硼掺杂

摘要： 与质子交换膜燃料电池相比,碱性交换膜燃料电池(AEMFC)能够同时在阳极和阴极使用非贵金属,从而显著降低燃料电池的成本.目前,在阴极氧还原反应(ORR)已经开发出可以媲美Pt/C的非贵金属催化剂,而阳极氢氧化反应(HOR)最有希望的非贵金属催化剂仅限于镍基催化剂,且其催化性能却远落后于铂基电催化剂.因此,开发高效、稳定的碱性HOR镍基催化剂对于推动AEMFC的实际应用具有重要意义.本文通过对负载在XC-72上的无定型硼化镍(NiB/C)进行煅烧,得到了硼掺杂的镍(B-Ni/C).粉末X射线晶体衍射结果表明,煅烧后催化剂的晶体形式为fcc相的Ni.透射电子显微镜结果表明,催化剂呈分散的纳米颗粒状态,能量色散光谱图也证明了Ni、B元素均匀分布于C上.在0.1 mol/L KOH条件下进行HOR活性测试,B-Ni/C样品的比面积交换电流密度和在50 mV过电位下的比质量交换电流密度分别为0.035 mA cm_(Ni)^(–2)和27.95 mA mg_(Ni)^(–1),与未掺杂硼的镍碳(Ni/C)催化剂相比,其质量活性提高了10倍.在加速耐久性测试中,B-Ni/C催化剂在氩气中1000圈电位循环后仍具有一定的氢氧化活性,表明其具有较好的抗氧化稳定性.在含有万分之一浓度CO的H_(2)中进行长时间计时电流法测试结果表明,相比于Pt/C,NiB/C活性仅有轻微损失,表现出出色的抗CO能力.此外B-Ni/C在1 mol/L KOH条件下也具有较好的HER性能,仅需128 mV的过电位就可以达到10 mA cm^(‒2)的电流密度.实验和密度泛函理论计算表明,B掺杂后,B的p轨道和Ni的d轨道之间会形成d-p杂化,从而促进Ni表面对OH的吸附,同时优化了其表面的氢结合能,降低了水物种的形成能,有助于提高碱性条件下的HOR性能.综上,本文通过简单方法设计了一种杂原子掺杂的镍基催化剂,其表现出较好的氢氧化活性,为开发低成本、高效的非铂碱性HOR催化剂提供了新的视角.

摘要： TiO_(2)半导体具有氧化能力强、无毒、化学稳定性好且价格低廉等优点,在光催化领域得到了广泛应用,但其也存在只能吸收紫外光的缺点.本研究以二硼化钛为原料,采用原位水热过程制备了硼掺杂TiO_(2),通过调控水热温度得到了不同硼掺杂量的TiO_(2).通过XRD、Raman、SEM、FT-IR及UV-Vis等测试手段表征了硼掺杂TiO_(2)的结构特征,并测试了其在可见光下分解水制氢性能.结果表明:水热温度对TiO_(2)的晶体结构、电子结构和表面形貌有显著影响;160°C下水热制备的硼掺杂TiO_(2)由于具备完整的球形形貌和较强的可见光吸收能力,显示出最好的光解水产氢性能(396.6μmol·h^(-1)).

摘要： 以硼酸改性处理的三聚氰胺为前体,使用水热前体法制备了硼掺杂管状g-C_(3)N_(4)光催化剂,采用XRD,XPS,SEM,UV-Vis,PL等手段对催化剂进行了表征,考察了催化剂光催化降解罗丹明B(RhB)的性能。实验结果表明,硼酸的加入量为1.57 g时制备的催化剂BG2具有较高的比表面积,为降解RhB提供了更多的反应活性位点;BG2具有2.64 eV的禁带宽度和最佳的光生电子与空穴分离效率,降解率最高,达87.3%,且具有优良的稳定性。

