结构,染色淡水珍珠具典型淡水珍珠的表面生长结构和不规则色斑;微量元素分析表明,海水灰珍珠富Sr贫Mn,淡水珍珠则反之,可以采用该方法加以鉴别;紫外可见光谱仪分析表明,Akoya灰珍珠和辐照Akoya灰珍珠差异不明显,染色淡水灰珍珠紫外-可见吸收光谱具有500～700nm处染料吸收峰;光致发光分析显示,相对于Akoya灰珍珠,辐照Akoya灰珍珠和染色淡水灰珍珠在蓝区具有蓝移的现象,且染色淡水灰珍珠图谱具有特征的630nm有机色素的发光峰;拉曼光谱分析结果显示,辐照Akoya灰珍珠及染色淡水灰珍珠在3000～5000cm-1范围内出现很强的荧光背景,且受荧光背景的干扰,文石特征峰明显变弱.综合以上测试,可以很好地区别颜色为天然成因的Akoya灰珍珠和处理灰珍珠.

摘要： 近年来,墨西哥蓝珀备受欢迎,在市场上占有量越来越大.红蓝料琥珀作为蓝珀的品种之一,因其表层通常具有一层褐红色的氧化皮层,内层琥珀在紫外光下具有蓝绿色荧光,被称为"红皮蓝珀".但墨西哥琥珀中的红蓝料由于形成条件的限制非常稀少.通过宝石学常规测试、显微放大观察、傅里叶红外光谱和光致发光光谱等,对墨西哥红蓝料琥珀的宝石学特征和谱学特征进行研究,并与墨西哥的黑皮料琥珀展开对比研究.墨西哥红蓝料琥珀红皮常呈微透明,内部为半透明—微透明,红皮厚度不均,由黑色点状包裹聚集流动组成.长波紫外灯下红皮部分显示弱至无的荧光,内部显示较强的蓝色荧光.红外光谱中墨西哥红蓝料红皮部分位于1723和1233～1046 cm-1处的吸收峰分别是由含氧基团C O及C—O所致,由—C H3所致的吸收峰位于2928 cm-1,其中含氧基团C O是使红蓝料琥珀呈现红色的生色团.红蓝料琥珀红皮部分C O峰与—CH3峰的吸收强度比约为4/5,而内部约为2/5～1/2,红蓝料琥珀表层红皮部分的氧化程度较内部强,并且红蓝料琥珀内部氧化程度高于黑皮料内部.光致发光光谱结果表明红蓝料琥珀的红皮部分和内层的发光中心不同,红皮部分以562和506 nm为发光中心,而内层大多以467和472 nm为发光中心.随着氧化程度的增加,发光中心逐渐红移,荧光强度明显降低,C O对墨西哥红蓝料琥珀的荧光起到了淬灭作用.黑皮料琥珀内部特征谱峰具489和466 nm两个宽的发光中心,黑皮料琥珀内部的荧光强度较红蓝料琥珀更高.该研究为墨西哥红蓝料琥珀的鉴别提供了依据,有助于墨西哥红蓝料琥珀与其他产地、其他品种琥珀的区分,具有重要的理论意义和市场运用价值.

摘要： 近年来,光致发光光谱被广泛应用在合成和处理钻石的检测中,然而由于在其他宝石上的研究尚不系统,使得光致发光技术未得到广泛的应用,尤其在实际检测中的应用并不广泛.同时,随着尖晶石在宝石市场上的兴起,合成和处理尖晶石的方法和检测已经成为宝石学上不得不重视的问题,因此光致发光光谱是一种值得关注且十分有效的检测手段.在超过相变温度后,随着热处理程度的加深,尖晶石有序无序变化程度与温度成正相关关系.本文将天然红色尖晶石样品在管式炉中进行不同温度的热处理,并通过淬火保留该温度下尖晶石的结构状态,再通过对样品在低于相变温度下的退火实验来探究尖晶石相变还原的可能性.光谱测试上,通过在液氮环境下的测试手段获得更加清晰的尖晶石光致发光光谱,并获得光谱参数.通过对不同处理温度下淬火尖晶石光致发光光谱参数的分析,可知相变温度约为700°C左右.随着尖晶石相变程度的加深,光致发光光谱的谱峰宽度不断增大,R-line与N-line的相对高度逐渐减小,这些在谱峰参数上的明显变化可以作为尖晶石处理及合成检测中的可靠依据.值得注意的是,尖晶石的相变程度会随着退火时间的加长而部分还原.通过在700°C、650°C和600°C下对尖晶石进行不同时间长度的退火实验,并分析退火时间长短与相应光谱的参数后,得出如下结论:通过退火处理,尖晶石有序度虽然会发生一定程度的还原,但是并不会完全恢复到原本该温度下样品的有序度状态,这提高了光致发光在尖晶石处理品、合成品与天然样品鉴别中的可信度.

