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光电响应

光电响应的相关文献在1989年到2022年内共计167篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、化学、一般工业技术 等领域,其中期刊论文85篇、会议论文13篇、专利文献86898篇;相关期刊66种,包括华南师范大学学报(自然科学版)、生物化学与生物物理进展、生物物理学报等; 相关会议13种,包括2012中国平板显示学术会议、第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议、2007年红外探测器及其在系统中的应用学术交流会等;光电响应的相关文献由534位作者贡献,包括胡坤生、刘曼曼、孟佳意等。

光电响应—发文量

期刊论文>

论文:85 占比:0.10%

会议论文>

论文:13 占比:0.01%

专利文献>

论文:86898 占比:99.89%

总计:86996篇

光电响应—发文趋势图

光电响应

-研究学者

  • 胡坤生
  • 刘曼曼
  • 孟佳意
  • 李锁定
  • 杨俭华
  • 莫恒亮
  • 薛涛
  • 袁璐璐
  • 司玉军
  • 周国定
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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排序:

年份

    • 马慧; 田悦; 焦安欣; 张梦雅; 王畅; 陈明
    • 摘要: 与单金属相比,多金属纳米材料具有优异宽波谱范围响应的局部表面等离子体共振(LSPR),有利于提高光致电子转移效率并促进电荷载流子的有效分离.本文通过种子生长法和化学还原法,成功合成了具有多触角的海胆状金/银/铂/钯(Au-Ag-Pt-Pd NUs)四元纳米合金,探究了该纳米合金在不同退火温度下的局部表面等离子体共振(LSPR)响应特性,实验结果显示,在近红外光(808 nm)激发下,退火200°C的Au-Ag-Pt-Pd NUs的瞬态光电流强度是初始Au-Ag-Pt-Pd NUs的1.6倍.此外,以结晶紫(CV)作为探针分子,退火200°C的Au-Ag-Pt-Pd NUs的表面增强拉曼光谱(SERS)信号强度是初始Au-Ag-Pt-Pd NUs的1.8倍,从而验证了退火200°C的Au-Ag-Pt-Pd NUs具有很好的SERS活性,同时CV探测浓度可低至10^(12)M,并且实现了低浓度H_(2)O_(2)探测,探测范围:0.09—1.02μmol/L.结果表明,由于多重金属协同效应,四元Au-Ag-Pt-Pd NUs复合结构具备优异的光电响应特性和较高的SERS灵敏度,可为贵金属生物近红外探测提供新的思路.
    • 晁军峰; 邢淑敏; 任刚
    • 摘要: 柔性电子学的发展,尤其是柔性可穿戴产品的发展需要我们将硬性基底转换成柔性基底。本文选用水热法在导电玻璃(FTO)上成功制备出微观形貌为三维多孔针状的纳米级别半导体硫化铋薄膜,以该材料为原料,首次制作成功一种新型的高性能柔性光电探测器。该柔性光电探测器显示对于450 nm和650 nm激光谱线具有线性光电流特性和高稳定性。该柔性光电探测器具有高柔性,较小的质量,优异的响应特性和对弱激光束极强的敏感性,在新一代柔性可见光光电子器件领域具有非常大的应用前景。
    • 盛喜乐; 方娟华; 李小龙
    • 摘要: 采用水热法制备了BiVO4纳米星,并对晶体结构、形貌和光电化学性能进行了表征。结果显示制备的BiVO4纳米星结晶性良好、形貌规则、尺寸均一,具有良好的光降解性能和光电流响应,可得到光电流密度值约为0.5 μA/cm2。采用电化学莫特–肖特基法测量了其平带电位为0.27 V vs. NHE,并定量计算了导带位置为0.25 V vs. NHE,结合光学吸收谱确定了价带位置为2.66 V vs. NHE,最后给出了BiVO4纳米星的能级结构图。
    • 陈芸; 杨振; 陈巧; 周滤康; 蒋明峰; 钟晴
    • 摘要: 利用微机械剥离法制备了 α-In2Se3基柔性晶体管,本文研究了该晶体管在60Co γ射线辐照至吸收剂量为100 krad(Si)时的光电性能,基于对α-In2Se3纳米片元素组成、表面形貌、声子模式及畴结构的精细表征,分析了 γ射线辐照该晶体管的损伤机制,并研究了通过弯曲引入的面内应变对光电性能的调控作用,通过计算载流子浓度的变化,探讨了应变调控光电性能的机理.结果表明,γ射线辐照诱导产生的缺陷可能是导致α-In2Se3基柔性光电晶体管性能退化的主要原因;在压缩应变为-0.402%、光功率密度为14.34 mW·cm-2时,辐照后α-In2Se3基柔性晶体管的光响应性为辐照后无应变时的8.26倍,证明静态应变调控是提高辐照环境下基于2维铁电材料光电探测器光响应性能的有效途径.
    • 胡茜; 梁海锋; 蔡长龙; 张颖莉; 张祎祎
