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纳米结构、具有这种纳米结构的电子器件和纳米结构的制造方法

摘要

InP或者其它II-VI或者III-V材料的化合物纳米管表现出非常大的蓝移。因此,通过引入这种纳米管提供在电磁频谱的可见光范围中具有光致发光和电致发光效应的器件。

著录项

  • 公开/公告号CN100459181C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-02-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 皇家飞利浦电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200380102776.4

  • 申请日2003-10-23

  • 分类号H01L33/00(20060101);H01L21/208(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人吴立明;梁永

  • 地址 荷兰艾恩德霍芬

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-31

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L33/00 登记生效日:20200714 变更前: 变更后: 申请日:20031023

    专利申请权、专利权的转移

  • 2020-07-31

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L33/00 变更前: 变更后: 申请日:20031023

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2009-02-04

    授权

    授权

  • 2009-02-04

    授权

    授权

  • 2006-02-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-02-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-12-21

    公开

    公开

  • 2005-12-21

    公开

    公开

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