摘要： 突破高质量、高效金刚石掺杂技术是实现高性能金刚石功率电子器件的前提。本文利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,以三甲基硼为掺杂源,制备出表面粗糙度0.35 nm,XRD(004)摇摆曲线半峰全宽28.4 arcsec,拉曼光谱半峰全宽3.05 cm^(-1)的高质量硼掺杂单晶金刚石。通过改变气体组分中硼元素的含量,实现了10^(16)~10^(20) cm^(-3)的p型金刚石可控掺杂工艺。随后,研究了硼碳比、生长温度、甲烷浓度等工艺条件对p型金刚石电学特性的影响,结果表明:在硼碳比20×10^(-6)、生长温度1100°C、甲烷浓度8%、腔压160 mbar(1 mbar=100 Pa)时p型金刚石迁移率达到207 cm^(2)/(V·s)。通过加氧生长可以提升硼掺杂金刚石结晶质量,降低杂质散射。当氧气浓度为0.8%时,样品空穴迁移率提升至614 cm^(2)/(V·s)。

摘要： 以D⁃木糖为炭源,月桂酸钠为模板剂,硼酸为掺杂剂,通过水热炭化方法制得硼掺杂分级多孔炭球(BPC_(S))。通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、N_(2)吸附-脱附测试、X射线光电子能谱(XPS)、顺磁共振波谱(EPR)、傅里叶红外光谱(FT⁃IR)、拉曼光谱(Raman)、X射线粉末衍射(XRD)、热重(TG)分析对样品进行表征。结果表明:月桂酸钠作为介孔造孔剂的同时,通过与D⁃木糖间的氢键作用使有机-有机自组装过程自发进行并形成窄尺寸分布(2~5μm)规整炭球;硼酸在水热中催化炭源脱水降解,并以BC_(3)、BCO_(2)和BC_(2)O的形式掺杂在炭球上,掺硼后炭球与水表面接触角降低,润湿性提高。经CO_(2)活化、月桂酸钠高温分解以及胶质炭球的堆积分别产生微孔(0.5~1.2 nm)、介孔(3.14~35.00 nm)和大孔(60~146 nm)并形成分级结构。当硼酸加入量为0.9275 g时多孔炭球(BPC_(S)⁃1)的电化学性能最佳,在6 mol·L^(-1)KOH三电极体系中电流密度为0.5 A·g^(-1)时,比电容达287.12 F·g^(-1);两电极体系中电流密度为0.5 A·g^(-1)时比电容达151.34 F·g^(-1),能量密度达5.3 Wh·kg^(-1);电流密度为5 A·g^(-1)时进行1000次充放电循环,电容保持率仍达96.43%。

摘要： 本文以D-木糖为碳源、硼酸为掺杂剂、月桂酸钠为模板剂,采用水热炭化法和CO2活化法合成了硼掺杂多孔炭球,考察了活化温度对多孔炭球结构和电化学性能的影响。研究结果表明,当活化温度为700°C时,多孔炭球的微孔比表面积和微孔比例最高,分别为466.10 m2∙g−1和86.11%。大量的微孔结构能够为多孔炭球提供更多的电化学活性位点,有利于电荷的储存和传输,使其电化学性能显著提高。在三电极体系中电流密度为1 A•g−1时,其比电容为217 F•g−1,电流密度为5 A•g−1时1000次充放电循环后,其电容保持率仍为90%以上。

摘要： 活性炭(AC)由于其发达的孔隙结构和官能团,被用作生物质和塑料催化裂解的催化剂或催化剂载体。然而,AC催化剂的催化活性较低,需对其进行改性处理以提高催化性能。本文利用固定床反应器探究了掺硼活性炭(BAC)催化剂催化玉米秸秆和高密度聚乙烯共热解过程中硼掺杂量、催化剂/原料质量比、共热解温度对产物产率及分布的影响规律。采用BET、FT-IR、NH3-TPD测试了AC与BAC催化剂的比表面积、孔容、表面官能团及酸性等性能,并采用XRD和XPS对BAC使用前后硼的晶体结构和存在形态进行了表征。结果表明,随着硼掺杂量的增加,BAC催化剂的比表面积和孔径逐渐降低,表面官能团无明显变化,而强弱酸量显著增加。使用后的BAC催化剂中硼主要以B—O键的形式存在,BC3衍射峰消失,出现了B—C弱衍射峰。随着硼掺杂质量分数从0.5%增至3.0%,单环芳烃的含量先升高后降低,而多环芳烃的含量呈现出与单环芳烃相反的变化趋势。当硼掺杂量为1.0%、共热解温度为600°C和BAC催化剂/原料质量比为1.25时,单环芳烃含量达到最大值44.18%,此时多环芳烃的含量为19.75%。此外,硼的存在能有效抑制焦炭沉积,提高催化剂的寿命。