    • 摘要: 为了提高石墨烯基器件的光电响应性能,采用化学气相沉积法制备单层石墨烯,制备石墨烯/二氧化硅/硅结构器件;采用紫外-可见分光光度计、光学显微镜以及拉曼光谱对石墨烯薄膜进行材料特性表征,测试和分析不同结构参数的石墨烯器件在光辐照下的光电特性.研究结果表明:当甲烷流量为30 sccm,反应温度为1 030°C,退火时间为20 min时制备单层石墨烯,并将其转移到50 nm二氧化硅及硅基底上形成器件,在偏压为5 V时器件的响应度最高可达0.37 A·W-1,表现出优异的光电特性.
    • 王聪; 康伟峰; 张林慧; 徐永鸿; 仲斌年
    • 摘要: 以碲化铋(Bi2Te3)为研究对象,综述气相合成法、模板电沉积法、溶剂热法、气相传输法、电置换法以及新型的低温双溶剂溶胶-凝胶法等6种典型的制备Bi2Te3纳米材料的方法,总结Bi2Te3纳米材料在光电探测器、太阳能电池和热电发生器等方面的应用;提出低成本、高效、可控的制备Bi2Te3纳米材料是其得到进一步广泛应用的重要前提,认为在之后的研究中,应着重考虑采用降低材料维度或掺杂的方式构建具有高热电优值(ZT)的热电器件,采用异质结的方法构建高光响应性能的光电器件.
    • 摘要: 智能涂层作为一种新兴材料,因其自身性能参数能够因环境产生选择性作用的独到特性而备受业界关注。尤其近年来,以光电响应涂层、特种防护涂层、红外智能隐身涂层、宽频和多频雷达波隐身涂层、伪装涂层、记忆功能材料等为代表的特种智能涂层的发展尤为迅速,对雷达罩、智能蒙皮、智能光电窗口、发动机等关键武器装备升级换代起着不可替代的作用。
    • 刘文清; 张涛
    • 摘要: 生物传感器是生物敏感材料、理化换能器与电信号放大装置等多学科交叉的综合集成技术装置.典型的生物传感器以特异性感知的生物活性材料作为敏感元件,结合基于微电子器件的物理化学换能器和调理电路,实现生物敏感信息的电信号转换及放大.换能器的灵敏度、抗干扰能力等因素直接影响生物传感器的性能.从嗜盐菌中提取的细菌视紫红质是一种具有良好光敏特性的生物材料,可直接将光信号转化成电信号,从而实现将敏感元件和换能器合二为一的功能,已广泛应用于多种生物传感器中.细菌视紫红质的感光灵敏度和稳定性适用于开发具有颜色灵敏度的光传感器,最早的应用方向是人工视网膜;其光敏感和换能一体化特性可实现使用单个传感元件进行光学运动检测的功能,应用可扩展到运动传感领域.除了在视觉传感领域的应用,细菌视紫红质在病原体检测、水体pH检测、细胞膜电位检测等领域均表现出良好的灵敏性、稳定性和特异性.其不仅在生物传感领域具有应用价值,而且为半导体传感方法的研究提供了新途径.本文在简述细菌视紫红质的质子泵和光电响应特性等基本功能的基础上,阐述了细菌视紫红质构建生物传感器的应用进展,分析了不同传感器的特点,以期为细菌视紫红质的机理及其应用研究提供参考.
    • 杨镜鑫; 赵佳萍; 郭佳兴; 熊彪; 林永乐; 王进; 曹林洪; 熊政伟; 符亚军
    • 摘要: 由于环境友好性、高的地球丰度和稳定的物理化学性质,三氧化钨在光电响应、光催化领域应用潜力巨大,受到了人们的广泛关注.薄膜形态的光催化材料能够避免粉体材料的团聚问题,并且在转移、回收再利用方面优势明显,因此制备用于光催化的三氧化钨薄膜是当前的研究前沿.本文通过磁控溅射在石英玻璃基底上沉积三氧化钨薄膜,研究了不同基底温度对薄膜结构和形貌的影响.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、场发射扫描电镜、紫外可见吸收光谱、电化学工作站、光催化自组装平台对薄膜的成分形貌、光电化学性能、光催化活性进行表征.测试结果表明:基底温度为500°C时制备的单斜相三氧化钨薄膜具有较好的结晶性和更少缺陷,在500°C的基底温度下,新出现的(002)晶面取向的晶粒导致薄膜表面粗糙度和表面能增加,提升了光生电子空穴分离效率.光降解实验进一步证实此条件下制备的样品表现出最佳的光降解效率.可见,基底温度对磁控溅射制备的三氧化钨薄膜的光电化学性能有明显的调控作用.
    • 倪凤娟; 陈春玉; 廖志权; 赵凯; 陈光剑; 陈律; 曹宇; 熊万宇康
    • 摘要: 地球表面出露各种各样的矿物,由于表生地球化学作用,矿物的表面常被一层金属氧化物膜所覆盖,该氧化物膜受到太阳光的照射能否产生光电效应是当前的研究前缘。对来自江西龙虎山丹霞地层的含砾砂岩和江西赣州燕山期稀土矿化的半风化花岗岩进行矿物的光电测试表明:①龙虎山丹霞红层的主要矿物成分为长石、石英、粘土等,岩性为红色中粗粒砂岩,局部地区的砂岩中含有砾石,砂岩磨圆度一般,泥质胶结结构,压实程度一般。江西赣州燕山期半风化花岗岩采集自离子吸附型稀土矿区,具有典型的中粗粒花岗结构,由于风化作用,岩石相对较为松散,主要的矿物为长石、石英,并含少量的黑云母。②光电测试显示丹霞地层中红色砂岩的光电效应不明显,原因可能与沟道的制作过宽、探头接触等因素导致光电流低于检出限有关;对半风化花岗岩的石英颗粒进行挑选,然后直接将石英的表面制作成电极器件,光照结果显示微弱的光电响应
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