半导体氧化物

摘要： 量子点敏化太阳能电池因其优点众多(如制备工艺简单、成本低以及理论光电转换效率高等)而备受关注,目前最高效率已经突破13％.而电池性能的优劣主要由光阳极、对电极以及电解质共同决定,本文从以上几部分入手并简要阐述了量子点敏化太阳能电池由哪些重要部分构成、对外电路工作的内部反应机制和各重要部件当前的探索现状,着重综述了光阳极当前的研究成果以及存在的问题,并对光阳极的优化途径进行了展望.

摘要： 本发明属于气体传感器领域,具体涉及一种四氧化三钴氧化物半导体二甲苯传感器及其制备方法与应用。本发明提供的Co3O4氧化物半导体二甲苯传感器包括:外表面套设有两个平行且彼此分隔的环形Au电极的Al2O3陶瓷管,连接在每个所述环形Au上电极上的铂丝,涂覆在所述Al2O3陶瓷管外表面和环形Au电极上的半导体氧化物敏感材料,和置于所述Al2O3陶瓷管内的镍镉合金线圈,所述半导体氧化物敏感材料为叶片状的Co3O4。

摘要： Quantum-dot-sensitized solar cells have attracted more and more attention due to their simplicity of preparation,low cost and high efficiency of photoelectric conversion which has exceeded 11%. Photoanode is one of the most critical components of solar cells,and the performance of the battery can improve by optimizing its structure.We briefly introduced the basic composition and working principle of quantum dot sensitized solar cells,and reviewed the latest research progresses from photoanode optimization including ordered structure,composite structure,doping and surface treatment.Finally,the prospects for further optimization of the photoanode are discussed based on the current research results and problems.%量子点敏化太阳能电池因制备简易,生产成本低且理论光电转换效率高而受到广泛关注,至今效率已突破11%.光阳极作为其中重要的组成部分之一,其结构的优化可有效改善电池性能.本文介绍了量子点敏化太阳能电池的基本组成和工作原理,重点综述了有序结构、复合结构以及利用掺杂、表面处理等方法优化光阳极的最新研究进展.结合目前研究成果和存在问题对光阳极进一步优化的途径进行了展望.

摘要： 光电催化分解水是绿色制氢的重要途径之一.由于水氧化反应在热力学和动力学上极难发生, 因而制备高效光阳极成为光电催化分解水的瓶颈问题.为满足未来商业化应用需求(太阳能制氢转换效率>10%), 研制高效光阳极成为亟待解决的关键难题.研究表明, 具有价格低廉、吸光性良好、毒性小且光电化学稳定性高等突出优点的可见光响应型氧化物: WO3、α-Fe2O3和 BiVO4,是目前光电催化分解水用光阳极的理想材料.在过去几十年里, 围绕该类氧化物光阳极的研究已取得显著成果.本文重点论述了高效光电催化分解水制氢用WO3、α-Fe2O3和BiVO4光阳极改性的研究进展.另外, 文中简述了此类可见光响应型氧化物光阳极在无偏压光电催化分解水中的研究现状,并提出其存在的问题及未来发展方向.%Photoelectrochemical (PEC) water splitting provides a "green" approach for hydrogen production. Photoanodes for water oxidation reactions are the bottleneck for PEC water splitting due to the involved thermody-namic and kinetic challenges. To obtain the target of 10% solar-to-hydrogen (STH) efficiency toward practical ap-plications, efficient photoanodes should be developed. Owing to the intrinsic advantages of low cost, good light harvesting, low toxicity, and excellent (photo)-electrochemical stability, visible light responsive metal oxides such as WO3, α-Fe2O3and BiVO4have attracted great attention for potential photoanodes and significant achievements have been made in the past decades. In this review, the sate-of-the-art progresses of WO3, α-Fe2O3and BiVO4 photoanodes are summarized with an emphasis on the rational materials design toward efficient PEC water splitting. Moreover, their applications in unassisted PEC water splitting systems are briefly introduced. The perspectives on the challenges and future development of visible light responsive metal oxide photoanodes are presented.