摘要： 高键能异质原子的高效掺杂是稳定高电压LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2(NCM)三元正极材料并提升其电化学性能的有效策略.借助含硼前体在二次颗粒表面富集及随后高温煅烧强化B3+体相扩散的策略,构建了硼离子高效掺杂NCM正极材料(NCM-B).引入B—O键(键能:809 kJ·mol-1)抑制了电化学反应过程中晶格氧析出,进而稳定材料的氧离子框架;此外,表面残余的高锂离子导体Li2O-B2O3包覆层可以在一定程度上稳定电极-电解液界面.与改性前NCM相比,改性后的NCM-B正极材料在3.0～4.5 V电压区间的可逆比电容量可以达到193.7 mA·h·g-1,在10 C大功率下,比电容量仍保持120 mA·h·g-1(NCM仅为78.2 mA·h·g-1).1 C下连续循环100圈后,比电容量保持率从73％提升到90％.表面富集和扩散强化的思想也有望实现其他正极材料的高效掺杂.

摘要： 四氧化三钴(Co3O4)是一种p型半导体,可作为气体传感材料.非金属硼(B)具有吸电子特性,将其与p型半导体气敏材料进行掺杂,可增加材料的空穴载流子浓度,从而提高材料的气敏性能.本文以六水合硝酸钴[Co(NO3)2·6H2O]、硼酸(H3BO3)和尿素[CO(NH2)2]为原料,采用低温一步水热法成功制备了B掺杂Co3O4海胆状微球.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)和拉曼光谱仪(Raman)对掺杂B前后的Co3O4进行结构表征,探究B掺杂对其气敏性能的影响.结果表明:B掺杂对Co3O4材料的气敏性能有明显的强化作用.当掺杂摩尔比为Co:B=8:1时,B-Co3O4对1×105μg/L乙醇的最佳工作温度为180°C,灵敏度响应达到26.8,是相同条件下纯Co3O4的4.4倍.B-Co3O4在较低的工作温度下,具有良好的灵敏度、选择性和稳定性,是一种性能优良的气敏材料.

摘要： 通过水热法将不同浓度的硼掺入氧化锌中,对掺杂样品的形成原理和晶格结构进行了分析。引用硼(B)源以水热的方法掺杂到氧化锌(ZnO)纳米棒中,通过扫描电镜(SEM)观察,掺杂后ZnO纳米棒直径发生明显变化。用X射线衍射法(XRD)进行分析,发现随着B掺杂浓度的增加,表现出多晶体和六方纤锌矿结构的ZnO的取向发生了变化,XRD曲线发现掺杂后的ZnO纳米棒主要取向为(002)方向,纳米棒结晶质量较好。不同B掺杂浓度的ZnO纳米棒XRD图谱有明显变化,说明B的掺入使纳米棒的晶格变小。分析了ZnO纳米棒的生长机制,讨论了B对溶液中反应体系的影响,为B掺杂ZnO在应用领域上的研究提供了基础,在此基础上,进一步研究掺杂ZnO在不同领域的应用。

