纳米电子

摘要： 近年来,基于低维半导体结构材料量子力学效应的固态纳米电子、光电子器件与电路和基于单分子及大分子结构所特有性质的分子电子学受到了广泛的关注,关于它们的研究与发展极有可能触发新的科技革命。同样,在国内也有很多科研院校在这些领域开展了深入的研究,复旦大学芯片与系统前沿技术研究院就是其中的佼佼者。

摘要： 俄罗斯国家研究型技术大学(莫斯科钢铁合金学院)、超硬材料与新型碳材料技术研究所与俄科院西伯利亚分院物理研究所的研究人员基于内嵌金属钪的富勒烯结构合成了一种新型超硬材料,该材料可在光伏、光学、纳米电子与生物医学等领域得到广泛应用。研究结果发表在《碳》上。研究人员在富勒烯内嵌入了足量的钪,形成内嵌金属富勒烯。研究表明,钪原子与碳原子之间存在电荷转移,这增加了富勒烯的化学活性并刺激了聚合过程,使其更容易受到高温和高压的影响。与不含钪的聚合富勒烯晶体及钻石相比,该材料的刚性偏低,相变压力的降低简化了此种结构的制备过程,使其更易生产。

摘要： 韩国大邱庆北科学技术院(DGIST)研究团队成功开发出了世界上第一个纳米结构电子皮肤设备(有机场效应晶体管)。这种电子皮肤设备包含一个纳米网状结构,可长时间测量和处理生物信号,且不会让佩戴者感觉不适。这一成果标志着科学家们向电子皮肤设备集成系统迈进了一大步。相关研究刊发于最新一期《高级功能材料》杂志。电子皮肤是指贴在皮肤上的电子可穿戴设备,用于收集温度、心率、肌电图和血压等生物信号,并传输数据。为了使用实时医疗系统准确测量生理信号,需要一种能够连接到光滑且不断移动的皮肤表面的软性传感器。因此,目前大多数用于皮肤表面的电子设备都使用塑料和橡胶等表面平坦的基材制造而成。

摘要： 随着微电子器件的集成度和性能要求在许多领域不断提高,二维半导体材料的新型高性能功能器件的不断发展,我们需要解决当 前面临的技术瓶颈。目前,作为新型二维半导体材料的代表,例如正在开发的二维过渡金属二硫化物,二维黑磷和范德华异质结,由于他 们在电学,热学,机械学,光学等方面的性能优异,是高性能纳米电子和光电器件最有潜力的材料之一。在这篇综述中,我们首先描述了 纳米器件中常用的二维材料,分析了材料的结构和性能及其在纳米器件中的应用,以及第二过渡金属基二硫化物,黑磷和二氧化钛的最新 研究进展。讨论了范德华异质结纳米电子器件及其衍生的光电器件,最后,分析和总结了二维半导体纳米器件当前面临的挑战和未来的发 展方向,并为未来的高性能功能纳米器件提供支持。

摘要： 日前,美国麻省理工学院的工程师设计了一种人造突触,能够精确地控制流过它的电流强度,类似于离子在神经元之间流动的方式,并已利用硅锗制成人造突触芯片。该芯片及其突触在模拟研究中可用于识别手写样本,准确率高达95%,标志着人类向便携式,低功耗神经形态芯片迈出了重要一步。

摘要： 层状2D结构的电子晶体首次被合成并制出，这种新型的电子晶体导电性能优于石墨烯。这一新兴材料有望用于研制透明导体、电池电极、电子发射装置以及化学催化剂等诸多领域。

摘要： 德国弗劳恩霍夫协会的11家研究所和莱布尼茨学会的2家研究所近日共同制定并启动了跨地区“微电子与纳米电子研究工厂”的项目方案。德国教研部为该项目方案提供经费支持，弗劳恩霍夫协会将获得2．8亿欧元，莱布尼茨学会获7000万欧元。

摘要： 据科技部网站2017年11月13日报道,俄罗斯托木斯克理工大学表示,该校与德国、委内瑞拉的科学家最近证实了二维半导体硒化镓在空气中的易损性,此重要发现有助于制造硒化镓基超导纳米电子产品.研究团队通过光组合散射光谱法和XPS方法研究了硒化镓,确定镓和氧之间存在化学键,硒化镓一接触空气就会迅速被氧化,从而失去生产纳米电子设备所必需的导电性能.进一步研究硒化镓氧化敏感性,可以研究出保护和保存硒化镓光电性能的解决方案.