摘要： 氧化物薄膜晶体管具有高迁移率和低温工艺等优势,是当前显示领域研究热点.本文首先制备了钆铝锌氧薄膜和以钆铝锌氧为有源层的薄膜晶体管.光致发光光谱和透过率说明了钆铝锌氧薄膜在透明显示方向的应用潜力.透射电子显微镜揭示了钆铝锌氧薄膜的非晶态微观结构.钆铝锌氧薄膜晶体管显示了良好的转移特性和输出特性.器件开关比大于105、饱和迁移率约为10cm2V-1s-1.实验结果表明,钆铝锌氧薄膜可用作氧化物薄膜晶体管的有源层材料;钆铝锌氧薄膜晶体管可作为像素电路的驱动器件.

摘要： 基于Si量子点超晶格结构的第三代全Si型太阳能电池，由于其无毒、原材料丰富、高效率、低成本而引起了广泛的研究兴趣。我们利用双电子束蒸发源，率先快速高效地制备出大面积、低成本的多层Si量子点超晶格结构，成功地将Si量子点嵌入在SiO2和SiO2构成的势垒中。透射电镜的观察表明平均尺寸在5.0nm左右；Si量子点层之间的SiO2的势垒厚度约为4nm左右。光致发光光谱(PL)和拉曼光谱的测量表明多层Si量子点超晶格结构的量子效应，对能带的调节作用非常明显，可应用到全Si第三代太阳能电池中去。并将简化结构的Si量子点层与125mm单晶硅电池结合起来，测试表明在短波长，其量子效率有着较为明显的改善。

摘要： 以二水合醋酸锌(ZnAc2·2H2O)和氢氧化钠(NaOH)为原料,采用水热法在160°C条件下,制备了纳米花状氧化锌。用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),荧光仪(PL)对产物的物相,微现形貌和发光特性进行表征。结果表明,产物是纤锌矿结构ZnO,呈花状,分散性好,颗粒由直径约100nm、长约500 nm的纳米棒组成,光致发光光谱显示纳米花在522nm显示出绿色发光峰,分析认为O空位Zn填隙缔合缺陷(VoZni)至价带的跃迁可能是引起绿光发射的原因之一。

摘要： 坩埚下降法生长了(Mo6+、PbF2),(Mo6+、Gd3+),(PbF2,Gd3+)组合掺杂,及PbF2单掺杂钨酸铅晶体,对样品进行了吸收光谱、光产额、X射线和紫外激发发光光谱等测试和表征,讨论了掺杂对钨酸铅发光的增强效果。掺杂钨酸铅总发光额都得到了增强；在门宽100ns内晶体的光产额都有提高,但在测试门宽在200ns内,(Gd3+、PbF2)掺杂样品光产额有所下降.X射线激发发光显示,PbWO4:(Mo6+、Gd3+)的蓝发光和绿发光分量都有提高；PbWO4:(Mo6+、PbF2)蓝发光受到拟制,提高了绿发光成分,晶体光学吸收边明显红移。PbWO4:(Gd3+、PbF2)蓝发光得到增强,绿发光得到一定的拟制.光致发光光谱分析表明,Gd3+掺杂对PbWO4基质发光有敏化作用。实验证实,F在PbWO4生长中非常不稳定,显示很差的掺杂均匀性。

摘要： 介绍了一种新型蓝光有机电致发光材料2-(2-羟基苯基)苯并噻唑铍(Be(BTZ)2)的制备方法,并通过红外光谱、元素分析、热重曲线、差热曲线、紫外-可见光吸收光谱、循环伏安曲线、荧光激发光谱和光致发光光谱表征了Be(BTZ)2的结构与性能.实验结果表明:Be(BTZ)2的升华温度为317°C;在光致发光光谱中,Be(BTZ)2的最大发射峰波长为465nm,半高宽为48.9nm;Be(BTZ)2的最高占据轨道(HOMO)能级为-5.979eV,最低未占轨道(LUMO)能级为-2.999eV,带宽为2.98eV.由以上可见Be(BTZ)2是一种性能优良的蓝光有机电致发光材料.

