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陈树拳; 梁宗存; 叶小帅; 王学孟; 王学孟;
中国可再生能源学会;
中科院;
硼掺杂; 太阳电池; 激光掺杂; 发射极;
机译:激光损伤对采用激光掺杂工艺制备的选择性发射极太阳能电池性能的影响
机译:使用热线化学气相沉积和激光掺杂制备选择性发射极硅异质结太阳能电池
机译:激光掺杂发射极层和选择性发射极层的深度控制及其太阳能电池特性
机译:在SIN / ARC之前或之后使用局部激光熔体(LLM)退火将POCL3和BBR3炉扩散掺杂源与磷和硼注入以及等离子掺杂源用于选择性发射极形成的选择性发射极进行比较
机译:Cr 2+掺杂的II-VI半导体窗口和晶体的材料制备和红外光谱,用于中红外激光应用。
机译:瞬态测量研究溶液处理的TADF发射极4CzIPN掺杂的OLED的电致发光机理
机译:激光掺杂发射极的发射极均匀性研究
机译:apmOVpE am0 Inp同质结太阳能电池的性能与发射极厚度和掺杂以及基极掺杂的关系的实证研究
机译:激光退火制备选择性发射极/ BSF光伏电池的方法及掺杂掺杂的脱附。
机译:晶闸管具有半导体主体和阴极区域,其中在垂直方向上彼此正上方布置正掺杂的发射极,负掺杂的基极,正掺杂的基极和负掺杂的发射极。
机译:晶闸管点火灵敏度调节方法,涉及在半导体主体中依次布置p型掺杂发射极,n型掺杂基极,p型掺杂基极和n型掺杂主发射极。
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