摘要： 德国弗劳恩霍夫协会的11家研究所和莱布尼茨学会的2家研究所近日共同制定并启动了跨地区“微电子与纳米电子研究工厂”的项目方案。德国教研部为该项目方案提供经费支持,弗劳恩霍夫协会将获得2.8亿欧元,莱布尼茨学会获7000万欧元。

摘要： 纳米材料的研究已经吸引人们多年的注意。就碳纳米管的应用来说，往往需要事先对其进行合适的功能化以满足其相应的应用需求。在金属化碳纳米管方面，我们发明了基底增强的无电沉积技术(Qu et al．，JACS，2005，127，10806)。不同于常规的还原反应需要还原剂，这种方法只需要选择合适的基底来负载碳纳米管，只要基底的氧化还原电位低于溶液中的金属离子，就可以有效地将溶液中的金属离子自发地还原为金属纳米颗粒沉积于碳纳米管表面。不局限于金属粒子，其它金属或半导体氧化物均适用于此类反应。进一步深入研究纳米颗粒的形成机制，也实现了纳米颗粒的形貌尺寸控制。更重要的，这一技术能够在纳米级控制纳米颗粒在每一个碳纳米管表面发生反应的具体位置，即点选择性反应(Qu et al．，JACS，2006，128，5523)。

摘要： 根据国际半导体技术蓝图(ITRS)发布的未来半导体工艺技术预测,2016年世界集成电路主流工艺线宽为22纳米,2022年达到10纳米.这时,以硅为基础的微电子技术发展所遵循的摩尔定律将受到挑战;为此,必须发展基于全新原理的新技术,以满足人类不断增长的对信息量的需求.本文首先介绍硅材料国内、外的发展现状与趋势,进而讨论后摩尔时代的微电子技术发展可能采取的对策,最后展望基于全新原理的纳米电子、量子信息技术的发展前景.

摘要： 本文依据纳米电子和纳米陶瓷涂层的研究开发和工业应用进展,根据科技发展的历史规律,提出了纳米科技的工业应用不是梦,我们正在迈进纳米时代的观点。

摘要： 本发明公开了一种聚合物膜，包含以下物质的混合物：（i）导电聚合物，以及（ii）各向异性导电纳米结构体；还公开了一种聚合物组合物，其包含（a）液体载体；（b）溶于或分散在所述液体载体中的导电聚合物，以及（c）分散在所述液体载体中的各向异性导电纳米结构；还公开了一种制备聚合物膜的方法，其包括以下步骤：（1）形成聚合物组合物的层，所述聚合物组合物包含（a）液体载体；（b）一种或多种溶于或分散在所述液体载体中的导电聚合物；和（c）分散在所述液体载体中的各向异性导电纳米结构体；以及（2）从所述层中除去所述液体载体。

摘要： 本发明公开了一种可用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备方法。其主要包括以下工艺：(1)以硅单晶片或玻璃片或陶瓷片等为基板；(2)利用磁过滤真空蒸气弧等离子沉积技术或磁控溅射技术在基板上进沉积催化剂薄膜；(3)在氨气反应室对催化剂薄膜进行高温热处理；(4)高温下通入以氢气为载气、乙炔为反应气的混合工作气，在经过热处理的基板上合成定向碳纳米管阵列；(5)采用载能离子束或等离子体对碳纳米管进行加工，形成碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列；(6)用碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列加工场电子发射器。