摘要： 据报道，韩国蔚山国家科学技术研究所（UNIST）近日推出一种新的制造方法，可制造堪称世界最薄氧化物半导体——二维氧化锌（ZnO）。该半导体只有一个原子厚度大小。这可为薄、透明和柔性电子器件（例如超小型传感器）应用开辟新的可能性。

摘要： Among the performance research of Quantum Dot Sensitized Solar Cells, the key research is the optimization of photo-anode film. In addition to the traditional TiO2 nanoparticles, nanotubes, nanowire arrays and core-shell structure of one dimensional nanostructures prepared by some simple experiment have been widely applied in the photo-anode. At the same time, the researchers are also looking for new replacing semiconductor material. The ZnO thanks to easily controlled morphology, the similar band structure and physical properties with TiO2, and higher electron mobility at the same time, it has become the ideal alternative, and has been also widely used as photo-anode. The research of preparation and properties based on alternative materials shows that compared with the traditional TiO2 nanocrystalline, the alternative material has good conductivity, high charge separation efficiency, good performance on optical trapping. Therefore the new material of photo-anode has become an important research orientation of Quantum Dots Sensitized Solar Cells.%在量子点敏化太阳电池的性能研究中,光阳极薄膜的优化一直是研究的重点.除了传统的 TiO2纳米颗粒,通过一些简单实验制备出的纳米管、纳米线阵列,一维核壳纳米结构也被广泛的应用于光阳极中.形貌易于控制的 ZnO 因与 TiO2具有相似的能带结构和物理性质,又兼具高的电子迁移率而成为比较理想替代物.一维 ZnO 及其核壳结构半导体材料的制备及性能研究表明,其具有良好的导电性,电荷分离传输效率高,光俘获性能好等优点,已成为量子点敏化太阳电池光阳极研究的重要方向.

摘要： 酒精传感器 型号：DAT-02 传感器：先进的半导体氧化物酒精传感器 测量范围（BAC）：0．00％-0．1％ 精确度（BAC）：0．01％ 电源输入：2×1．5V“AAA”碱性电池 操作时间：热启动：15s-20s，响应时间：〈5s 自动关机：大约1min 尺寸（mm）-100×45×20 执行标准：Q／718J78-2007，

摘要： 酒精传感器型号：DAT-02传感器：先进的半导体氧化物酒精传感器测量范围（BAC）-0．00％-0．1％精确度（BAC）：0．01％

摘要： 将半导体氧化物作为有源层来制作TFT并用于平板显示中,不仅能获得较高的迁移率、而且制作工艺简单、低温下可以获得,显示出了巨大的应用前景。本文从专利文献的视角对氧化物TFT稳定性的技术发展进行了全面的统计分析,总结了与氧化物TFT稳定性相关的国内和国外专利的申请趋势,并对其技术方向和技术手段的发展脉络进行了梳理。

摘要： 自上世纪70年代表面增强拉曼光谱（SERS）面世后,贵金属基底的引入将拉曼检测灵敏度提升了百万倍,克服了传统拉曼光谱与生俱来的信号微弱等缺点,使得拉曼检测在食品安全、环境监测、生命科学等领域得到广泛应用,并迅速成长为最为灵敏的表面物种现场谱学检测技术之一。然而,

摘要： 半导体纳米材料具有优异的光学、电学和光电转换等特性,使其适合用作气体传感器敏感材料.半导体气体传感器已被广泛证明适用于检测有毒气体、可燃性气体、湿度等多种气体种类,具有广阔的应用前景.半导体氧化物气体传感器在室温下性质很差,为了获得高的灵敏度和较快的响应及恢复速度,通常需要在气敏元件上安装加热元件,使气体传感器在高温条件下工作.但是高温下工作会给气体传感器的制作和使用带来很多的不足与缺陷.理论和实验表明光激发可以有效改善气体传感器的性能,紫外光照可以增加半导体中的自由载流子浓度,加速气体在气敏材料表面的吸附和脱附,提高气敏材料表面的活性.本课题组在室温气体传感器领域进行了较长时间的研究,在本报告中首先介绍半导体气体传感器的工作原理、应用场合和发展方向,然后介绍本课题组在可见光激活氧化钨室温半导体气体传感器方面的研究进展,最后介绍课题组在有机染料和窄带氧化物激活氧化锌室温气体传感器的工作成果.