摘要： 本文采用磁控溅生长技术在GaAs(100),Si(100),Si(111),Al2O3(0001)和玻璃等不同衬底生长GaN薄膜.同时采用X射线双晶衍射,光致发光光谱和Raman散射谱等技术对薄膜的结构进行表征.结果表明所生长的GaN薄膜与衬底存在由立方闪锌矿到六方纤锌矿的相结构的转变关系。

摘要： 采用热蒸发法制备了Sn掺杂ZnO纳米线，其中Sn的掺杂含量约为2.4 at.%。X 射 线衍射（XRD）结果表明Sn掺杂ZnO纳米线为单相纤锌矿结构。纳米线的室温光致发光（PL）光谱分别在409.2 nm和498.0 nm处存在两个蓝绿光发射峰，本文对其蓝绿光发光机制进行了分析。

摘要： 采用热蒸发法制备了Sn掺杂ZnO纳米线，其中Sn的掺杂含量约为2.4 at.%。X 射 线衍射（XRD）结果表明Sn掺杂ZnO纳米线为单相纤锌矿结构。纳米线的室温光致发光（PL）光谱分别在409.2 nm和498.0 nm处存在两个蓝绿光发射峰，本文对其蓝绿光发光机制进行了分析。

摘要： 采用热蒸发法制备了Sn掺杂ZnO纳米线，其中Sn的掺杂含量约为2.4 at.%。X 射 线衍射（XRD）结果表明Sn掺杂ZnO纳米线为单相纤锌矿结构。纳米线的室温光致发光（PL）光谱分别在409.2 nm和498.0 nm处存在两个蓝绿光发射峰，本文对其蓝绿光发光机制进行了分析。

摘要： 本发明公开一种磁光光致发光光调制反射和光调制透射光谱联合测试系统。该系统包括宽波段红外光源和傅立叶变换部件、具有红外光学窗口的低温强磁场系统、用于宽波段光入射和收集的反射/透射光路子模块、泵浦/调制两用的交流输出激光器及其引导光路、计算机控制的多功能光谱测试切换部件、光谱信号探测与解调模块、以及控制系统运行的计算机。本发明能够针对半导体材料的同一特定光斑位置实现磁光光致发光、光调制反射和光调制透射的联合测量，形成材料不同磁场光谱特性的可靠比对。本发明具有全面、无损和高灵敏优点，非常适用于半导体光学性质、电子结构和磁效应特性的光谱学检测。

摘要： 本发明公开一种磁光光致发光光调制反射和光调制透射光谱联合测试系统。该系统包括宽波段红外光源和傅立叶变换部件、具有红外光学窗口的低温强磁场系统、用于宽波段光入射和收集的反射/透射光路子模块、泵浦/调制两用的交流输出激光器及其引导光路、计算机控制的多功能光谱测试切换部件、光谱信号探测与解调模块、以及控制系统运行的计算机。本发明能够针对半导体材料的同一特定光斑位置实现磁光光致发光、光调制反射和光调制透射的联合测量，形成材料不同磁场光谱特性的可靠比对。本发明具有全面、无损和高灵敏优点，非常适用于半导体光学性质、电子结构和磁效应特性的光谱学检测。

摘要： 本发明涉及一种含有有机绿光光致发光材料与有机红光光致发光材料组合物的具有OFED结构的背光源及显示设备。所述背光源包括PCB板和设置于PCB板上的多个LED发光器件，每一个所述LED发光器件包括LED芯片和设置在其上方的光致发光层，其中，所述光致发光层包含至少一种有机绿光光致发光材料和至少一种有机红光光致发光材料。本发明还公开了包括如上背光源的LCD显示设备。相比于传统的白光LED背光源，本发明所述产品一方面通过不同有机光致发光材料的搭配，提高了光谱的显色指数和色纯度；另一方面采用>460nm的蓝光LED芯片，降低了蓝光对于人眼的危害，实现了真正意义上的健康光源。本发明的技术方案将为日常照明、亮光光源和液晶背光源等领域带来重大的创新和变革。

摘要： 一种深紫外激光光致发光光谱仪，包括：一全固态深紫外激光器；一真空样品室与全固态深紫外激光器连接；一真空单色仪与真空样品室连接；一第一真空维持系统与真空样品室连接；一第二真空维持系统与真空单色仪连接；一低温系统和控温装置与真空样品室通过法兰连接；一样品架三维调整装置与真空样品室连接；一稳态发射谱探测系统与真空单色仪连接；一时间分辨光谱探测系统与真空单色仪连接；一真空泄漏安全系统的第一、第二控制端与第一真空维持系统连接，第三、第四控制端与第二真空维持系统连接，第五控制端与低温系统和控温装置连接；一计算机控制装置用于控制真空泄漏安全系统、真空单色仪、低温系统和控温装置、样品架三维调整装置、稳态发射谱探测系统和时间分辨光谱探测系统。