摘要： 这里公开了一种非常容易、彻底地破坏金属性碳纳米管的方法。所述方法包括：以能量束(例如激光)照射半导电碳纳米管和金属性碳纳米管地混合体，由此有选择地破坏金属性碳纳米管或半导电碳纳米管。其中，所述能量束具有被金属性碳纳米管或半导电碳纳米管谐振吸收的能量成分。

摘要： InP或者其它II-VI或者III-V材料的化合物纳米管表现出非常大的蓝移。因此，通过引入这种纳米管提供在电磁频谱的可见光范围中具有光致发光和电致发光效应的器件。

摘要： 本发明的各个实施例涉及实现和使用存储逻辑状态的阻抗编码纳米级的阻抗编码锁存器(405，408，302－305)，其将采用阻抗驱动逻辑的纳米级电子电路中的阻抗状态存储为逻辑值。在一些特定实施例中，与采用阻抗驱动逻辑的纳米级电子电路一起使用纳米级阻抗编码锁存器，避免了沿串联级联逻辑电路的电压余量的累积退化并提供了临时存储中间逻辑值，实现了由纳米线交叉实现的逻辑电路通过纳米级阻抗编码锁存器实际上互连到由其他纳米线交叉实现的逻辑电路，从而实现复杂的纳米级逻辑电路流水线、基于纳米级逻辑电路的状态机器(1200)、以及具有各种不同互连拓扑和相应功能的其他复杂逻辑器件。

摘要： 本发明公开了一种聚合物膜，包含以下物质的混合物：（i）导电聚合物，以及（ii）各向异性导电纳米结构体；还公开了一种聚合物组合物，其包含（a）液体载体；（b）溶于或分散在所述液体载体中的导电聚合物，以及（c）分散在所述液体载体中的各向异性导电纳米结构；还公开了一种制备聚合物膜的方法，其包括以下步骤：（1）形成聚合物组合物的层，所述聚合物组合物包含（a）液体载体；（b）一种或多种溶于或分散在所述液体载体中的导电聚合物；和（c）分散在所述液体载体中的各向异性导电纳米结构体；以及（2）从所述层中除去所述液体载体。

摘要： 本发明公开了一种可用于场电子发射器的碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列及其制备方法。其主要包括以下工艺：(1)以硅单晶片或玻璃片或陶瓷片等为基板；(2)利用磁过滤真空蒸气弧等离子沉积技术或磁控溅射技术在基板上进沉积催化剂薄膜；(3)在氨气反应室对催化剂薄膜进行高温热处理；(4)高温下通入以氢气为载气、乙炔为反应气的混合工作气，在经过热处理的基板上合成定向碳纳米管阵列；(5)采用载能离子束或等离子体对碳纳米管进行加工，形成碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列；(6)用碳纳米纤维/碳纳米管异质纳米阵列加工场电子发射器。

摘要： 这里公开了一种非常容易、彻底地破坏金属性碳纳米管的方法。所述方法包括：以能量束(例如激光)照射半导电碳纳米管和金属性碳纳米管地混合体，由此有选择地破坏金属性碳纳米管或半导电碳纳米管。其中，所述能量束具有被金属性碳纳米管或半导电碳纳米管谐振吸收的能量成分。

摘要： InP或者其它II－VI或者III－V材料的化合物纳米管表现出非常大的蓝移。因此，通过引入这种纳米管提供在电磁频谱的可见光范围中具有光致发光和电致发光效应的器件。

摘要： 本发明涉及一种具有纳米结构针尖的电子发射体，以及使用该电子发射体的电子柱。具体而言，涉及一种电子发射体，其包括可容易地发射出电子的纳米结构针尖，该纳米结构针尖由纳米碳管(CNT)、氧化锌纳米管(ZnO纳米管)、氧化锌纳米棒、氧化锌纳米柱、氧化锌纳米线、氧化锌纳米粒子等等所组成；以及涉及使用该电子发射体的电子柱。