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王滔; 刘建勋; 葛啸天; 王荣新; 孙钱; 宁吉强; 郑昌成;
中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院;
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
昆山杜克大学自然与应用科学学部;
INGAN/GAN多量子阱; 光致发光光谱; 量子限制Stark效应; 载流子局域化; 载流子复合寿命;
机译:磁场和测量温度对掺Eu的InGaN / GaN量子阱结构中光致发光光谱形状的影响
机译:实验研究电子从量子阱溢出到p侧GaN中及其对InGaN / GaN蓝光二极管中效率下降的影响
机译:石墨烯-(GaN / InGaN)_n多量子阱杂化结构的界面和光致发光特性
机译:Ingan / GaN多量子阱中光致发光排放峰的蓝光研究
机译:极性InGaN / GaN量子阱结构的光学研究
机译:整体式InGaN / GaN量子阱结构的感知白光发射的光致发光研究
机译:利用超快时间分辨太赫兹和光致发光光谱研究InGaN / GaN量子阱结构的效率下降
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:量子阱结构,光学约束型量子阱结构,半导体激光器,分布式反馈半导体激光器,光谱图和量子阱结构的制造方法
机译:具有多个INGAN / GAN量子阱的LED异质结构
机译:/ InGaN / GaN多量子阱结构层的制造方法
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