摘要： 本文报告面向气体和湿度敏感的介孔、低维和分等级结构半导体氧化物的设计与制备.围绕提高半导体氧化物的识别功能、转换功能和敏感体利用率确立材料设计指针;利用水热、溶剂热、模板法、微波辅助合成、静电纺丝以及超声喷雾等合成方法制备了典型的半导体氧化物SnO2、ZnO、WO3、In2O3、Fe2O3和LaFeO3等,并优化了合成条件;利用XRD、小角XRD、SEM、TEM、BET等对所制备的材料进行了结构表征;对上述敏感材料的气体、湿度敏感特性进行了评价,并初步探讨了感知机理.通过对纳米敏感材料微结构的优化,使其对特定气体以及湿度的敏感特性有明显改善.例如,利用水热合成制备方形WO3纳米片对NO2的检测下限可达到40ppb,和不规则的纳米片相比,灵敏度有明显提高;ZnWO4纳米棒在11％～98％RH湿度范围内显示良好的湿度敏感材料.总之,半导体氧化物敏感材料的纳米化、介孔化、低维化以及分等级结构显著改善了气体、湿度敏感特性,具有潜在的应用前景.

摘要： 该文基于半导体氧化物的气体敏感机理，提出对其测试的新原理和方法，通过试验发现，这种动态测试方法不仅能提高半导体氧化物的选择性和稳定性，而且能从混合气体中分辨出特定的气体成分，判断出大致的浓度。用这种方法，同一种气体传感器通过不同的测试手段可以检测不同的气体。

摘要： 该文对半导体氧化物气体敏感材料的导电振荡特性加以研究分析，通过试验与理论分析得出气敏电导振荡的必要条件，并对电导振荡型气体敏感元件的原理、工艺技术和结构等进行分析说明。同时，对半导体氧化物气体敏感材料的常温气体敏感特性进行归纳总结，指出其优缺点和需要解决的问题。

摘要： 对不同反应条件下ＺｎＯ／ＴｉＯ〈，２〉超细粉末对水溶液中六价铬的还原作用影响进行了研究与对比。结果表明，半导体氧化物ＺｎＯ／ＴｉＯ〈，２〉对水溶液中六价铬有明显的光催化还原作用，ＺｎＯ比ＴｉＯ〈，２〉的效果更显著，经９０ｍｉｎ处理后，Ｃｒ（ＶＩ）含量从初始的１００ｍｇ／Ｌ降为０．４７ｍｇ／Ｌ以下；可降解有机物的存在能促进反应的进行，提高六价铬的转化率；随着ｐＨ值的升高，光催化效果减弱。该文还对反应机制和反应速度与反应物浓度的关系，以及废水处理过程中移植（替代）现有Ｃｒ（ＶＩ）处理工艺（还原法）的可能性进行了探讨。

摘要： 纳米材料的研究已经吸引人们多年的注意。就碳纳米管的应用来说，往往需要事先对其进行合适的功能化以满足其相应的应用需求。在金属化碳纳米管方面，我们发明了基底增强的无电沉积技术(Qu et al．，JACS，2005，127，10806)。不同于常规的还原反应需要还原剂，这种方法只需要选择合适的基底来负载碳纳米管，只要基底的氧化还原电位低于溶液中的金属离子，就可以有效地将溶液中的金属离子自发地还原为金属纳米颗粒沉积于碳纳米管表面。不局限于金属粒子，其它金属或半导体氧化物均适用于此类反应。进一步深入研究纳米颗粒的形成机制，也实现了纳米颗粒的形貌尺寸控制。更重要的，这一技术能够在纳米级控制纳米颗粒在每一个碳纳米管表面发生反应的具体位置，即点选择性反应(Qu et al．，JACS，2006，128，5523)。

摘要： 半导体氧化物纳米颗粒的制备与特性研究是当前的一个热点领域，其中，氧化锌(ZnO)材料是一种性质稳定的直接带隙半导体材料，禁带宽度3.37eV，其在390nm处有很强的荧光发射。本文研究了利用化学方法合成纳米ZnO颗粒，并将其与稀土Eu3+离子共掺于SiO2薄膜中，研究了ZnO的尺寸与浓度对稀土发光的作用和影响，观察到了由于ZnO纳米颗粒与稀土离子之间的能量共振传递所引起的荧光增强效应。