摘要： 掺杂的还原氧化石墨烯具有独特的二维碳纳米结构、较大的比表面积和电子传导能力,使其成为理想的二维载体,已被广泛地应用于电化学生物传感中,使其对多种重要生物分子的检测表现出了良好的性能.本研究以葡萄糖作为还原剂，利用Hummers 法合成还原氧化石墨烯，进一步将尿素、硼酸分别作为氮源、硼源通过高温水热合成法，得到氮，硼掺杂还原氧化石墨烯(N,B-RGO)，最后通过π-π作用将铁酞菁(FePC)堆积到其表面，得到FePc/N,B-RGO 纳米复合物。运用红外、扫描电镜、X 射线光电子能谱等方法对其结构和形貌进行了表征。N,B-RGO 能有效促进FePC 和电极之间的电子传递，使该纳米复合物修饰的电极明显增强了对谷胱甘肽的电流响应，降低了谷胱甘肽的过电位（0.12V）。对修饰后电极的电化学性能进行了表征，测得电极有效表面积为0.1341cm2。FePC 功能化的N,B-RGO 纳米复合物可以对GSH 有良好的电催化，因此可进一步用于谷胱甘肽在较低电位的研究。

摘要： 高性能的宽光谱光探测器在生物成像、环境遥感、气象和军事领域具有重要的应用前景.本工作中,构建了一种基于硼掺杂硅量子点和石墨烯杂化结构的光探测器.得益于硼掺杂硅量子点在紫外到近红外波段(375-1870nm)优异的光学吸收特性和中红外波段(2.5-4μm)的局域表面等离子体激元共振效应,掺杂硅量子点/石墨烯光探测器能够实现紫外光到中红外光的宽光谱探测.同时,器件在全波段具有超高的响应度(最高达109A/W)、增益(最高达1012)和比探测率(最高达1014Jones).

摘要： 综合不同种类单层金刚石薄膜的典型优点制备的复合金刚石薄膜具有优异的综合性能,本研究对比了undoped micro crystalline diamond (UMCD),boron-doped micro crystalline diamond (BDMCD)、undoped fine grained diamond(UFGD)和两类新型硼掺杂复合金刚石薄膜主要的机械性能.研究结果表明:硼掺杂技术可有效改善金刚石薄膜的附着性能,因此BDMUMCD和BDM-UM-UFGCD薄膜均具有较好的附着性能;表层为UMCD薄膜的BDM-UMCD薄膜(84.354GPa)具有UMCD薄膜(82.058GPa)表面硬度极高的优点,但是表面粗糙度较高(Ra～304.41nm)、表面可抛光性较差;相比之下,表层为UFGD薄膜的BDM-UM-UFGCD薄膜则具有UFGD薄膜优异的表面光洁度(Ra～104.71nm)和表面可抛光性,此外,由于硬度极高的中间层UMCD对于表层硬度的补充作用,该复合薄膜还具有相比于单层UFGD薄膜(67.925GPa)而言较高的表面硬度(72.657GPa).

摘要： 工业金刚石单晶的高温抗氧化性是决定其应用领域的重要技术指标之一.本文以粉末冶金法制备的Fe-Ni-B-C系合金为触媒、石墨为碳源,在5.0GPa高压和1570K高温条件下,使用六面顶压机合成了硼掺杂金刚石单晶.通过测试硼掺杂金刚石单晶在空气中的热蚀率、静压强度、冲击韧性、差热曲线和用扫描电子显微镜观察金刚石单晶受热后的表面形貌,与常规金刚石单晶进行了综合对比与分析.结果表明,硼掺杂金刚石单晶的高温抗氧化性明显优于常规金刚石单晶.文中从原子结构角度分析了硼掺杂金刚石单晶具有良好高温抗氧化性的本质原因.本文研究结果可以为低成本、高性能硼掺杂金刚石单晶的规模化生产提供重要的实验依据.