摘要： 一种深紫外激光光致发光光谱仪，包括：一全固态深紫外激光器；一真空样品室与全固态深紫外激光器连接；一真空单色仪与真空样品室连接；一第一真空维持系统与真空样品室连接；一第二真空维持系统与真空单色仪连接；一低温系统和控温装置与真空样品室通过法兰连接；一样品架三维调整装置与真空样品室连接；一稳态发射谱探测系统与真空单色仪连接；一时间分辨光谱探测系统与真空单色仪连接；一真空泄漏安全系统的第一、第二控制端与第一真空维持系统连接，第三、第四控制端与第二真空维持系统连接，第五控制端与低温系统和控温装置连接；一计算机控制装置用于控制真空泄漏安全系统、真空单色仪、低温系统和控温装置、样品架三维调整装置、稳态发射谱探测系统和时间分辨光谱探测系统。

摘要： 本发明记载了一种专用光致发光光谱测量的CCD光谱仪，包括入射狭缝、准直镜、光栅、成像反射镜以及CCD探测器；在CCD探测器与成像反射镜之间设置有伸缩式陷光挡板，且陷光挡板为低反射率挡板。由于采用了上述技术，本发明通过在现有光谱仪的CCD探测器面前增加一个陷光用的陷光挡板，该陷光挡板的位置可以根据激发峰的波长进行位置调节以确保该激发峰被挡住，而仅通过发射峰。此时，可以对发射峰进行重新曝光，以便增加曝光时间，由于激发峰被遮挡使得曝光时间可以加长，从而形成更高的饱和度，并增加光谱的测量质量，此时信号的信噪比远远高于有激发峰一同存在情况下的发射谱光谱信号，从而达到了准确测量低量子效率物质等目的。

摘要： 本发明提供了一种基于紫外光激发的全光谱光致发光光谱检测系统，所述系统包括探测器、影像校正光谱仪、入射狭缝、汇聚透镜、瑞利散射滤光片、聚焦物镜、样品以及激光器，所述的系统还包括设置在瑞利散射滤光片与聚焦物镜之间的硅片。所述的硅片包括第一部件、第二部件以及第三部件。在本发明的优选实施方式中，第一部件为圆形环，第二部件沿所述的圆形环的径向延伸，且第二部件的两端与圆形环相接，第三部件设置在第二部件的中心。通过由采用特殊工艺制成的硅片替换现有光致发光光谱检测系统中的二向色镜，实现了荧光的光谱范围不受任何限制，全波段通光，克服了现有技术中的光致发光光谱检测系统无法检测更宽波段的技术问题。

摘要： 本发明公开一种用于检测物质的拉曼和光致发光光谱并借助物质的拉曼和/或光致发光光谱特性鉴定物质的装置和方法。该装置包括具有激光源的可替换激光源集合体、准直系统、用于接收可替换激光源集合体同时确保装置的操作而无须进一步调整准直系统或激光源的定位的插口、滤波系统、被优化以提供足以同时获得物质的拉曼和光致发光光谱的光谱分辨率和光谱范围的光分散系统、检测器和至少一个用于处理电子信号的控制器。公开且要求保护的方法用于同时获得物质的拉曼和光致发光光谱、将光谱分成基于拉曼内容和光致发光内容的分量、分析拉曼和光致发光内容以及使用一组光谱处理方法鉴定物质。

摘要： 本实用新型记载了一种专用光致发光光谱测量的CCD光谱仪，包括入射狭缝、准直镜、光栅、成像反射镜以及CCD探测器；在CCD探测器与成像反射镜之间设置有伸缩式陷光挡板，且陷光挡板为低反射率挡板。由于采用了上述技术，本实用新型通过在现有光谱仪的CCD探测器面前增加一个陷光用的陷光挡板，该陷光挡板的位置可以根据激发峰的波长进行位置调节以确保该激发峰被挡住，而仅通过发射峰。此时，可以对发射峰进行重新曝光，以便增加曝光时间，由于激发峰被遮挡使得曝光时间可以加长，从而形成更高的饱和度，并增加光谱的测量质量，此时信号的信噪比远远高于有激发峰一同存在情况下的发射谱光谱信号，从而达到了准确测量低量子效率物质等目的。

摘要： 本实用新型提供了一种基于紫外光激发的全光谱光致发光光谱检测系统，所述系统包括探测器、影像校正光谱仪、入射狭缝、汇聚透镜、瑞利散射滤光片、聚焦物镜、样品以及激光器，所述的系统还包括设置在瑞利散射滤光片与聚焦物镜之间的硅片。所述的硅片包括第一部件、第二部件以及第三部件。在本实用新型的优选实施方式中，第一部件为圆形环，第二部件沿所述的圆形环的径向延伸，且第二部件的两端与圆形环相接，第三部件设置在第二部件的中心。通过由采用特殊工艺制成的硅片替换现有光致发光光谱检测系统中的二向色镜，实现了荧光的光谱范围不受任何限制，全波段通光，克服了现有技术中的光致发光光谱检测系统无法检测更宽波段的技术问题。