摘要： 超细TiO2粉体粒子又称纳米二氧化钛是既有强光氧化能力,又具有化学稳定性和无毒等优良特性.纳米TiO2具有表面活性大、吸收紫外线能力强、耐候性好、耐化学腐蚀等特点,因化学性质稳定,难溶无毒,成本低,是理想的光催化剂. 纳米二氧化钛,作为光催化类抗菌剂是一种属于宽禁带的n型半导体氧化物,带隙能为3.2 eV(锐钛型),相当于波长为387.5 nn的光子能量.当TiO2受到波长小于387.5 nm的紫外光照射时,价带的电子跃迁到导带上,从而产生了光生电子空穴对所产生的空穴将吸附在TiO2颗粒表面的OH-和H2O氧化生成OH-自由基.直接参与有机物光催化氧化的不是空穴而是OH-自由基.本文研究二氧化钛光催化降解农药的开发与应用。

摘要： 本文建立了一种基于紫外光诱导n-Si/TiO2/TiO2:Eu表面荧光及表面光电压的二维传感器，区分了20种挥发性物质，以及5种市售饮品。

摘要： 本文建立了一种基于紫外光诱导n-Si/TiO2/TiO2:Eu表面荧光及表面光电压的二维传感器，区分了20种挥发性物质，以及5种市售饮品。

摘要： 本发明的课题在于提供一种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供一种氧化物半导体层的制造方法，包含以下工序：前驱体层的形成工序，其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状，其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的，所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯；及烧成工序，其在使该粘合剂的90wt％以上分解的第1温度将该前驱体层加热之后，在比该第1温度更高、而且为前述金属与氧键合、且差示热分析法(DTA)的放热峰值即第2温度(以X表示的温度)以上的温度烧成该前驱体层。

摘要： 一种新颖的氧化物半导体膜。一种缺陷少的氧化物半导体膜。一种氧化物半导体膜与绝缘膜的界面的浅缺陷态密度的峰值小的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包括In、M(M是Al、Ga、Y或Sn)、Zn以及浅缺陷态密度的峰值小于1×1013cm‑2eV‑1的区域。

摘要： p‑型氧化物半导体，其包括：包含铊(Tl)的金属氧化物，其中所述金属氧化物已经被空穴掺杂。

摘要： 本发明的课题在于提供一种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供一种氧化物半导体层的制造方法，包含以下工序：前驱体层的形成工序，其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状，其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的，所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯；及烧成工序，其在使该粘合剂的90wt％以上分解的第1温度将该前驱体层加热之后，在比该第1温度更高、而且为前述金属与氧键合、且差示热分析法(DTA)的放热峰值即第2温度(以X表示的温度)以上的温度烧成该前驱体层。

摘要： 本发明涉及包含彼此三维连接的纳米孔、介孔和大孔的多孔氧化物半导体，该多孔氧化物半导体的制造方法，以及包含该多孔氧化物半导体作为气体感测物质的气体传感器，更具体地涉及多孔氧化物半导体，该多孔氧化物半导体的制造方法，以及包含该多孔氧化物半导体作为气体感测物质的气体传感器，该多孔氧化物半导体包括彼此三维连接的直径为1nm至小于4nm的纳米孔，直径为4nm至50nm的介孔，直径为100nm至小于1μm的大孔。根据本发明，提供了通过控制纳米孔、介孔和大孔表现出对多种待检测气体表现出超高灵敏度和超高速响应特征的氧化物半导体型气体传感器。

摘要： 本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。

摘要： 作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。

摘要： 一种新颖的氧化物半导体膜。一种缺陷少的氧化物半导体膜。一种氧化物半导体膜与绝缘膜的界面的浅缺陷态密度的峰值小的氧化物半导体膜。该氧化物半导体膜包括In、M(M是Al、Ga、Y或Sn)、Zn以及浅缺陷态密度的峰值小于1×1013cm‑2eV‑1的区域。

摘要： 一种氧化物半导体化合物，其含有镓和氧，光学带隙为3.4eV以上，300K下的通过霍尔(Hall)测定得到的电子的霍尔(Hall)迁移率为3cm2/Vs以上。

摘要： 本发明提供一种氧化物烧结材料及其制造方法以及氧化物半导体膜。所述氧化物烧结材料含有In、W和Zn，包含In