摘要： 采用脉冲磁控溅射法制备硼掺杂氧化锌（ZnO:B）纳米薄膜，并研究了其结构和光学特性。经XRD 分析，ZnO:B 为多晶纳米薄膜，具有六方钎锌矿结构，且薄膜沿着c 轴取向择优生长。薄膜在可见光和近红外光谱区的透光性很好，其中在可见光区的平均透光率可达 84%以上，而在近红外区的透光率随着波长增加而逐渐降低至45%。运用逐点非约束性优化法分析计算薄膜的光学常数：折射率n、消光系数κ和介电常数的实部ε1和虚部ε2。在可见光区，ZnO:B 纳米薄膜的光学常数随波长的变化很小且数值基本趋于恒定，而在紫外区，光学常数随波长的变化很明显，并且在367 nm和397 nm 附近存在两个紫外发光峰。

摘要： 电催化电极在电化学水处理技术的研究中具有极其重要的地位,电极材料应具有良好的导电性、催化性、耐腐蚀性、高稳定性等物理化学特性,还有对金属离子、阴离子、溶剂分子以及其他反应分子的吸附作用,或相反的脱附作用而使电极不易受到污染[1]。rn 近年来,利用化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)技术制备的硼掺杂金刚石薄膜电极(Boron-doped diamond,BDD)引起了研究者的广泛关注[2]。适量掺杂制备出的 BDD电极,除了具有金刚石的优良机械性能外,还有良好的导电性和特殊的电化学性能, 是一种极好的电极材料。

摘要： 在离子液体(1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐)中,用溶胶一凝胶法以及微波干燥法制备了硼掺杂的纳米TiO2催化剂,以甲基橙为模拟污染物,高压汞灯为光源,考察了硼掺杂量、微波干燥等因素对TiO2光催化活性的影响。结果表明,硼掺杂TiO2催化剂的活性高于未掺杂催化剂,在硼酸与钛酸丁酯物质的量比为4：1,微波炉干燥功率为210 w,干燥时间为20 min,焙烧温度为650°C时处理2h,所得催化剂有较高的催化活性。

摘要： 包含有纳米硅颗粒的富硅碳化硅(nc-Si/SiCx)薄膜由于其带隙可调等诸多特性,在硅基光电器件中有着很好的应用前景.已有报道指出,由于硼掺杂的nc-Si/SiCx材料具有较宽的带隙(～2.2eV)和较高的电导率(～10-3S/cm),可以将其作为n-i-p结构非晶硅太阳能电池的窗口层,提高了电池的开路电压和短波长波段的外量子效率1，在本文工作中，制备了掺硼的非晶富硅碳化硅薄膜，并通过900°C高温退火形成了硼掺杂的nc-Six/SiC。薄膜，研究了不同的组分比和掺杂浓度对材料光电性质的影响。在高温退火以后，样品的带隙从~1.8eV提高到了~2.3eV，这可以归因于退火后样品中Si-C键以及Si-0键浓度的大幅提高。而掺杂硼原子浓度的改变对带隙的影响较小。由于nc-Si的形成和硼原子的激活，退火后样品的暗电导率有8个数量级的提高，最高达到了91S/cm。随着薄膜中碳含量的增加，退火后样品的霍尔迁移率、载流子浓度以及暗电导率都呈下降趋势。

摘要： 异质原子置换掺杂是调控石墨烯化学和电学性质的重要手段,然而目前为止有关大面积硅掺杂石墨烯(SiG)和硼掺杂石墨烯(BG)的报道还很少。报道了厘米尺寸、高质量SiG和BG的可控合成方法、原子级表征和分子探测性能.研究表明,SiG可以有效地抑制有机分子在基底上的荧光效应,从而大大增强拉曼散射效应.利用扫描隧道显微镜(STM)研究了BG中掺杂原子附近的原子结构和电子态密度.所合成的BG在有毒气体分子探测方面表现出优异的性能,其对NO2的探测可以达到ppt量级.基于所合成的SiG和BG可以进一步探索更多重要的应用性能.

摘要： 本文采用波长为532 nm的激光脉冲在n 型单晶硅衬底上扫描预置的硼源,进行制备太阳电池发射极研究,利用全激光掺杂实现了方块电阻最低为35 Ω/□的发射极,经过退火后少子寿命大幅度提升.在此基础上,初步制备的太阳电池开路电压Voc 达到543 mV,研究表明,激光掺杂是一种有效的制备太阳电池发射极的方法.但由于短路电流密度Jsc,填充因子FF 太低,转换效率较低.

摘要： 本发明提供一种单分散本体硼氮掺杂树脂高分子球的制备方法和单分散本体硼氮掺杂树脂基炭球的制备方法，属于聚合物技术领域。该方法将催化剂、间羟基苯硼酸和甲醛在溶剂中溶解，然后将反应体系转移到反应釜中，水热聚合反应后得到单分散本体硼氮掺杂树脂高分子球；所述催化剂为氨水和/或胺类，所述溶剂为水溶液、醇溶液或水和醇类化合物的混合溶液。本发明还提供一种单分散本体硼氮掺杂树脂基炭球的制备方法，该方法将得到的单分散本体硼氮掺杂树脂高分子球进行煅烧后得到炭球。本发明得到的单分散本体硼氮掺杂树脂高分子球具有较高的单分散性，树脂球的尺寸可以大范围内调节，有利于其应用。

摘要： 本发明提供了一种硼氮共掺杂金刚石纳米片/掺硼金刚石薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：步骤1，对衬底进行打磨、清洗、干燥，置于金刚石微纳粉末的悬浊液中，使金刚石微纳颗粒在衬底表面形核；步骤2，将经过步骤1处理的衬底置于密闭的反应腔室，甲烷、硼源及氢气构成的混合气氛，达到预定温度时，反应室中气体分解或放电，同时在电磁场作用下，在基底上生长出掺硼金刚石薄膜；步骤3，以甲烷为原材料，同时向反应腔室内引入氮源和硼源，掺硼金刚石薄膜为基底外延生长硼氮共掺杂金刚石纳米片。本发明的硼氮共掺杂金刚石纳米片/掺硼金刚石薄膜在高功率密度和超快速充放电上表现出优异的性能。

摘要： 本发明提供一种高硼含量的中空硼氮共掺杂碳纳米球的制备方法。本发明以类沸石咪唑酯骨架材料(ZIF‑8)为自牺牲模板，首先形成中空的ZIF@硼酸间苯二甲酸钴配合物(ZIF@BA‑Co)前驱体，再通过高温热解即得。本发明方法无需特意去除模板剂，前驱体制备简单，总体合成工艺简单；合成的中空结构硼氮共掺杂纳米碳球，大小均匀，碳结构坚固，硼含量高。

摘要： 本发明提供了一种石墨烯‑硼碳纳米片，本发明提供的石墨烯‑硼碳纳米片在π‑π作用力下使氧化石墨烯与硼碳纳米片层层堆叠紧密结合在一起，提高了石墨烯‑硼碳纳米片的硬度，同时由于硼碳纳米片的亲水性提高了石墨烯‑硼碳纳米片的分散性。本发明还提供了一种掺杂石墨烯‑硼碳纳米片防腐涂料，由实施例结果表明，本发明制备获得掺杂石墨烯‑硼碳纳米片防腐涂料耐水性达1033～1144h，耐酸性达2124～2564h，耐碱性达2754～3165h，耐湿热性达1316～1645h，耐盐雾性达3321～4567h，抗冲击性达70～81cm，各项性能均明显高于国家标准。

摘要： 本发明提供一种单分散本体硼氮掺杂树脂高分子球的制备方法和单分散本体硼氮掺杂树脂基炭球的制备方法，属于聚合物技术领域。该方法将催化剂、间羟基苯硼酸和甲醛在溶剂中溶解，然后将反应体系转移到反应釜中，水热聚合反应后得到单分散本体硼氮掺杂树脂高分子球；所述催化剂为氨水和/或胺类，所述溶剂为水溶液、醇溶液或水和醇类化合物的混合溶液。本发明还提供一种单分散本体硼氮掺杂树脂基炭球的制备方法，该方法将得到的单分散本体硼氮掺杂树脂高分子球进行煅烧后得到炭球。本发明得到的单分散本体硼氮掺杂树脂高分子球具有较高的单分散性，树脂球的尺寸可以大范围内调节，有利于其应用。

摘要： 本发明公开了一种硼氮掺杂石墨烯量子点的制备及其在硼中子俘获治疗药物中的应用，涉及化学和生物医学肿瘤诊疗领域。其以石墨烯量子点和10B硼酸水溶液作为原料合成硼氮掺杂石墨烯量子点，该硼氮掺杂石墨烯量子点含硼量高，具有优异的光学性质、良好的生物相容性和低毒性，实现了体内荧光成像，还可以靶向乳腺癌肿瘤并在乳腺癌肿瘤部位富集，但在健康组织中硼氮掺杂石墨烯量子点能够被快速代谢排出，这些性质使得硼氮掺杂石墨烯量子点可以作为一种适用于BNCT治疗的新型硼输送剂，实现对乳腺癌肿瘤的诊断和BNCT治疗。

摘要： 本发明提供一种高硼含量的中空硼氮共掺杂碳纳米球的制备方法。本发明以类沸石咪唑酯骨架材料(ZIF‑8)为自牺牲模板，首先形成中空的ZIF@硼酸间苯二甲酸钴配合物(ZIF@BA‑Co)前驱体，再通过高温热解即得。本发明方法无需特意去除模板剂，前驱体制备简单，总体合成工艺简单；合成的中空结构硼氮共掺杂纳米碳球，大小均匀，碳结构坚固，硼含量高。

摘要： 本发明属于电池材料领域，具体涉及一种硼化镍/硼掺杂多孔碳材料，其为包含若干模板刻蚀孔的具有通孔结构的多孔碳球；所述的多孔碳球的碳骨架为硼掺杂的无序化碳；所述的碳骨架的内部原位包埋有石墨化碳包覆的镍单质颗粒；且表面镶嵌有硼化镍纳米粒子。本发明还提供了所述的材料的制备方法和应用。本发明所述的特殊成分以及特殊原位形貌的材料，将其载硫后用作锂硫电池中能够表现出优异的导电性、多硫化物催化活性，能够表现出优异的容量、倍率以及循环性能。

摘要： 本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极的制备方法，包括在制绒后硅片的表面制备重掺杂区和轻掺杂区，先在硅片表面覆盖一层硼掺杂剂，硼掺杂剂的覆盖区域不小于重掺杂区的区域大小；再对位于重掺杂区的硼掺杂剂进行激光掺杂形成硼化硅；然后对硼化硅进行高温推进，形成重掺杂区；接着在硅片表面形成轻掺杂区；制得硼掺杂选择性发射极。本发明利用激光掺杂形成硼化硅以及高温推进硼化硅形成重掺杂区，所用激光功率低，对硅片绒面友好，保证硅片绒面陷光效果的同时实现重掺杂区的制备；本发明在激光掺杂工序后增加一道碱液或酸液清洗工序，很好地去除了硅片表面残留的硼掺杂剂及附着的杂质，硅片的少子寿命不会降低。

摘要： 一种氮掺杂、硼掺杂或磷掺杂的石墨化氮化碳材料的制备方法，属于锂硫电池技术领域。本发明是为了解决锂硫电池存在穿梭效应的问题，取双氰胺研磨充分之后转移到刚玉坩埚中，坩埚留有孔隙，于300～400°C煅烧2h，再升温至450～550°C煅烧2h，即得到氮掺杂的石墨化氮化碳材料。将其导电炭黑和PTFE乳液混合均匀，并加入去离子水混合均匀，充分研磨20min，除去水分，辊压，冲切，干燥，将制得的导电复合膜嵌入在硫正极和隔膜之间。本发明的制备方法简单易行，制备的复合膜插层具有良好的导电性，并且不会对硫正极造成负面影响，将其嵌入在硫正极和隔膜之间通过物理和化学吸附来阻挡多硫阴离子的穿梭效应，从而改善锂硫电池的循环性能。